説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】 軽量、薄型、小型である密着型エリアセンサを提供する。
【解決手段】 エリアセンサが有する画素は、光源としてのEL素子と、光電変換素子としてのフォトダイオードとをそれぞれ有しており、EL素子とフォトダイオードの動作をTFTで制御していることを特徴とする密着型エリアセンサ。 (もっと読む)


【課題】 IPS方式の液晶表示装置において、TFTを作製する工程数を削減して製造コストの低減および歩留まりの向上を実現する。
【解決手段】 本発明では、チャネル・エッチ型のボトムゲートTFT構造を採用し、ソース領域119及びドレイン領域120のパターニングとソース配線121及び画素電極122のパターニングを同じフォトマスクで行うことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 画質の均質性の高い発光装置を提供する。
【解決手段】 発光素子102の形成された基板(第1の基板)101に向かい合ってプリント配線板(第2の基板)107が設けられる。プリント配線板107上のPWB側配線(第2の配線群)110は異方導電性フィルム105a、105bにより素子側配線(第1の配線群)103、104と電気的に接続される。このとき、PWB側配線110として低抵抗な銅箔を用いるため、素子側配線103、104の電圧降下や信号遅延を低減することができ、画質の均質性の向上及び駆動回路部の動作速度の向上が図れる。 (もっと読む)


【課題】 鮮明な多階調カラー表示の可能なEL表示装置及びそれを具備する電気器具を提供する。
【解決手段】 画素104に設けられたEL素子109の発光、非発光を時間で制御する時分割駆動方式により階調表示を行い、電流制御用TFT108の特性バラツキによる影響を防ぐ。 (もっと読む)


【課題】 粒子状スペーサを用いず、使用する液晶の特性や駆動方法に応じて自由な範囲で設計された厚みを精度よく有する、高品質な液晶パネルおよびその作製方法を提供する。
【解決手段】基板間隔を一定に保つためのスペーサの形状を、柱状で曲率半径R=2μm以下、高さH=0.5μm〜10μm、径20μm以下、角度α=65〜115°とする。こうすることにより、開口率の低下防止、配向乱れによる光漏れの低減をすることができる。 (もっと読む)


【課題】 高速性に優れまた高集積化の可能な半導体装置を作製する。
【解決手段】 半導体装置の作製方法であって、半導体上に選択的に一導電型を付与する不純物を含む膜41、42を形成し、一導電型を付与する不純物を含む膜41、42を通して半導体にレーザー光を照射して不純物領域を形成することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 磁気記録媒体の磁性層の保護と磁気特性の向上を目的とする。
【解決手段】 磁性層の保護と磁気特性の向上のため、磁性層の上にDLCのを設けた。磁気記録媒体上に摩擦係数の小さなDLCを形成し、媒体表面の中心線平均粗さを30nm以下と出来たため磁気特性を向上させ得た。 (もっと読む)


【課題】 電気光学装置に用いるインバータ回路に関する。
【解決手段】 インバータのNチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のN型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられ、かつ前記N型の不純物の少なくとも1つと重なっているゲイト電極とを有する。またインバータ回路のPチャネル型薄膜トランジスタは、チャネル領域と、複数のP型の不純物領域が設けられた半導体層と、前記半導体層上に設けられたゲイト絶縁膜と、前記ゲイト絶縁膜上に設けられたゲイト電極と、を有する。 (もっと読む)



【課題】 珪素の結晶化を助長する触媒を効率的の除去または低減するための技術を提供する。
【解決手段】 珪素を含む非晶質膜103の上に開口部105を有した絶縁膜104を形成する。この開口部105から触媒元素が導入されて非晶質膜103の結晶化が行われる。結晶化後、再び絶縁膜104をマスクとして15族から選ばれた元素を導入し、リン添加領域110を形成する。ここが触媒元素のゲッタリングサイトとなるため、触媒元素が除去または低減された横成長領域111が得られる。 (もっと読む)


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