【課題】より外光の反射を軽減できる反射防止機能を有した視認性の優れた表示装置である。
【解決手段】表示装置において、表示画面表面に複数の凸部と、凸部間を埋めるように保護層とを有する反射防止膜を具備する。複数の凸部は、平坦な上面を有する。外光の反射光は、視認側に反射せず隣接する他の凸部に反射する。つまり表示装置に入射する外光のうち、反射防止膜に入射する回数が増加し、視認側に反射する外光が軽減され、写り込みなどの視認性を低下させる原因を防ぐことができる。さらに複数の凸部間は保護層によって覆われているため、ゴミの侵入を防ぎ、反射防止膜の物理的強度を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜に含まれる不純物元素濃度を低減する。また、ゲート絶縁膜近傍の酸化物半導体膜の結晶性を向上させる。また、当該酸化物半導体膜を用いることにより、安定した電気特性を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜と、下地絶縁膜上に形成された酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上に形成されたソース電極、及びドレイン電極と、酸化物半導体膜、ソース電極、及びドレイン電極上に形成されたシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜と接し、少なくとも前記酸化物半導体膜と重畳する領域に設けられたゲート電極と、を有し、酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコン濃度が１．０原子％以下の濃度である領域を有し、少なくとも領域内に、結晶部を含む半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】有機ＥＬ用発光材料として良好な、新規フルオレン誘導体の提供。
【解決手段】下式（Ｇ１）で表されるフルオレン誘導体。


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^８は、Ｈ、Ｃ１〜６のアルキル基、フェニル基、ビフェニル基いずれかを表す。α^１〜α^４は、フェニレン基を表す。） （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体層と電気的に接続するソース電極層及びドレイン電極層を、酸化物半導体層上のゲート絶縁層及び絶縁層の開口を埋め込むように設ける。ソース電極層を設けるための開口とドレイン電極層を設けるための開口は、それぞれ別のマスクを用いた別のエッチング処理によって形成される。これにより、ソース電極層（またはドレイン電極層）と酸化物半導体層が接する領域と、ゲート電極層との距離を十分に縮小することができる。また、ソース電極層またはドレイン電極層は、開口を埋め込むように絶縁層上に導電膜を形成し、絶縁層上の導電膜を化学的機械研磨処理によって除去することで形成される。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体の分野は近年注目されはじめた分野である。そのため、酸化物半導
体層を用いたトランジスタの電気特性と、酸化物半導体層の物性値と、の相関関係が未だ
明らかになっていない。よって、酸化物半導体層の物性値を調整することによって、トラ
ンジスタの電気特性を向上させることを第１の課題とする。
【解決手段】少なくとも、ゲート電極と、酸化物半導体層と、前記ゲート電極と前記酸化
物半導体層との間に挟まれたゲート絶縁層と、を有し、前記酸化物半導体層は、比誘電率
が１３以上（又は１４以上）である半導体装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】抵抗負荷型インバータを用いて画素の点灯又は非点灯を制御すると、抵抗負荷型
インバータを構成するトランジスタの特性のバラツキにともなって、画素毎の発光にばら
つきが生じる。
【解決手段】画素内のインバータとしてＮチャネル型トランジスタとＰチャネル型トラン
ジスタを用いてＣＭＯＳインバータを適用する。ＣＭＯＳインバータを構成するトランジ
スタの特性がばらつき、インバータ伝達特性がばらついても、画素の点灯又は非点灯の制
御に影響を与えることがなくなり、画素毎の発光のばらつきを無くすことができる。また
、インバータの片方の電源電位として走査線の信号電位を用いることにより画素の開口率
を高くすることができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性の低い材料が設けられた基板にも適用可能な、組成物の加熱方法を提供する。また、クラックの発生が抑制された、ガラスパターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された組成物に対してレーザ光を照射して、局所的に加熱して焼成する。組成物の中央部と外側部とで照射される期間に差が生じないように、レーザ光を走査すればよい。より具体的には、組成物と重畳するビームスポットの、走査方向の幅が略一定であるようなレーザ光を用いて走査すればよい。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置において、オン電流の低下を抑制する。
【解決手段】半導体装置を、半導体層として機能する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜上のシリコン酸化物を含むゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上の少なくとも酸化物半導体膜と重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜と電気的に接続するソース電極およびドレイン電極を有し、少なくともゲート電極と重畳する酸化物半導体膜は、ゲート絶縁膜との界面から酸化物半導体膜に向けてシリコンの濃度が１．１原子％以下の濃度で分布する領域を有する構造とする。 （もっと読む）

【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを歩留まりよく提供する。該トランジスタを含む半導体装置においても、高性能化、高信頼性化、及び高生産化を達成する。
【解決手段】酸化物半導体膜、ゲート絶縁膜、及び側面に側壁絶縁層が設けられたゲート電極層が順に積層されたトランジスタを有する半導体装置において、ソース電極層及びドレイン電極層は、酸化物半導体膜及び側壁絶縁層に接して設けられる。該半導体装置の作製工程において、酸化物半導体膜、側壁絶縁層、及びゲート電極層上を覆うように導電膜及び層間絶縁膜を積層し、化学的機械研磨法によりゲート電極層上の層間絶縁膜及び導電膜を除去してソース電極層及びドレイン電極層を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の一態様は、スパッタ法でトランジスタ、ダイオード等の半導体用途に好
適な材料を提供することを課題の一とする。
【解決手段】下地部材上に、第１の酸化物部材を形成し、第１の加熱処理を行って表面か
ら内部に向かって結晶成長し、下地部材に少なくとも一部接する第１の酸化物結晶部材を
形成し、第１の酸化物結晶部材上に第２の酸化物部材を形成し、第２の加熱処理を行って
第１の酸化物結晶部材を種として結晶成長させて第２の酸化物結晶部材を設ける積層酸化
物材料の作製方法である。 （もっと読む）