説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

51 - 60 / 5,264


【課題】新規なアントラセン誘導体の提供、並びに、色純度の良い青色発光が得られる新規材料およびこれを用いた発光素子、発光装置、並びに電子機器の提供。
【解決手段】アントラセンの9位にのみカルバゾール誘導体官能基を結合した新規なアントラセン誘導体を用いることにより、発光効率の高いエレクトロルミネセンスを利用した発光素子を得ることができる。また当該アントラセン誘導体を用いることにより、色純度の高い青色の発光素子を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】光の取り出し効率と共に信頼性が改善された発光モジュールを提供する。また、光の取り出し効率と共に信頼性が改善された発光モジュールの作製方法を提供する。
【解決手段】ガスバリア性を備える素子基板を用いるものであり、当該素子基板の一方の表面の側には発光素子が光学的に接続され、他方の表面の側には拡散反射層が接する構成を有する。なお、当該拡散反射層は拡散反射率が75%以上100%未満である。また、当該発光素子は一対の透光性を有する電極の間に発光性の有機化合物を含む層を備えるものである。そして、当該素子基板は発光素子が発する光を透過し、その屈折率は発光性の有機化合物を含む層との屈折率の差が0.2以下であって、且つその形成温度が当該発光素子の形成温度または拡散反射層の形成温度のいずれよりも高いものである。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、及びチャネル保護層を覆うようにソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜を形成した後、酸化物半導体層、及びチャネル保護層と重畳する領域の導電膜を化学的機械研磨処理により除去する。ソース電極層、及びドレイン電極層となる導電膜の一部を除去する工程において、レジストマスクを用いたエッチング工程を用いないため、精密な加工を正確に行うことができる。また、チャネル保護層を有することにより、導電膜の化学的機械研磨処理時に当該酸化物半導体層に与える損傷、または膜減りを低減できる。 (もっと読む)


【課題】量産性の高い新たな半導体材料を用いた大電力向けの半導体装置の作製方法を提供する。
【解決手段】GRTA装置を用いて、第1の酸化物半導体膜に熱を加え、熱が加えられた第1の酸化物半導体膜に、酸素を添加して第2の酸化物半導体膜とし、GRTA装置を用いて、酸素が添加された第2の酸化物半導体膜に熱を加える。GRTA装置は、高温のガスを用いて加熱処理を行う装置であって、当該GRTA装置を用いると短時間での高温加熱処理が可能となる。 (もっと読む)


【課題】表示むらを抑制すること、又は異なる画素におけるトランジスタ特性のばらつきを低減すること、あるいは、発光素子の劣化等に伴う輝度の低下を抑制する事が可能な発光装置を提供する。
【解決手段】基板100の上に設けられたトランジスタ121と、発光素子109とを具備する画素部120を有し、トランジスタは、チャネル形成領域を形成する単結晶半導体層122を有し、基板と単結晶半導体層との間に、酸化シリコン層が設けられており、トランジスタのソース又はドレインと発光素子の電極とが電気的に接続され、発光素子の発光時にトランジスタを飽和領域で動作させる。また、発光素子の階調表示を、トランジスタのゲートに印加する電位を変化させることによって行う。 (もっと読む)


【課題】半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減する。
【解決手段】積層配置されるメモリセルアレイ(例えば、酸化物半導体材料を用いて構成されているトランジスタを含むメモリセルアレイ)と周辺回路(例えば、半導体基板を用いて構成されているトランジスタを含む周辺回路)の間に遮蔽層を配置する。これにより、当該メモリセルアレイと当該周辺回路の間に生じる放射ノイズを遮蔽することが可能となる。よって、半導体記憶装置において誤動作が生じる蓋然性を低減することが可能となる。 (もっと読む)


【課題】クラックの発生が抑制された封止体の作製方法を提供すること。
【解決手段】ガラス層の中央部と外側部とで照射される期間に差が生じず、且つ溶融後のガラス層の固化が進む向きが略平行になるようにレーザ光を走査すればよい。より具体的には、ビームスポットのガラス層と重畳する領域において、走査方向の幅が略一定となるような、ビームスポット形状を有するレーザ光を用いて走査すればよい。また、ガラス層に照射するレーザ光として、長軸と、長軸と直交する短軸を有する線状のビームスポット形状を有するレーザ光(線状レーザ)を用いる。 (もっと読む)


【課題】微細な構造のトランジスタを歩留まりよく提供する。また、該トランジスタのオン特性を向上させ、高速応答、高速駆動が可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】酸化物半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極層、絶縁層、導電膜、層間絶縁層が順に積層され、該導電膜を切削することにより、該ゲート電極層及び該絶縁層上の導電膜を除去して、自己整合的に形成されるソース電極層及びドレイン電極層を有し、ソース電極層及びドレイン電極層と接する領域と重畳して酸化物半導体層と接する電極層を設ける。 (もっと読む)


【課題】閾値電圧が制御され、動作速度が速く、製造工程が比較的簡単であり、十分な信頼性を有する、酸化物半導体を用いた薄膜トランジスタ、及び薄膜トランジスタの作製方法を提供することを課題の一つとする。
【解決手段】酸化物半導体層に含まれるキャリア濃度に影響する不純物、例えば、水素原子や、HOなど水素原子を含む化合物を排除すればよい。酸化物半導体層に接して未結合手に代表される欠陥を多く含む酸化物絶縁層を形成し、当該酸化物絶縁層に不純物を拡散させ、上記酸化物半導体層中の不純物濃度を低減すればよい。また、酸化物半導体層、又は酸化物半導体層に接する酸化物絶縁層を、クライオポンプを用いて排気して不純物濃度が低減された成膜室内で成膜すればよい。 (もっと読む)


【課題】液晶表示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制すること。また、
温度などの外部因子による表示の劣化を抑制すること。
【解決手段】各画素に設けられるトランジスタとして、チャネル形成領域が酸化物半導体
層によって構成されるトランジスタを適用する。なお、当該酸化物半導体層を高純度化す
ることで、当該トランジスタの室温におけるオフ電流値を10aA/μm以下且つ85℃
におけるオフ電流値を100aA/μm以下とすることが可能である。そのため、液晶表
示装置の消費電力を低減すること及び表示の劣化を抑制することが可能になる。また、上
述したように当該トランジスタは、85℃という高温においてもオフ電流値を100aA
/μm以下とすることが可能である。そのため、温度などの外部因子による液晶表示装置
の表示の劣化を抑制することができる。 (もっと読む)


51 - 60 / 5,264