【課題】 ヒータが劣化した場合でも所望の光特性が得られる、半導体レーザ装置の制御方法を提供する。
【解決手段】 半導体レーザ装置の制御方法は、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含みヒータによって屈折率が制御される第１波長選択部と、回折格子が所定の間隔で設けられた光導波路を含む第２波長選択部とを備える半導体レーザと、半導体レーザの発振波長の測定結果に基づいて半導体レーザのパラメータを規定値に補正する波長ロッカ部を備える半導体レーザ装置の制御方法であって、半導体レーザの再起動時に、固定された初期設定値を用いて半導体レーザを発振させる第１ステップと、第１ステップの後に、ヒータの発熱量が固定された規定範囲に入るまで発熱量を調整する第２ステップと、第２ステップの完了後、半導体レーザの発振波長の検出結果に基づいて、半導体レーザの波長を補正する第３ステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】 受光素子の空間電荷効果の抑制および受光素子の高光結合効率の両方を実現する光半導体装置を提供する。
【解決手段】 光半導体装置は、レンズと、レンズを通過した光信号が入力される受光素子と、を備え、レンズと受光素子の受光面との間において、光信号の第１の光路と、第１の光路と異なる長さの第２の光路とが交差し、第１の光路を通過する光と第２の光路を通過する光との位相差に起因して受光素子の受光面において複数のピーク光強度が生成される。 （もっと読む）

【課題】高速動作を行う場合であっても低温時で良好な制御が行えるレーザダイオードの制御方法を提供する。
【解決手段】制御部５は、モニタＰＤ３によって検出される複数の温度においてバイアス電流（Ｉｂ）を変化させて予め設定された消光比を与える変調電流（Ｉｍ）を測定し、当該Ｉｂに対するＩｍの線形関係を与える一次係数α１及びゼロ次係数β１を上記複数の温度のそれぞれに対し算出してメモリ５１に保持し（ステップＳ１）、次に、ＬＤ２の現在温度を測定し、ＡＰＣによってＩｂを決定し、現在温度に対する一次係数α１及びゼロ次係数β１を取得し、この取得した一次係数α１及びゼロ次係数β１を用いて、決定したＩｂに対し、所望の消光比を与えるＩｍを算出する（ステップＳ２）。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子を内蔵する光モジュール本体と、光コネクタを保持するスリーブ部材と、これらを連結するＪスリーブから成る光モジュールの調心方法であって、光電変換素子と光コネクタの光ファイバとを光学的に結合させるために調心を行う際に、Ｊスリーブが、光軸と交わる平面内において、回転することのない方法の提供。
【解決手段】光軸と交わる方向の調心の粗調心の際、スリーブ部材を、同心で互いに異なる大きさの複数の環状の軌跡Ｔ１〜Ｔ４が描かれるように、Ｊスリーブ上を摺動させ、環状の軌跡の描く方向を所定のタイミングで切り替える。 （もっと読む）

【課題】抵抗を所望の大きさとすることが可能な半導体受光素子及びそれを有する受光装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、一導電型のｎ型ＩｎＰ基板２０と、ｎ型ＩｎＰ基板２０上に設けられ、周縁の内側が受光領域となる一導電型と反対導電型のｐ型ＩｎＰ窓層２４と、ｐ型ＩｎＰ窓層２４上に設けられたシリコン窒化膜３２と、シリコン窒化膜３２上に設けられたｐ電極３６と、ｐ電極３６とオーバーラップする領域のシリコン窒化膜３２に複数設けられた、ｐ電極３６とｐ型ＩｎＰ窓層２４とを電気的に接続するための窓３４と、を備える半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】 半導体ウェハの劈開に伴う損傷を抑制すること。
【解決手段】 本半導体装置の製造方法は、第１領域２０Ａと、第１領域２０Ａに隣接する第２領域２０Ｂと、第２領域２０Ｂに隣接する第３領域２０Ｃとを有する半導体基板２０の裏面上に、第１領域２０Ａ及び第２領域２０Ｂの境界線である第１境界線２２ａの少なくとも一部と、第２領域２０Ｂ及び第３領域２０Ｃの境界線である第２境界線２２ｂの少なくとも一部とを覆うように、金属または樹脂からなる連結層４２を形成する工程と、半導体基板２０の裏面側から第１境界線２２ａに沿って力を加えることにより、第１領域２０Ａと第２領域２０Ｂとを劈開により分割する工程と、半導体基板２０の裏面側から第２境界線２２ｂに沿って力を加えることにより、第２領域２０Ｂと第３領域２０Ｃとを劈開により分割する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】小型化可能で、かつ良好な特性が得ることができる光学装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１出力光導波路２６ａと第２出力光導波路２６ｂとが接続された第２ＭＭＩ２５を備えたマッハツェンダ変調器１０と、第１出力光導波路２６ａから出力される第１出力光、及び第２出力光導波路２６ｂから出力される第２出力光の両方と光結合して設けられた光アイソレータ６０と、光アイソレータ６０を介して第１出力光と光結合し、第２出力光と光結合しない光ファイバ６４と、を具備する光学装置である。 （もっと読む）

【課題】 キャリア上に搭載される光学部品の反りを抑制可能な光半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 本光半導体装置の製造方法は、キャリア３０上に供給されたロウ材４０を溶融させる工程と、溶融したロウ材４０上に、部品保持用のツール５０を用いて半導体レーザチップ６０を搭載する工程と、ロウ材４０を冷却して固化する工程と、ロウ材４０を冷却する工程の後、半導体レーザチップ６０からツール５０を離した状態で、半導体レーザチップ６０が搭載されたロウ材４０を再溶融させる工程と、再溶融されたロウ材４０を再び冷却して固化する工程と、含む。 （もっと読む）

【課題】 波長可変レーザのフロント側に配置された波長検知部を用いてダークチューニングで発振波長を調整することができる波長可変レーザ装置およびその制御方法を提供する。
【解決手段】 波長可変レーザ装置の制御方法は、波長可変半導体レーザと、波長可変半導体レーザの出力と光結合され消光状態と透過状態との間で出力光強度を制御する半導体マッハツェンダ変調器と、波長可変半導体レーザとマッハツェンダ変調器との間に設けられ、波長可変半導体レーザから半導体マッハツェンダ変調器に入力される光の波長を検知する波長検知部とを備える波長可変レーザ装置において、半導体マッハツェンダ変調器を透過状態よりも光減衰率が大きい状態に制御し、その後、波長検知部の検知結果に基づいて波長可変半導体レーザの出力波長を調整する。 （もっと読む）

【課題】良好な特性を得ることができる光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、マッハツェンダ変調器１０をパッケージ７０内に固定する工程と、マッハツェンダ変調器１０を固定する工程の後、入力光を入力レンズ４６に入射する工程と、入力レンズ４６を介してマッハツェンダ変調器１０に入力する入力光を検知し、入力光の検知結果に基づいて、入力レンズ４６の位置合わせをする工程と、位置合わせをする工程の後、入力レンズ４６をパッケージ７０内に固定する工程と、を有する光学装置の製造方法である。 （もっと読む）