【課題】剥離前の形状及び特性を保った良好な状態で転置工程を行えるような、剥離工程
を用いて半導体装置及び表示装置を作製できる技術を提供する。よって、より高信頼性の
半導体装置及び表示装置を装置や工程を複雑化することなく、歩留まりよく作製できる技
術を提供することも目的とする。
【解決手段】透光性を有する第１の基板上に光触媒物質を有する有機化合物層を形成し、
光触媒物質を有する有機化合物層上に素子層を形成し、光を第１の基板を通過させて、光
触媒物質を有する有機化合物層に照射し、素子層を前記第１の基板より剥離する。 （もっと読む）

【課題】良好な電気特性を維持しつつ、微細化を達成した半導体装置を提供する。また、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極層をマスクとした不純物の導入処理によって自己整合的にチャネル形成領域と一対の低抵抗領域とが形成される酸化物半導体層を有し、ゲート電極層を挟んで設けられる一対の配線層が低抵抗領域と電気的に接続し、配線層が形成される領域の下部に低抵抗領域と接する電極層が設けられている半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】焼き付きの発生による影響を受けない、また、高機能化と高付加価値化、消費電力の抑制、さらに、信号の書き込みを正確に行うことができ、また、デューティ比を向上させた表示装置を提供する。
【解決手段】表示装置は、基板の一表面に設けられた第１の表示領域と第２の表示領域を有し、第１の表示領域は第１の画素１３を複数有し、第２の表示領域は第２の画素１４を複数有し、第１の画素１３及び第２の画素１４の各々は発光素子を有し、第１の画素及び第２の画素の各々の列方向及び行方向の一方のピッチａ、ｃは同じであり、第１の画素及び第２の画素の各々の列方向及び行方向の他方のピッチｂ、ｄは異なることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造コストを低減することを課題の一とする。半導体装置の開口率
を向上することを課題の一とする。半導体装置の表示部を高精細化することを課題の一と
する。高速駆動が可能な半導体装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】同一基板上に駆動回路部と表示部とを有し、当該駆動回路部は、ソース電極
及びドレイン電極が金属によって構成され、且つチャネル層が酸化物半導体によって構成
された駆動回路用ＴＦＴと、金属によって構成された駆動回路用配線とを有すればよい。
また、当該表示部はソース電極及びドレイン電極が酸化物導電体によって構成され、且つ
半導体層が酸化物半導体によって構成された画素用ＴＦＴと、酸化物導電体によって構成
された表示部用配線とを有すればよい。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を提供する。また、バンドギャップが大きく、且つ結合エネルギーを安定な状態にする酸化物半導体膜を具備する半導体装置を提供する。
【解決手段】インジウム、ランタン、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜とする。また、当該結晶構造において、ランタンは酸素が６配位した構造とし、インジウムは酸素が５配位した構造とする。酸化物半導体膜の結晶構造中にランタンを用いることで、インジウム、ガリウム、亜鉛及び酸素を有する結晶構造の酸化物半導体膜よりもバンドギャップが大きく、結合エネルギーを大きくした酸化物半導体膜とすることができる。また、該酸化物半導体膜を用いた半導体装置の特性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制すること。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いたトランジスタにおいて、ゲート電極と、ゲート電極を覆い、シリコンを含む酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくともゲート電極と重畳する領域に設けられた酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜において、ゲート絶縁膜との界面からの厚さが５ｎｍ以下の第１の領域は、シリコンの濃度が１．０原子％以下であり、酸化物半導体膜の第１の領域以外の領域に含まれるシリコンの濃度は、第１の領域に含まれるシリコンの濃度より小さくする。 （もっと読む）

【課題】発光素子の長寿命化と発光効率の向上を達成することが可能な新規物質を提供する。
【解決手段】一般式（Ｇ１）で表される構造を有するカルバゾール化合物を提供する。なお、一般式（Ｇ１）における置換基（Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^３及びα^３）としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のＨＯＭＯ準位が深く、ＬＵＭＯ準位が浅い置換基をいずれも用いるものとする。また、一般式（Ｇ１）における置換基（Ｒ^１、Ｒ^２、Ａｒ^３、及びα^３）としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップ（Ｂｇ）が広く、Ｔ１準位が高い置換基をいずれも用いるものとする。
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【課題】充放電容量が大きく、急速充放電が可能であり、且つ充放電による電池特性の劣化が少ない蓄電装置を提供する。
【解決手段】複数の柱状の突起を有する活物質を負極に有し、柱状の突起の軸に垂直な断面の形状は、十字型、Ｈ字型、Ｌ字型、Ｉ字型、Ｔ字型、Ｕ字型、Ｚ字型のような多角形状若しくは曲線を含む多角形状であることを特徴とする蓄電装置である。複数の柱状の突起を有する活物質は、グラフェンで覆われていても良い。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサ機能を有する半導体装置において、ダイナミックレンジを拡大する。
【解決手段】増幅用トランジスタと、前記増幅用トランジスタのゲートに電気的に接続された光電変換素子と、を有する半導体装置であって、１フレーム期間において、増幅用トランジスタから信号出力線へｎ（ｎは２以上の整数）個の信号を出力可能とする。画素から複数の信号の読み出しすことができるため、ダイナミックレンジが拡大できる。 （もっと読む）

【課題】水分による電気特性劣化が抑制された半導体装置および半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】トランジスタを覆う層間絶縁層に接して金属酸化物層が位置する構造とし、金属酸化物層を、アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層と、多結晶構造を有する第２の金属酸化物層を含む積層構造とする。アモルファス構造を有する第１の金属酸化物層は結晶粒界が存在せず、また、結晶状態の金属酸化物層と比較して格子間隔が広いため格子間に水分をトラップしやすい。多結晶構造を有する第２の金属酸化物層は、結晶粒界部分を除く結晶部分については緻密な構造を有しており、水分の透過性が非常に低い。このため、第１の金属酸化物層および第２の金属酸化物層を含む金属酸化物層が層間絶縁層に接する構造とすることにより、トランジスタ中への水分の侵入を効果的に防止できる。 （もっと読む）