説明

株式会社半導体エネルギー研究所により出願された特許

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【課題】動作性能および信頼性の高い液晶表示装置を提供する。
【解決手段】第1のチャネル形成領域713と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第1のゲート電極とを備えた第1のTFTと、第2のチャネル形成領域714と、第2のソース領域及び第2のドレイン領域と、ゲート絶縁膜と、第2のゲート電極とを備えた第2のTFTと、第1のTFT及び第2のTFT上に設けられた第1の絶縁膜664と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の一方と接続されたソース配線668と、第1のソース領域及び第1のドレイン領域の他方と接続し、且つ第2のゲート電極に接続された第1のドレイン配線と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の一方に接続された第2のドレイン配線672と、第1の絶縁膜上に設けられ、第2のソース領域及び第2のドレイン領域の他方に接続された電流供給線と、を有する。 (もっと読む)


【課題】 一導電型のTFTによって構成され、かつ出力信号の振幅を正常に得られる表示装置の駆動回路を提供する。
【解決手段】 TFT101、104にパルスが入力されてONし、ノードαの電位が上昇した後、VDD−VthNとなったところで浮遊状態となる。よってTFT105がONし、クロック信号がHiとなるのに伴って出力ノードの電位が上昇する。一方、TFT105のゲート電極の電位は、出力ノードの電位上昇に伴い、容量107の働きによってさらに上昇し、VDD+VthNより高くなる。よって出力ノードの電位は、TFT105のしきい値によって電圧降下することなくVDDまで上昇する。その後、次段出力がTFT102、103に入力されてONし、ノードαの電位は下降してTFT105がOFFする。同時にTFT106がONし、出力ノードの電位はLoとなる。 (もっと読む)


【課題】側壁スペーサを形成することなく、且つ、工程数を増やすことなく、自己整合的にLDD領域を少なくとも一つ備えたTFTを提供する。また、同一基板上に、工程数を増やすことなく、様々なTFT、例えば、チャネル形成領域の片側にLDD領域を有するTFTと、チャネル形成領域の両側にLDD領域を有するTFTとを形成する作製方法を提供する。
【解決手段】回折格子パターン或いは半透膜からなる光強度低減機能を有する補助パターンを設置したフォトマスクまたはレチクルをゲート電極形成用のフォトリソグラフィ工程に適用して膜厚の厚い領域と、該領域より膜厚の薄い領域を片側側部に有する非対称のレジストパターンを形成し、段差を有するゲート電極を形成し、ゲート電極の膜厚の薄い領域を通過させて前記半導体層に不純物元素を注入して、自己整合的にLDD領域を形成する。 (もっと読む)


【課題】表示装置を高い生産性で作製する技術を提供する。また、色純度のよい高精細な表示装置を提供する。
【解決手段】カラーフィルタ層の透過中心波長により、反射性を有する電極と発光層との光学距離を調節することで、発光層の塗り分けを行うことなく色純度のよい高精細な表示装置を提供する。発光素子は、発光色の異なる発光層が複数積層され、反射性を有する電極に近い発光層ほど呈する発光色の波長が短い。当該発光装置は、発光層の塗り分けを行わずに作製されるため、生産性が高い。 (もっと読む)


【課題】新規芳香族アミン化合物を提供することを目的とする。また、発光効率の高い発
光素子および発光装置、電子機器を提供することを目的とする。
【解決手段】一般式(1)で表される芳香族アミン化合物および一般式(1)で表される
芳香族アミン化合物を用いて形成された発光素子、発光装置、電子機器を提供する。一般
式(1)で表される芳香族アミン化合物を発光素子、発光装置、電子機器に用いることに
より、発光効率の高い発光素子、発光装置、電子機器を得ることができる。
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【課題】液晶滴下法を用いる場合であってもシール材から生じる不純物が液晶に混入することを低減し、表示不良の問題を抑制する表示装置の作製方法を提供することを課題とする。
【解決手段】素子形成層が設けられた第1の基板上に、素子形成層を囲むようにシール材を形成し、シール材で囲まれた領域に気体を吹き付け、少なくともシール材の表面を乾燥させ、シール材で囲まれた領域に液晶を滴下し、第2の基板を第1の基板と貼り合わせる。気体の吹き付けは、シール材の形成前から行ってもよいし、気体の吹き付けと並行して紫外線照射又は加熱処理を行うことによりシール材の仮硬化を行ってもよい。 (もっと読む)


【課題】高度に集積化したDRAMを提供する。
【解決手段】第1絶縁体101上にビット線102b、ビット線102b上に第2絶縁体103、第2絶縁体103上にストライプ状の第3絶縁体106a乃至106c等を形成し、第3絶縁体106bを覆って、半導体領域109bとゲート絶縁体110を形成する。ビット線102bと半導体領域109bは第1のコンタクトプラグ105a、105bで接続される。その後、導電性膜を形成し、これを異方性エッチングすることで、第3絶縁体106a乃至106cの側面にワード線111a乃至111dを形成し、第3絶縁体106bの頂部にキャパシタへ接続するための第2コンタクトプラグ115bを形成する。ワード線111b、111cを同期させることで、キャパシタに電荷を出入りさせる。このような構造でメモリセルの面積を4Fとできる。 (もっと読む)


【課題】照明装置の発光部にTFTなどの素子を設けることなく所望の表示が可能な照明装置を提供する。
【解決手段】照明装置の発光部104に一対の電極(陽極と陰極)の間にEL層を挟んで形成される複数の発光セグメント103a、103b、103cをマトリクス状に形成し、各発光セグメント103a、103b、103cの発光領域105a、105b、105cから所望の発光輝度が得られるように発光領域の面積を適宜変えることにより、階調表示を行い、外部からの単一電源のみで静止画像が表示できる照明装置が得られる。 (もっと読む)


【課題】発光素子を有する開口率の高い高性能、かつ高信頼性の表示装置、及びその作製方法を提供すること、またそのような表示装置を低コストで生産性よく作製できる技術を提供することも目的とする。
【解決手段】補正回路と、発光素子と、スイッチと、トランジスタとを有し、スイッチの一方の端子が補正回路に電気的に接続され、トランジスタのゲートが補正回路に電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの一方が発光素子の第1の電極に電気的に接続され、トランジスタのソース及びドレインの他方が一定の電位に保たれ、発光素子の第2の電極と、スイッチの他方の端子は同じ配線に電気的に接続されている。 (もっと読む)


【課題】酸化モリブデンの含有量を減らさずに酸化モリブデンを含む正孔注入層(または正孔輸送層)の導電性を低下させてクロストークの発生を防止する。
【解決手段】陽極と陰極の間に少なくとも正孔注入層と、発光層と、を有するEL層が挟持され、前記正孔注入層は前記陽極と前記発光層の間に配され、前記正孔注入層は酸化モリブデンと添加物を含む発光素子とする。前記添加物は、アルカリ金属若しくはアルカリ土類金属、LUMO準位が−5.8eV以下の物質、またはホール移動度が10−7cm/Vs以下の物質であればよい。 (もっと読む)


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