【課題】高開口率を有し、容量の大きな保持容量を有する表示装置を提供する。
【解決手段】第１導電膜によるゲート電極と、第１導電膜上の第１絶縁層によるゲート絶縁膜と、第１絶縁層上にゲート電極と重なる第１半導体層と、第１半導体層上かつゲート電極に重なる第２絶縁層によるチャネル保護膜と、第１半導体層と重なりソース領域及びドレイン領域に分離された導電性の第２半導体層と、第２半導体層上の第２導電膜によるソース電極及びドレイン電極とを含む薄膜トランジスタと、第２導電膜上に形成された第３絶縁層と、第３絶縁層上の第３導電膜により形成され、ソース電極またはドレイン電極の一方と接続する画素電極と、第１絶縁層上の容量配線と、容量配線上の第３絶縁層を挟んで、画素電極の重畳領域に形成される保持容量とを有する表示装置及びその作製方法。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのオン特性を向上させて、半導体装置の高速応答、高速駆動を実現する際に、信頼性の高い構成を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、第１の導電層及び第２の導電層の積層によって構成されるソース電極層又はドレイン電極層、ゲート絶縁層、及びゲート電極層が順に積層されたコプレナー型のトランジスタにおいて、該ゲート電極層は、該第１の導電層と該ゲート絶縁層を介して重畳し、該第２の導電層と前記ゲート絶縁層を介して非重畳とする。 （もっと読む）

【課題】発光素子を有する表示装置の水分によるダークスポットの発生や陰極の剥離を抑える。
【解決手段】第１の基板上に、第１の電極と、第１の電極上の有機化合物層と、有機化合物層上の第２の電極と、を有する発光素子を形成し、第２の基板をサンドブラスト法により選択的に掘削し、第１の領域と、第１の領域に囲まれ前記第１の領域に対して凹状である第２の領域と、第２の領域に対し凹状である第３の領域と、を形成し、第３の領域に乾燥剤を設け、第２の基板が有する第１の領域と第１の基板とを接着材を用いて貼り合わせる。このように、第２の基板に第１の領域に対して凹状である第２の領域を形成することにより、第１の基板と貼り合わせるときに用いる接着剤層の厚みを薄くでき、封止空間への水分の浸入を防ぐことができる。それとともに、乾燥剤を設ける部分だけをさらに凹状に加工しているので、水分が浸入するおそれのある封止空間の体積自体を極力小さくすることができる。これにより、発光素子の劣化を防止することができる。 （もっと読む）

【課題】抵抗損失が少なく、変換効率が高い光電変換装置を提供する。
【解決手段】一対の電極間において、一導電型を有する結晶性シリコン基板の一方の面に、該結晶性シリコン基板と逆の導電型を有する第１のシリコン半導体層が形成され、該結晶性シリコン基板の他方の面に、該結晶性シリコン基板と同じ導電型を有する第２のシリコン半導体層が形成された光電変換装置であり、第１のシリコン半導体層および第２のシリコン半導体層は膜厚方向にキャリア濃度が異なる構成とする。 （もっと読む）

【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第１の領域と、その他の部分の第２の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるｎ型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 （もっと読む）

【課題】充放電容量が大きく、且つ充放電による電池特性の劣化が少ない蓄電装置を提供する。また、充放電容量が大きく、且つ出力特性に優れた蓄電装置を提供する。また、充放電容量が大きく、サイクル特性に優れた蓄電装置を提供する。
【解決手段】集電体と、集電体から突出する複数の突起と、該複数の突起の表面に着接された外殻からなる活物質と、外殻に着接されたグラフェンとを有し、複数の突起の軸は揃っている負極を備えている蓄電装置である。なお、集電体及び複数の突起の間には共通部を設けてもよい。 （もっと読む）

【課題】ＥＳＤの影響を効果的に抑制する保護回路を提供すること。またＥＳＤの影響が効果的に抑制された半導体装置を提供すること。
【解決手段】保護回路は、少なくとも２つの保護ダイオードを有し、当該保護ダイオードを、チャネルを形成する半導体層を挟んで対向する２つのゲートを有するトランジスタで構成する。さらに当該トランジスタのゲートの一方に、固定電位が入力される構成とすればよい。 （もっと読む）

【課題】より外光の反射を軽減できる反射防止機能を有した視認性の優れた表示装置である。
【解決手段】表示装置において、表示画面表面に複数の凸部と、凸部間を埋めるように保護層とを有する反射防止膜を具備する。外光の反射光は凸部界面が平面ではないので視認側に反射せず隣接する他の凸部に反射する。つまり表示装置に入射する外光のうち、反射防止膜に入射する回数が増加するので、反射防止膜に透過する量が増える。よって、視認側に反射する外光が軽減され、写り込みなどの視認性を低下させる原因を防ぐことができる。さらに複数の凸部間は保護層によって覆われているため、ゴミの侵入を防ぎ、反射防止膜の物理的強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】動作不良を抑制する。
【解決手段】電界効果トランジスタと、スイッチと、容量素子と、を設ける。電界効果トランジスタは、チャネル形成領域を介して互いに重畳する第１のゲート及び第２のゲートを有し、第２のゲートの電位に応じて閾値電圧の値が変化する。スイッチは、電界効果トランジスタのソース及びドレインの一方と、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと、を導通状態にするか否かを制御する機能を有する。容量素子は、電界効果トランジスタにおける第２のゲートと電界効果トランジスタにおけるソース及びドレインの他方との間の電圧を保持する機能を有する。 （もっと読む）

【課題】発光素子の劣化を極力抑えるための構造を提供すると共に、各画素に必要とされ
る容量素子（コンデンサ）を十分に確保するための構造を提供する。
【解決手段】トランジスタ上に、第１パッシベーション膜、第２の金属層、平坦化膜、バ
リア膜及び第３の金属層の順に積層され、平坦化膜に設けられた第１開口部の側面がバリ
ア膜に覆われ、第１開口部の内側に第２開口部を有し、かつ、第３の金属層は前記第１開
口部及び第２開口部を介して前記半導体に接続され、トランジスタの半導体、ゲート絶縁
膜、ゲート電極、第１パッシベーション膜及び前記第２の金属層で積層形成された容量素
子を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）