説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】抵抗負荷型インバータを用いて画素の点灯又は非点灯を制御すると、抵抗負荷型
インバータを構成するトランジスタの特性のバラツキにともなって、画素毎の発光にばら
つきが生じる。
【解決手段】画素内のインバータとしてNチャネル型トランジスタとPチャネル型トラン
ジスタを用いてCMOSインバータを適用する。CMOSインバータを構成するトランジ
スタの特性がばらつき、インバータ伝達特性がばらついても、画素の点灯又は非点灯の制
御に影響を与えることがなくなり、画素毎の発光のばらつきを無くすことができる。また
、インバータの片方の電源電位として走査線の信号電位を用いることにより画素の開口率
を高くすることができる。 (もっと読む)


【課題】発光素子の長寿命化と発光効率の向上を達成することが可能な新規物質を提供する。
【解決手段】一般式(G1)で表される構造を有するカルバゾール化合物を提供する。なお、一般式(G1)における置換基(R、R、Ar及びα)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位が深く、LUMO準位が浅い置換基をいずれも用いるものとする。また、一般式(G1)における置換基(R、R、Ar、及びα)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップ(Bg)が広く、T1準位が高い置換基をいずれも用いるものとする。
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【課題】駆動回路の低駆動電圧化に対応し、入力信号の電圧振幅が小さい場合にも十分な
振幅変換能力を有するレベルシフタを提供する。
【解決手段】信号の電圧振幅の変換部分に、カレントミラー回路150および差動回路1
60を利用したレベルシフタを用いる。トランジスタ105、106を介して差動回路1
60に入力された信号の電位差を増幅して出力するため、入力信号の電圧振幅が小さい場
合にも、トランジスタのしきい値の影響を受けることなく、正常な電圧振幅の変換を可能
とする。 (もっと読む)


【課題】電気特性を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】結晶性シリコン基板100の一方の面において、第1のシリコン半導体層110および第2のシリコン半導体層120の積層で窓層が形成された光電変換装置であり、第2のシリコン半導体層120は第1のシリコン半導体層110よりもキャリア濃度が高く、かつ開口部を有する構成とする。該開口部においては、第2のシリコン半導体層120を介さずに第1のシリコン半導体層110に光が照射されるため、窓層における光吸収損失を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体の組成若しくは欠陥制御をすることを目的の一とし、また、薄膜ト
ランジスタの電界効果移動度を高め、オフ電流を抑えつつ十分なオンオフ比を得ることを
他の目的の一とする。
【解決手段】InMO(ZnO)(M=Ga、Fe、Ni、Mn、Co及びAlから
選ばれた一又は複数の元素、nは1以上50未満の非整数)でありさらに水素を含む。こ
の場合において、Znの濃度がIn及びM(M=Fe、Ga、Ni及びAlから選ばれた
一又は複数の元素)よりも低くする。また、当該酸化物半導体はアモルファス構造を有し
ている。ここでnの値は、好ましくは1以上50未満の非整数、より好ましくは10未満
の非整数とする。 (もっと読む)


【課題】導電助剤及びバインダの含有量が低減された正極活物質層、及び当該正極活物質層を有する蓄電装置を提供する。
【解決手段】正極活物質層を有する正極、及び負極活物質層を有する負極を備え、当該正極活物質層は、複数の粒子状の正極活物質x[LiMnO]−(1−x)[LiCo1/3Mn1/3Ni1/3](例えば、x=0.5)と、当該複数の正極活物質と少なくとも一部が着接する多層グラフェンとを有し、当該多層グラフェンは、炭素で構成される六員環と、炭素で構成される七員環以上の多員環と、当該六員環または当該七員環以上の多員環を構成する炭素に結合する酸素と、を有する複数のグラフェンが層状に重なる蓄電装置に関する。 (もっと読む)


【課題】微細な構造であっても高い電気特性を有するトランジスタを提供する。
【解決手段】チャネル長方向の一方の側面においてソース電極層と接し、チャネル長方向の他方の側面においてドレイン電極層と接する酸化物半導体層を含むトランジスタとすることでソース電極層とドレイン電極層の間の電界を緩和して、短チャネル効果を抑制する。また、ゲート電極層のチャネル長方向の側面に導電性を有する側壁層を設けることで、当該導電性を有する側壁層がゲート絶縁層を介してソース電極層又はドレイン電極層と重畳し、実質的にLov領域を有するトランジスタとする。 (もっと読む)


【課題】電子装置において、新規の駆動方法および回路を用いることにより、デューテ
ィー比(発光期間と非発光期間との比)の低下に起因した、輝度不足を始めとした問題点
を改善することを目的とする。
【解決手段】 1ゲート信号線選択期間内に、異なる複数段の画素に信号を書き込む点に
特徴がある。それにより、ある段の画素において、信号を入力してから次の信号を入力す
るまでの時間を、画素への書き込み時間を確保した上である程度任意に設定することによ
り、サステイン(点灯)期間を任意に設定し、高デューティー比を実現する。 (もっと読む)


【課題】燐光性イリジウム金属錯体を有した発光素子を提供する。当該燐光性イリジウム金属錯体は、黄緑〜橙色の波長域に燐光発光を示し、高い発光効率、及び高い信頼性を有する。したがって、上記黄緑〜橙色の波長域に燐光発光を示す燐光性イリジウム金属錯体を提供する。また、上記発光素子を有する発光装置、電子機器、及び照明装置を提供する。
【解決手段】一対の電極間にEL層を有し、EL層は、燐光性イリジウム金属錯体を含み、燐光性イリジウム金属錯体は、4位にアリール基を有するピリミジン環の3位の窒素が金属に配位し、ピリミジン環の6位にカルバゾール骨格を含む置換基を有し、ピリミジン環の4位のアリール基は、金属と結合することによりオルトメタル化した構造である発光素子である。 (もっと読む)


【課題】新規のカルバゾール誘導体を提供することにより、発光効率の高い発光素子を提供することを目的とする。さらに、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置および電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】下記一般式(1)で表されるカルバゾール誘導体を提供する。


(式中、α、α、α、αは、環を形成する炭素数が13以下のアリーレン基を表し、Ar、Arは、環を形成する炭素数が13以下のアリール基を表し、Rは、水素原子、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表し、Rは、炭素数1〜6のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基のいずれかを表す。また、l、m、nは、それぞれ独立に0または1である。) (もっと読む)


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