説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】被撮像物が厚い書籍であっても綴じ部近辺の像が歪まない小型の撮像装置を提供する。特に、薄い撮像装置を提供する。さらには、小型化により撮像装置の可搬性を向上させる。
【解決手段】撮像面が両面に配された撮像装置を提供する。好ましくは、発光素子及び受光素子などの撮像装置を構成する素子は、すべて一の基板上に配する。換言すると、第1の撮像面と、前記第1の撮像面の逆を向いた第2の撮像面と、を有する撮像装置である。 (もっと読む)


【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】薄膜電池において、耐熱性を有する合金からなる集電体を用いて、充放電特性の優れたリチウム二次電池を提供する。
【解決手段】ステンレス鋼をはじめとする合金鋼を集電体に用い、該集電体に接して、リン酸鉄リチウムをはじめとする、鉄とリチウムを有する正極活物質を設けると、正極活物質が酸化鉄(Fe)等の電池反応に寄与しない物質に変化する場合がある。電池反応に寄与しない物質が増加するほど、充放電特性は低下する。そこで、集電体と正極活物質の間に中間層を設けることとする。中間層としては、代表的にはタンタルを用いる。このような構成とすることで、正極活物質が酸化鉄等に変化することを抑制することができる。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置、及び該半導体装置の作製方法を提供する。半導体装置を歩留まりよく作製し、高生産化を達成する。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程により、ソース電極層及びドレイン電極層を形成後、酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の不純物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】容量素子の容量を低減し、また、集積度の高い半導体メモリ装置を提供する。
【解決手段】1つのビット線BL_mに複数個のメモリブロックを接続させる。メモリブロックMB_n_mはサブビット線SBL_n_mと書き込みスイッチと複数のメモリセルを有する。サブビット線SBL_n_mと隣接するサブビット線SBL_n+1_mは2つのインバータと2つの選択スイッチよりなる増幅回路AMP_n/n+1_mに接続し、増幅回路は選択スイッチによりその回路構成を変更できる。また、増幅回路は読み出しスイッチを介してビット線BL_mに接続する。サブビット線SBL_n_mの容量は十分に小さいため、各メモリセルの容量素子の電荷による電位変動を増幅回路AMP_n/n+1_mでエラーなく増幅でき、ビット線BL_mに出力できる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを有する信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板上に設けられたボトムゲート構造のスタガ型トランジスタを有する半導体装置において、ゲート電極層上に組成を異なる第1のゲート絶縁膜及び第2のゲート絶縁膜が順に積層されたゲート絶縁膜を設ける。又は、ボトムゲート構造のスタガ型トランジスタにおいて、ガラス基板とゲート電極層との間に保護絶縁膜を設ける。第1のゲート絶縁膜と第2のゲート絶縁膜との界面、又はゲート電極層とゲート絶縁膜との界面における、ガラス基板中に含まれる金属元素の濃度を、5×1018atoms/cm以下(好ましくは1×1018atoms/cm以下)とする。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】第1の絶縁膜を形成し、第1の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極
、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し
、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が
除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供
給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜
上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である
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【課題】酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図ることのできる液晶表示装置を提供することを課題の一とする。
【解決手段】画素は、トランジスタと、走査線として機能することができる第1の配線と、信号線として機能することができる第2の配線と、画素電極とを有し、画素は、当該第1の配線と同時に形成された容量線を有さない液晶表示装置である。 (もっと読む)


【課題】絶縁表面に形成される酸化物半導体膜は、下地界面近傍に非晶質領域が残存してしまい、これがトランジスタなどの特性に影響を与える要因の一つと考えられている。
【解決手段】酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜を形成する材料の融点を、酸化物半導体を構成する材料の融点よりも高くする。これにより、酸化物半導体膜に接する下地面又は酸化物半導体膜に接する膜との界面近傍まで結晶領域が存在することを可能とする。当該材料として絶縁性の金属酸化物を用いる。金属酸化物として、酸化物半導体膜を構成する材料と同族の材料である酸化アルミニウム、酸化ガリウムなどを用いる。 (もっと読む)


【課題】トランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好適な材料を提供する。
【解決手段】Inと、M1と、M2と、Znと、を含む酸化物材料であり、M1=13族元素、代表的にはGaであり、M2の元素は、M1の元素よりも含有量が少ない材料を提供する。M2としてはTi、Zr、Hf、Ge、Snなどが挙げられる。M2を含ませることで、酸化物半導体材料における酸素欠損の発生を抑制することができる。酸素欠損がほとんど存在しないトランジスタを実現できれば、半導体装置の信頼性を向上させることができる。 (もっと読む)


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