説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】アルカリ金属又はアルカリ土類金属を含む材料の薄膜を成膜する際において、生産性を低下させず且つ安全にメンテナンスを行うことができる成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】処理室と、処理室内を真空にする真空排気手段と、処理室内に設けられ、成膜材料を放出するための手段と、成膜材料を放出するための手段に対向して設けられた基板支持手段と、一方の面が処理室の内壁と対向し、且つ熱伝導性を有する領域であり、他方の面が熱伝導性を有する領域に接して設けられた酸化物を含む領域である、防着板と、を備えている成膜装置である。そして、当該成膜装置を用いた成膜方法である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜のソース領域およびドレイン領域の導電率を高めることで、高いオン特性を有する酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】第1の領域および第2の領域を有し、少なくともインジウム(In)を含む酸化物半導体膜と、少なくとも酸化物半導体膜の第1の領域と重畳して設けられたゲート電極と、酸化物半導体膜およびゲート電極の間に設けられたゲート絶縁膜と、少なくとも一部が酸化物半導体膜の第2の領域と接して設けられた電極と、を有し、酸化物半導体膜は、酸化物半導体膜と電極との界面近傍のInの濃度が高く、界面から15nmの範囲で遠ざかるに従いInの濃度が低くなる。なお、酸化物半導体膜の第1の領域はトランジスタのチャネル領域として機能し、第2の領域はトランジスタのソース領域、ドレイン領域として機能する。 (もっと読む)


【課題】水分や酸素などの不純物、外力による信頼性の低下を抑制しつつ、さらに熱による信頼性の低下も抑制できる、有機EL素子を用いた発光装置を提供する。
【解決手段】支持基板、金属基板、及び封止材に囲まれた空間内に、発光素子を含む発光部を備え、封止材は、発光部の外周を囲むように設けられ、発光素子は、第1の電極と、発光性の有機化合物を含む層と、第2の電極とを備え、支持基板及び第1の電極は、発光性の有機化合物が発する光に対して透光性を有し、空間は、発光素子に対して不活性である気体で充填されている、又は、真空であり、第2の電極上に、第2の電極よりも放射率が高く、第2の電極と熱的に接続する第1の高放射層を有し、金属基板の支持基板と対向する面に、金属基板よりも反射率が低い低反射層を有する発光装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】微細化されたトランジスタのオン特性を向上させる。微細化されたトランジスタを歩留まりよく作製する。
【解決手段】一対の低抵抗領域及び該低抵抗領域に挟まれるチャネル形成領域を含む酸化物半導体層と、ゲート絶縁層を介してチャネル形成領域と重畳する第1のゲート電極層と、第1のゲート電極層のチャネル長方向の側面及びゲート絶縁層の上面と接し、一対の低抵抗領域と重畳する一対の第2のゲート電極層と、第2のゲート電極層上の、側端部を第2のゲート電極層の側端部と重畳する一対の側壁絶縁層と、を有する半導体装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜と金属膜との接触抵抗を低減させ、オン特性の優れた酸化物半導体膜を用いたトランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁表面上の一対の電極と、一対の電極と接して設けられる酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介して酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、を有し、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含む半導体装置とする。さらに、一対の電極において、酸化物半導体膜と接する領域にハロゲン元素を含ませる方法として、フッ素を含む雰囲気におけるプラズマ処理を用いることができる。 (もっと読む)


【課題】劣化を抑制しつつ、金属酸化物を蒸発または昇華することが可能な蒸発源を提供する。また、高温で蒸着が可能な蒸着装置を提供する。
【解決手段】筒状セル112、及び筒状セルの蓋として機能し、且つ貫通口が設けられ且つ筒状セルの外側に突出する突起部を有する第1の蓋体114で構成される坩堝111と、坩堝の外周部に設けられた発熱部104と、発熱部と接するように配設され、第1の蓋体を覆うと共に、第1の蓋体の突出部の少なくとも一部を貫通させる貫通口を有する第2の蓋体106と、を有する蒸発源である。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上を覆うように酸化物半導体層を成膜した後、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を研磨により除去する。ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。寿命の長い発光素子を提
供することを課題とする。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に、発光層と第1の層と第2の層を有し、
第1の層は、発光層と第1の電極との間に設けられており、第2の層は、発光層と第2の
電極との間に設けられており、第1の層は正孔の輸送を制御する層であり、第2の層は電
子の輸送を制御する層であり、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように
、第1の電極と第2の電極とに電圧を印加することにより、発光層からの発光が得られる
発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


【課題】光の取り出し効率と共に信頼性が改善された発光モジュールを提供する。また、光の取り出し効率と共に信頼性が改善された発光モジュールの作製方法を提供する。
【解決手段】ガスバリア性を備える素子基板を用いるものであり、当該素子基板の一方の表面の側には発光素子が光学的に接続され、他方の表面の側には拡散反射層が接する構成を有する。なお、当該拡散反射層は拡散反射率が75%以上100%未満である。また、当該発光素子は一対の透光性を有する電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備えるものである。そして、当該素子基板は発光素子が発する光を透過し、その屈折率は発光性の有機化合物を含む層との屈折率の差が0.2以下であって、且つその形成温度が当該発光素子の形成温度または拡散反射層の形成温度のいずれよりも高いものである。 (もっと読む)


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