説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】作製される結晶の形状のばらつきを小さくする。
【解決手段】大気より酸素濃度の低い環境下で各原料を含む溶液を生成し、大気より酸素濃度の低い環境下で各原料を含む溶液を混合し、混合溶液を生成し、該混合溶液を用いて水熱法により複合酸化物を作製する。 (もっと読む)


【課題】寄生容量を十分に低減できる構成を備えた半導体装置を提供することを課題の一とする。また、駆動回路に用いる薄膜トランジスタの動作速度の高速化を図ることを課題の一とする。
【解決手段】酸化物絶縁層がチャネル形成領域において酸化物半導体層と接したボトムゲート構造の薄膜トランジスタにおいて、ソース電極層及びドレイン電極層がゲート電極層と重ならないように形成することにより、ソース電極層及びドレイン電極層とゲート電極層との間の距離を大きくし、寄生容量の低減を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】PCを主成分とする電解液を利用できる炭素系負極材料である。
【解決手段】グラフェンの層構造を有する炭素系負極材料は、結晶性を有し、細孔を有する。すなわち黒鉛と比較して、結晶構造に歪みが生じている。そのため、炭素系材料を構成するグラフェンの層間距離も黒鉛と比較して広がっている。このような炭素系負極材料は、PCを主成分とする電解液を用いた二次電池に利用できることが確認できた。 (もっと読む)


【課題】より容量の大きな負極活物質を提供する。また、小型化が可能な蓄電装置を提供する。
【解決手段】負極活物質として、アモルファスPAHsと、キャリアイオン吸蔵金属、Sn化合物、キャリアイオン吸蔵合金、金属化合物、Si、Sb、またはSiOのいずれか一以上と、の混合物を用いる。アモルファスPAHsの理論容量はグラファイト系炭素材料の理論容量を大きく上回る。そのためアモルファスPAHsを用いることで、グラファイト系炭素材料を用いる場合よりも前記負極活物質を大容量とすることができる。さらに、キャリアイオン吸蔵金属、Sn化合物、キャリアイオン吸蔵合金、金属化合物、Si、Sb、またはSiOのいずれか一以上をアモルファスPAHsに混合することで、アモルファスPAHsのみの場合よりも前記負極活物質の容量を増加させることができる。 (もっと読む)


【課題】設計する回路の中で電流の多く流れる信号線を容易に見つけ出すことができ、容
易にその部分の電流を測定できるスタンダードセルを提供することを課題とする。
【解決手段】電流検出用テストパッドを少なくとも2つ有するスタンダードセルを自動レ
イアウトで配置する。そして、2つのテストパッド間を接続する配線を切断することで、
該2つのテストパッドを電流測定用テストパッドとして利用する。なお、スタンダードセ
ル内の2つのテストパッド間は、過電流が流れることにより電流の流れる経路が遮断され
る配線によって接続される構成としてもよい。また、2つのテストパッド間をつなぐ配線
部にメモリ又はアナログスイッチを設ける構成としてもよい。 (もっと読む)


【課題】液晶の配向不良を抑制するために画素電極を平坦化し、開口率を下げずに十分な
容量を得られる容量素子を有する半導体装置を実現することを課題とする。
【解決手段】薄膜トランジスタ上の遮光膜、前記遮光膜上の容量絶縁膜、前記容量絶縁膜
上に導電層、前記導電層と電気的に接続するように画素電極を有する半導体装置であり、
前記遮光膜、前記容量絶縁膜および前記導電層から保持容量素子を形成することにより、
容量素子として機能する領域の面積を増やすことができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性がよく小型化が可能な蓄電装置の電極を提供する。また、当該電極を搭載した蓄電装置を提供する。
【解決手段】集電体上に、ウィスカーを有する活物質層の内部応力を緩和する緩和層を設ける。緩和層を設けることにより集電体の変形を抑制し、蓄電装置の生産性を高めることができる。また、蓄電装置の小型化を可能とし、信頼性を高めることができる。また、ウィスカーを有する活物質層を被覆するようにグラフェンを形成してもよい。 (もっと読む)


【課題】発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供する。また、駆動電圧が低い発光素子、発光効率が高い発光素子、長寿命な発光素子を各々提供する。
【解決手段】ジベンゾ[f,h]キノキサリン環に、一つの芳香族炭化水素基が結合しており、当該芳香族炭化水素基に二つの正孔輸送骨格がさらに結合した化合物を含む発光素子を提供する。また、下記一般式(G1)で表される複素環化合物を提供する。


但し、式中A及びAはそれぞれ独立に、置換又は無置換のカルバゾール骨格、置換又は無置換のジベンゾフラン骨格及び置換又は無置換のジベンゾチオフェン骨格のいずれかを表す。また、Bは置換又は無置換のジベンゾ[f,h]キノキサリン骨格を表す。また、Arは炭素数6乃至炭素数13のアレーン骨格を表す。 (もっと読む)


【課題】発光素子において、発光層の発光物質を分散させるホスト材料として用いることのできる新規複素環化合物を提供する。
【解決手段】一般式(G1)で表される複素環化合物を提供する。R〜R10は、いずれか一が一般式(G1−1)で表される置換基を表し、他のいずれか一が一般式(G1−2)で表される置換基を表し、その他はそれぞれ独立に、水素、炭素数1〜6のアルキル基、置換もしくは無置換のフェニル基、又は置換もしくは無置換のビフェニル基を表す。また、α及びαは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のフェニレン基、又は置換もしくは無置換のビフェニルジイル基を表し、A及びAは、それぞれ独立に、置換もしくは無置換のカルバゾリル基、置換もしくは無置換のジベンゾチオフェニル基、又は置換もしくは無置換のジベンゾフラニル基を表す。
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【課題】液晶等の電気光学素子若しくは発光素子等を表示媒体として用いる表示装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】劣化しやすいトランジスタのゲート電極に、オンしたトランジスタを介して信号を入力することで、劣化しやすいトランジスタのしきい値電圧のシフト及びオンしたトランジスタのしきい値電圧のシフトを抑制する。すなわち、高電位(VDD)がゲート電極に印加されているトランジスタを介して(若しくは抵抗成分を持つ素子を介して)、交流パルスを劣化しやすいトランジスタのゲート電極に加える構成を含んでいる。 (もっと読む)


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