説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】発光層の劣化や温度変化に左右されずに一定の輝度を得ることができる発光装置を提供する。
【解決手段】第1のトランジスタと、第2のトランジスタと、第3のトランジスタと、発光素子と、電源線とを有する発光装置であって、前記第1のトランジスタと前記第2のトランジスタは、共にソースが前記電源線に接続されており、前記第1のトランジスタのゲートは、前記第2のトランジスタのゲート及びドレインと接続されており、前記第3のトランジスタのソースは前記第2のトランジスタのドレインに接続され、前記ドレインは前
記発光素子が有する画素電極に接続されており、前記第1、第2及び第3のトランジスタは飽和領域で動作しており、1フレーム期間内に、前記第1のトランジスタのドレインと、前記第3のトランジスタのゲートが接続されている期間が設けられている発光装置である。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタでは、酸化物半導体膜への水素原子の混入が信頼性に悪影響を与える。製造後の半導体装置に混入しうる、水素原子を有する物質として代表的なものは、水である。そこで酸化物半導体を用いた半導体装置に混入する、水素原子を有する物質、特に水を低減することとする。
【解決手段】高密度な酸化窒化シリコン膜は水を含む雰囲気下であっても水の侵入を防ぐ効果が高く、膨潤が少ないことが明らかとなった。そこで高密度な酸化窒化シリコン膜を保護膜として設け、酸化物半導体を用いた半導体装置への水の侵入を防ぐ。具体的には、密度が2.32g/cm以上、またはプレッシャークッカー試験前後において膨潤率が4体積%以下、またはフーリエ変換型赤外分光法によるスペクトルのピーク(極大吸収波数)が1056cm−1以上に現れる、酸化窒化シリコン膜を保護膜として用いる。 (もっと読む)


【課題】安定した電気特性を有する薄膜トランジスタを有する、信頼性のよい半導体装置
を作製し、提供することを課題の一とする。
【解決手段】チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体膜とする薄膜トランジスタ
を有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体膜の純度を高め、不純物である水
分などを低減する加熱処理(脱水化または脱水素化のための加熱処理)を行う。また、酸
化物半導体膜中だけでなく、ゲート絶縁層内に存在する水分などの不純物を低減し、上下
に接して設けられる膜と酸化物半導体膜の界面に存在する水分などの不純物を低減する。 (もっと読む)


【課題】画素部に形成される画素電極や走査線(ゲート線)及びデータ線の配置を適したものとして、かつ、マスク数及び工程数を増加させることなく高い開口率を実現した画素構造を有するアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】半導体膜107と基板との間に第1の絶縁膜を介して設けられた第1の配線102を、半導体膜107と重ねて設け、遮光膜として用いる。さらに半導体膜上にゲート絶縁膜として用いる第2の絶縁膜を形成し、第2の絶縁膜上にゲート電極と第2の配線134を形成する。第1及び第2の配線は、第1及び第2の絶縁膜を介して交差する。第2の配線134の上層には、層間絶縁膜として第3の絶縁膜を形成し、その上に画素電極147を形成する。画素電極147は、第1の配線及び第2の配線とオーバーラップさせて形成することが可能であり、反射型の表示装置において画素電極147の面積を大型化できる。 (もっと読む)


【課題】水分や酸素やアルカリ金属やアルカリ土類金属などの不純物の拡散による劣化を
抑えることが可能な発光装置、具体的には、プラスチック基板上に形成されたOLEDを
有するフレキシブルな発光装置の提供を課題とする。
【解決手段】プラスチック基板上に、酸素や水分がOLEDの有機発光層に入り込むのを
防ぎ、且つアルカリ金属およびアルカリ土類金属などの不純物がTFTの活性層に入り込
むのを防ぐことの可能なAlNXYで示される層からなるバリア膜を2層以上設けて、さ
らに該2層のバリア膜の間に樹脂を含む応力緩和膜を設ける。 (もっと読む)


【課題】信頼性の高い半導体装置を提供する。該半導体装置を作製する。半導体装置を歩留まりよく作製し、生産性を向上させる。
【解決手段】ゲート電極層、ゲート絶縁膜、酸化物半導体膜が順に積層され、酸化物半導体膜に接するソース電極層及びドレイン電極層が設けられたトランジスタを有する半導体装置において、エッチング工程によりゲート電極層、又はソース電極層及びドレイン電極層を形成後、ゲート電極層又は酸化物半導体膜表面及び該近傍に存在するエッチング工程起因の残留物を除去する工程を行う。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高い発光素子、色再現性に優れ消費電力の低減された発光装置、等に有用な、短波長の発光が可能な新規なスチルベン誘導体を提供する。
【解決手段】下式(G11)で示されるスチルベン誘導体。


[式中、R10〜R12のうち、少なくとも1つはtert−ブチル基で、残りは水素原子であり、R13〜R15のうち、少なくとも1つはtert−ブチル基で、残りは水素原子であり、Ar〜Arは、それぞれ、炭素数6〜25のアリール基を表す。] (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】ソース電極層及びドレイン電極層上を覆うように酸化物半導体層を成膜した後、ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を研磨により除去する。ソース電極層及びドレイン電極層と重畳する領域の酸化物半導体層を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】発光効率の高い発光素子を提供することを課題とする。寿命の長い発光素子を提
供することを課題とする。
【解決手段】第1の電極と第2の電極との間に、発光層と第1の層と第2の層を有し、
第1の層は、発光層と第1の電極との間に設けられており、第2の層は、発光層と第2の
電極との間に設けられており、第1の層は正孔の輸送を制御する層であり、第2の層は電
子の輸送を制御する層であり、第1の電極の方が第2の電極よりも電位が高くなるように
、第1の電極と第2の電極とに電圧を印加することにより、発光層からの発光が得られる
発光素子を提供する。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いたトランジスタを具備する画素において、開口率の向上を図る。
【解決手段】酸化物半導体を用いたトランジスタ881は、リーク電流が小さいため、画素880内の容量素子を設ける必要がなくなる。または容量素子を小さくすることができ、たとえば液晶容量よりも小さくすることができる。これらによって、画素880の開口率を向上することができる。前記トランジスタのチャネル形成領域は、酸化物半導体を有し、前記容量素子の容量は、前記液晶素子の容量よりも小さい。 (もっと読む)


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