説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 (もっと読む)


【課題】シースルー機能を備えた表示装置を提供する。また、コントラストの高い表示装置を提供する。
【解決手段】少なくとも表示装置の一方の面から光を射出する複数の発光素子を有する発光領域と、表示装置の他方の面から一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子を有する領域により、いわゆるシースルー機能を備えた表示装置を得ることが出来る。他方の面から一方の面に外光の透過量を制御する複数の光学素子を有する領域において、外光の透過量を制御して、表示装置のコントラストを高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Inと、M1と、M2と、Znと、を含む酸化物材料であり、M1=13族元素、代表的にはGaであり、M2の元素は、M1の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。M2としてはTi、Zr、Hf、Ge、Snなどが挙げられる。M2を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


【課題】明るく、信頼性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】薄膜トランジスタと、薄膜トランジスタ上に設けられ、コンタクトホールを
有する絶縁膜と、コンタクトホールを埋めて設けられた導電体と、絶縁膜上に設けられ、
導電体を介して薄膜トランジスタと電気的に接続された第1の金属膜と、第1の金属膜上
に設けられた透明導電膜と、透明導電膜上に設けられたEL層と、EL層上に設けられた
第2の金属膜と、を有し、第2の金属膜を透過した光が放射される。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜の被形成面近傍に含まれる不純物を低減する。また、酸化物半導体膜の被形成面近傍の結晶性を向上させる。また、該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】シリコンを含む下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜に電気的に接続されたソース電極、及びドレイン電極と、を有し、酸化物半導体膜は、下地絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が1.0原子%以下の濃度で分布する領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 (もっと読む)


【課題】従来のDRAMでは微細化と共にデータの読み出しエラーが発生しやすくなる。
【解決手段】第1のビット線BL_1の微弱な電位の変動はNチャネル型トランジスタTNRとPチャネル型トランジスタTPRで構成される第1のインバータで反転され、第1のスイッチである第1の選択トランジスタST1を介して、第2のビット線BL_2に出力される。第2のビット線BL_2の電位は、第1のビット線BL_1の電位とは反転した電位であるため、第1のビット線BL_1と第2のビット線BL_2の電位差は拡大する。この拡大した電位差を公知のセンスアンプSA_1/2あるいは、第2のインバータ(Nチャネル型トランジスタTNLとPチャネル型トランジスタTPLで構成される)と第1のインバータで構成されるフリップフロップ回路等で増幅する。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】酸化物半導体膜上にチャネル保護膜として機能する絶縁層が設けられたボトムゲート構造のトランジスタを有する半導体装置において、酸化物半導体膜上に接して設けられる絶縁層、及び/または、ソース電極層及びドレイン電極層の形成後に不純物除去処理を行うことで、エッチングガスに含まれる元素が、酸化物半導体膜表面に不純物として残存することを防止する。酸化物半導体膜の表面における不純物濃度は、5×1018atoms/cm以下、好ましくは1×1018atoms/cm以下とする。 (もっと読む)


【課題】ブラックマトリクスとガラス基板との屈折率の差によって外光が反射する。ブラ
ックマトリクスが黒色樹脂であっても、第1の基板との屈折率に差があり、着色層でも第
1の基板との屈折率に差があるため、外光の光を僅かながら反射する。これらの反射光が
コントラストを低下させる課題がある。
【解決手段】二色性を有する偏光素子1枚を一対の基板に挟んだ構造とし、カラーフィル
タとガラス基板の間に光干渉層を設けることによって屈折率の差を緩和して光反射をより
低減することができる。 (もっと読む)


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