【課題】耐湿性を向上させることができるドハティ増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のドハティ増幅器は、入力信号を２つの信号に分配する分配器と、２つの信号のうち一方が入力し、第１チップに形成される第１ＦＥＴ１１からなるキャリアアンプ１０と、２つの信号のうち他方が入力し、第１チップと異なる第２チップ２００に形成される第２ＦＥＴ１３からなるピークアンプ１２と、第２チップ２００に形成され、第２ＦＥＴ１３を加熱する第３ＦＥＴ３２と、キャリアアンプ１０の出力インピーダンスを変換し、キャリアアンプ１０の出力信号と合成する合成器２０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板に形成されたビアホール内のメタライズを改善すること。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、ＳｉＣを材料１０とする基板を備える半導体装置の製造方法であって、フッ化炭素を含むエッチングガス及びマスク１４を用いて基板１０の裏面をエッチングし、基板１０の表面から裏面に貫通するビアホール２０を形成する工程を有し、ビアホール２０成する工程は、基板１０の裏面から表面に向かって開口断面積が次第に小さくなるテーパ形状を形成する工程であり、かつエッチング条件は、誘導結合プラズマ方式のドライエッチングを含み、ガス流量が、フッ化炭素=１０〜２００ｓｃｃｍ、ガス圧力が、Ｐｒｅｓｓ＝０．１〜１０．０Ｐａ、誘導結合プラズマパワーが、ＩＣＰ＝１００〜５０００Ｗ、バイアスパワーが、Ｂｉａｓ＝１０〜１０００W、であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体層を主面側に有するウェハを裏面側からエッチングにより切断する際に、半導体層のクラックが半導体素子領域に達することを抑止できる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１２と、主面１２ａ上に設けられた半導体層１３とを有するウェハ２０を切断予定ラインＡに沿って切断する工程を含む半導体装置の製造方法であって、ウェハ２０の主面１２ａ側の半導体素子領域１０ａと切断予定ラインＡとの間の半導体層１３の領域をエッチングすることにより溝１３ａを形成する工程と、主面１２ａと支持基板３０とが対向するようにウェハ２０を支持基板３０に貼付する工程と、裏面１２ｂから切断予定ラインＡを含む領域をエッチングするエッチング工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ドレイン電流コラプスを抑制すること。
【解決手段】窒化物半導体層１９上に形成されたソース電極２０、ゲート電極２４およびドレイン電極２２と、前記窒化物半導体層上に接して形成された窒化シリコン膜２６と、前記ゲート電極と前記ドレイン電極との間の前記窒化シリコン膜の上面に接して設けられた有機絶縁膜３２と、を含む半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 ビアホール上にオーミック電極が形成された半導体装置において、装置の小型化を図ること。
【解決手段】 本半導体装置は、基板１０と、基板１０上に形成された半導体層１２と、半導体層上１２に形成されたソースまたはドレイン電極を構成するオーミック電極２０と、を備え、基板１０及び半導体層１２には、基板１０及び半導体層１２を貫通するビアホール３０が形成され、ビアホール３０は、少なくとも半導体層を貫通する第１ビアホール３２と、第１ビアホール３２下の基板１０に形成された、第１ビアホール３２より開口断面積が大きい第２ビアホール３４と、を含み、オーミック電極２０は、第１ビアホール３２の上に設けられている。 （もっと読む）

【課題】互い異なる内径を有するマイクロパイプを塞いだシリコンカーバイド基板生産物を製造できるシリコンカーバイド基板生産物の製造方法、該製造方法により製造されたシリコンカーバイド基板生産物を提供する。
【解決手段】複数のマイクロパイプ１１０を有するシリコンカーバイド基板１の主面１０２に樹脂を塗布することにより、複数のマイクロパイプ１１０を樹脂で塞ぐ複数の塗布工程と、樹脂を硬化させる硬化工程とを有し、複数の塗布工程において、工程毎に樹脂の粘度を異ならせることを特徴とする。これにより、粘度の低い樹脂により内径の小さいマイクロパイプを塞ぐことができ、また、粘度の高い樹脂により内径の大きいマイクロパイプを塞ぐことができる。従って、簡易な方法により複数のマイクロパイプ１１０を塞いだシリコンカーバイド基板生産物１ａを製造することができる。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体からなるチャネル層１４と、前記チャネル層１４上に設けられた窒化物半導体からなる電子供給層１６と、前記電子供給層１６上に設けられた窒化ガリウムからなるキャップ層１８と、を形成する成長工程と、前記キャップ層１８の上面に、パワー密度が０．０１２５〜０．１５Ｗ／ｃｍ^２である酸素プラズマ処理を行う工程と、を有する半導体装置の製造方法である。本発明によれば、酸素をゲッタリングすることで、電流コラプスを抑制することが可能な半導体装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】光出力開始時に光出力モニタチェックを行い、光出力開始から短時間で光通信可能な状態にする。
【解決手段】光送信器１は、ＬＤ４と、ＬＤＤ３と、光パワー検出部５と、マイコン２とを備える。マイコン２は、ＬＤ４の閾値電流の最大値Ａ[ｍＡ]、スロープ効率の最大値Ｂ[ｍＷ／ｍＡ]、及び光送信器１の最大光出力値Ｃ[ｍＷ]に基づいて、ＬＤ４が光通信可能となる所定の駆動電流の値Ｄ[ｍＡ]（Ｄ＝（Ｃ／Ｂ）＋Ａ）を決定する。ＬＤＤ３は、光送信器１の光出力開始時に、マイコン２からの指示に基づいて、ＬＤ４に所定の駆動電流を供給し、光パワー検出部５は、所定の駆動電流が供給されたＬＤ４の光出力を検出し、マイコン２は、ＬＤ４の光出力が所定値以上の場合、ＬＤ４に対して所定の駆動電流の値Ｄを初期値としてＡＰＣ制御を行う。 （もっと読む）

【課題】 信頼性の高い光デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】 光デバイスは、第１の厚みを有し部品搭載領域となる第１領域と、前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有し、そこから端部までの間は部品が搭載されない部品非搭載領域となる第２領域とを備えるキャリアと、前記キャリアの第１領域に搭載された光学部品と、上部に前記キャリアを搭載する温度制御装置と、を備える。光デバイスの製造方法は、 第１の厚みを有し部品搭載領域となる第１領域と、前記第１の厚みよりも大きい第２の厚みを有し、そこから端部までの間は部品が搭載されない部品非搭載領域となる第２領域とを備えるキャリアを準備する第１工程と、第１工程後に、前記キャリアを温度制御装置上に搭載する第２工程と、第２工程後に、前記キャリアの第１領域に第１光部品を搭載する第３工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ドレイン効率の低下を抑制することが可能な増幅器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明の増幅器２００は、入力信号を２つの信号に分配する分配器１４と、２つの信号のうち一方が入力する第１ＦＥＴからなるキャリアアンプ１０と、２つの信号のうち他方が入力する第２ＦＥＴからなるピークアンプ１２と、キャリアアンプ１０の出力インピーダンスを変換し、キャリアアンプ１０の出力信号と合成する合成器２０と、を有するドハティ増幅器１００と、入力信号の周波数が変化した場合、入力信号の周波数に応じて第１ＦＥＴ及び第２ＦＥＴの少なくとも一方に供給されるゲート電圧及びドレイン電圧の少なくとも一方を変更する電圧変更部７０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）