【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、酸化物半導体層に接して設けられた絶縁層と、を有し、酸化物半導体層は、該酸化物半導体層の端面において、ソース電極またはドレイン電極と接し、且つ該酸化物半導体層の上面において、絶縁層を介して、ソース電極またはドレイン電極と重なる半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】電極にアルミニウム等の反射性の高い材料を用いる場合であっても、接触抵抗を高めることなく、電極上に酸素を有する層を形成することができる発光装置を提供する。
【解決手段】電極にアルミニウム、銀、アルミニウムを含む合金、又は銀を含む合金等の反射性の高い導電膜を用い、導電膜上に高融点金属材料からなる導電膜を設けた積層構造からなる電極を有する赤色、緑色、及び青色の発光素子で、かつ、赤色、緑色、及び青色の各発光領域と該電極との光学的距離を特定した発光素子、又は当該発光素子を有する発光装置である。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を維持しつつ、微細化を達成した、酸化物半導体を用いた半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層と、酸化物半導体層と接するソース電極及びドレイン電極と、酸化物半導体層と重なるゲート電極と、酸化物半導体層とゲート電極との間に設けられたゲート絶縁層と、を有し、ソース電極またはドレイン電極は、第１の導電層と、第１の導電層の端面よりチャネル長方向に伸長した領域を有する第２の導電層と、を含み、第２の導電層の伸長した領域の上に、前記伸長した領域のチャネル長方向の長さより小さいチャネル長方向の長さの底面を有するサイドウォール絶縁層を有する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの遮光マスクとして金属膜を用いた従来の液晶表示パネルでは、他の配線との寄生容量が形成され信号の遅延が生じやすいという問題が生じていた。また、カラーフィルタの遮光マスクとして黒色顔料を含有した有機膜を用いた場合、製造工程が増加するという問題が生じていた。
【解決手段】本発明は、遮光マスク（ブラックマトリクス）を用いることなく、対向基板上に遮光部１５、１６として２層の着色層を積層した膜（赤色の着色層１３と青色の着色層１２との積層膜、あるいは赤色の着色層１３と緑色の着色層１１との積層膜）を素子基板のＴＦＴと重なるよう形成する。 （もっと読む）

【課題】給電装置から移動体に無線で電力を供給する際の、電力のロスを低減することができる、移動体の構造の提供を目的の一とする。また、四方に放射される電波の強度を低く抑えることができる、移動体の構造の提供を目的の一とする。
【解決手段】移動体への電力の供給を行う前に、アンテナの位置合わせを行うための電波を、給電装置から出力する。すなわち、給電装置から２段階に渡って電波を出力する。１段階目の電波の出力は、給電装置と移動体がそれぞれ有するアンテナの位置を合わせるために行う。２段階目の電波の出力は、給電装置から移動体に電力を供給するために行う。 （もっと読む）

【課題】電力が供給されない状況でも記憶内容の保持が可能で、かつ、書き込み回数にも制限が無い、新たな構造の半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】第１のトランジスタと第２のトランジスタと容量素子とを各々含む複数のメモリセルをマトリクス状に配置し、メモリセルの一と他のメモリセルとを接続する配線（ビット線とも呼ぶ）と、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、が、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極を介して電気的に接続した構成とした半導体装置を提供する。これにより、第１のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、第２のトランジスタにおけるソース電極またはドレイン電極と、を異なる配線に接続する場合と比較して配線の数を削減することができるため、半導体装置の集積度を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】配線を含めた回路の構成を簡略化しつつ部分駆動も可能な表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】画素領域のゲート信号線に対応して信号処理回路を複数段設け、該信号処理回路においてゲート信号線の電位を制御する第１トランジスタに、ゲート信号線のアクティブ状態（選択信号が出力される状態）、非アクティブ状態（選択信号が出力されない状態、又は非選択信号が出力され続ける状態）を制御する信号が入力され、次の段へのスタート信号及び前の段へのリセット信号を出力する第２トランジスタにクロック信号が入力されるように構成することで、装置の動作に必要な配線の本数を削減する。 （もっと読む）

【課題】出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、検出可能な照度範囲が広い光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換素子１０１と、前記光電変換素子に電気的に接続された増幅回路とを含む光電変換装置と、前記光電変換装置に印加するバイアスを反転させるバイアス切り替え手段１０２とを有し、前記バイアス切り替え手段１０２を用いて前記光電変換装置に印加するバイアスを反転させることで、出力電圧もしくは出力電流の範囲を広げることなく、光電変換装置の検出可能な照度範囲を広げる。 （もっと読む）

【課題】微小化されたトランジスタはゲート絶縁層の薄膜化を要求されるが、トンネル電流、つまりゲートリーク電流の増加により、ゲート絶縁層が酸化珪素膜の単層である場合はゲート絶縁層の薄膜化には物理的限界が生じつつある。
【解決手段】ゲート絶縁層に比誘電率が１０以上のｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることで、微小化したトランジスタのゲートリーク電流を低減させる。酸化物半導体層と接する第２の絶縁層よりも比誘電率が高い第１の絶縁層としてｈｉｇｈ−ｋ膜を用いることによって、酸化珪素膜で換算した場合のゲート絶縁層よりもゲート絶縁層の薄膜化ができる。 （もっと読む）

【課題】導体半導体接合を用いて、優れた特性を示す、あるいは、作製の簡単な、あるいは、より集積度の高い電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】半導体層の電子親和力よりも仕事関数の小さな導体との接合においては、導体より半導体層にキャリアが注入された領域が生じる。そのような領域を電界効果トランジスタ（ＦＥＴ）のオフセット領域、あるいは、インバータ等の半導体回路の抵抗として用いる。また、ひとつの半導体層中にこれらを設けることにより集積化した半導体装置を作製できる。 （もっと読む）