【課題】端子数を増大させることのできる光デバイスを提供すること。
【解決手段】本発明は、発光素子または受光素子の光素子を内部に収納する筐体１０と、筐体１０の底面２２から導出された、発光素子または受光素子の光素子に電気的に接続する第１端子１２と、筐体１０の第１側面２４から導出された、発光素子または受光素子の光素子に電気的に接続する第２端子１４と、筐体１０の底面２２に設けられた、第１端子１２よりも突出した突起部１６と、を備える光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】 ピンチオフ特性を改善しまたはチャネル層の移動度を向上させ電気的特性の良好な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】基板１０上にＧａＮ系半導体層２０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層に開口部２８を形成する工程と、前記開口部の側面に電子走行層２２および電子供給層２６を形成する工程と、前記電子供給層の前記開口部側の側面にゲート電極３２を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層上にソース電極３０を形成する工程と、前記ＧａＮ系半導体層の前記ソース電極と相対する面に接続するドレイン電極３４を形成する工程と、を具備する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 調芯作業の手間を省くことができかつ調芯精度を向上させる光軸調芯用治具、光軸調芯装置、および、光軸調芯方法を提供する。
【解決手段】 光軸調芯用治具は、台との間でジンバルを構成する光軸調芯用冶具であって、複数の光導出入口を備えるデバイスを保持するための保持部と、前記光導出入口に対向する光軸と交差する方向に前記保持部をスライド移動させるためのスライド手段とを備える。光軸調芯装置は、光軸調芯用治具と、前記光軸調芯用冶具との間でジンバルを構成する前記台と、前記台を前記光軸と交差する方向に移動する可動ステージと、を備える。 （もっと読む）

【課題】スイッチに接続される回路を保護することができるスイッチ及びスイッチの制御方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のスイッチ５０は、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第１端子２０と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ１と、ソースが共通端子１８と接続され、ドレインが第２端子２２と接続され、ゲートに印加される電圧によってオンオフ制御されるＦＥＴ２と、を備え、ＦＥＴ１をオフするためにＦＥＴ１のゲートに印加される電圧の絶対値は、ＦＥＴ２をオフするためにＦＥＴ２のゲートに印加される電圧の絶対値に比べて小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光学的調心を行うことなく外部光ファイバを結合するためのスリーブの位置決めを行うことが可能で、種々の形態のスリーブに対して集光ユニットの共用を可能とすること。
【解決手段】光モジュール１は、短尺光ファイバ１４を収容するスタブ１２を内蔵するスリーブ１３と、短尺光ファイバ１４と光結合される第１の集光レンズ９が実装されるとともに、スリーブ１３を組み付ける取付端面が形成された集光ユニット２と、第１の集光レンズ９と光結合される第２の集光レンズ２６ａ、２６ｂ、および、フォトダイオード２３ａ、２３ｂが実装された送信ユニット２０ａ、２０ｂとを備え、スタブ１２の先端部はスリーブ１３の接合端面より突き出ており、集光ユニット２の取付端面にはスタブ１２の先端部を嵌合して位置決めする凹部が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低電源電圧を用いて高性能な電子回路を提供すること。
【解決手段】信号が入力される制御端子と第１端子と第２端子とを有する第１トランジスタＴ１と、第１トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第２トランジスタＴ２と、第２トランジスタの第２端子が接続された制御端子と第１端子と第２端子とを有する第３トランジスタＴ３と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路３１と、第２および第３トランジスタの少なくとも一方における第１および第２端子間を経由し、経由したトランジスタよりも前段に位置するトランジスタの第２端子に直流電流を供給する第１直流経路とは異なる第２直流経路３２と、第１および第２直流経路の間を共通に接続する共通接続点Ｎ１と、を具備する電子回路。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたビアホール内のメタライズを改善すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、ＳｉＣを材料とする基板１０を備える半導体装置１００の製造方法であって、フッ化炭素を含むエッチングガス及びマスク１４を用いて基板１０の裏面をエッチングし、基板１０の裏面から表面に向かって開口面積が次第に小さくなるテーパ形状を有する第１領域２２を形成する第１工程と、次いで、フッ化硫黄を含むエッチングガス及びマスク１４を用いて第１領域２２の内側をエッチングし、第２領域２４を形成する第２工程とを有し、基板１０の表面に対する第２領域２４の内壁面の傾斜角は、基板１０の表面に対する第１領域２２の内壁面の傾斜角より大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】金属マスクを形成する工程を含む半導体装置の製造方法において、金属片が支持基板に付着することを防止する。
【解決手段】この製造方法は、支持基板１０の表面１０ａに貼付された半導体ウェハ１２上にネガレジストを塗布し、該ネガレジストを露光することにより所定のパターンを有するレジスト１８を形成するレジスト形成工程と、半導体ウェハ１２上にメッキ処理を施すことにより金属マスク２０を形成したのちレジスト１８を除去する金属マスク形成工程と、金属マスク２０を介して半導体ウェハ１２にエッチングを施すことにより、貫通孔１２ｄを形成するエッチング工程と、金属マスク２０を除去したのち、貫通孔１２ｄの内面及び半導体ウェハ１２の裏面１２ｂに金属膜２６を形成する金属膜形成工程と、半導体ウェハ１２を支持基板１０から取り外す取外し工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 基板及び表面層にビアホールが形成された半導体装置において、表面層の剥離及び破壊を抑制すること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に設けられた基板１０と異なる材料からなる表面層２０と、表面層２０上に設けられた電極パッド５０と、を備え、基板１０及び表面層２０にはビアホール３０が形成され、ビアホール３０内には、電極パッド５０と電気的に接続された金属層３２が設けられ、ビアホール３０の開口部の周囲には、ビアホール３０を囲むように表面層２０に溝２２が形成されている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることが可能な半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体層１１の表面に、パワー密度が０．２〜０．３Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素プラズマ処理によって、窒化物半導体層１１に導電層２６が形成されることにより、イオンマイグレーション現象が抑制される。このため、半導体装置の信頼性が向上する。 （もっと読む）