【課題】ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する。
【解決手段】ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０３において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＮｉ層４１と、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２と、Ｎｉ層４１と低抵抗金属層４２との間に形成されたＰｄ層４４を設けるようにする。 （もっと読む）

【課題】リークパスが狭窄化された光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】光半導体装置の製造方法は、一導電型半導体基板１０上に順に形成された一導電型クラッド層、活性層、および反対導電型クラッド層に対してメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の両側を前記活性層より高い位置で埋込む第１埋込層５０を成長する工程と、前記メサ構造の上面の両側に位置する前記反対導電型クラッド層に対してエッチングを施し、前記メサ構造の上面よりも低い面を形成する工程と、前記エッチングにより形成された低い面および前記第１埋込層上に一導電型の第２埋込層６０を成長する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】小型で且つ特性劣化が生じ難い半導体受光素子を提供すること。
【解決手段】本発明は、第１乃至第４角部を備えた矩形であり素子周縁部１１を画定する半導体基板１０上にｎ型ＩｎＧａＡｓ層４２と、ＩｎＧａＡｓ光吸収層４４と、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とが順次積層されると共に、少なくともｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６とＩｎＧａＡｓ光吸収層４４とからなるメサ構造を有し、半導体基板１０の中心部よりも第１角部２４に寄せて設けられた受光部４０と、半導体基板１０上に設けられ、ｎ型ＩｎＧａＡｓ層に電気的に接続するｎ電極パッド１２と、第１角部２４と対角に位置する第２角部２６の近傍の半導体基板１０上に設けられ、ｐ型ＩｎＧａＡｓ層４６に電気的に接続するｐ電極パッド１４と、を具備し、ｐ電極パッド１４と素子周縁部１１との最短距離Ｙ１は、ｎ電極パッド１２と素子周縁部１１との最短距離Ｙ２に比べて長い半導体受光素子である。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極のリーク電流の増大を抑制して、長期間にわたって安定した高電圧動作を実現する。
【解決手段】ＧａＮからなる化合物半導体層１００上に形成されたゲート電極１０２において、ＧａＮからなる化合物半導体層１００上でショットキー接合してなるＴｉ_xＷ_1-xＮ層（０＜ｘ＜１）４３と、Ｔｉ_xＷ_1-xＮ層４３の上方に形成され、Ａｕ、Ｃｕ及びＡｌからなる群から選択された１種の金属からなる低抵抗金属層４２を設けるようにする。 （もっと読む）

【課題】 素子容量を抑制しつつリーク電流を抑制することができる光半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 光半導体装置の製造方法は、基板上に順に形成されたｎ型クラッド層、活性層、およびｐ型クラッド層に対して選択的にエッチング処理を施すことによってメサ構造を形成する工程と、前記メサ構造の側面から前記基板の前記メサ構造以外の平面部にかけて、前記平面部における厚さが５ｎｍ〜４５ｎｍのｐ型半導体層を形成する工程と、前記ｐ型半導体層上に、前記メサ構造を埋め込む高抵抗半導体層を形成する工程と、を含み、前記平面部において、前記ｐ型半導体層の厚みと前記ｐ型半導体層のｐ型ドーパントの濃度との積は、２．５×１０^１９ｎｍ／ｃｍ^３以下である。 （もっと読む）

【課題】 迷光対策された波長可変半導体レーザを提供する。
【解決手段】 波長可変半導体レーザは、１０％以上の反射率を有する第１端面と、第２端面と、前記第１端面と前記第２端面との間に配置された波長選択部と、前記第１端面と前記波長選択部との間に設けられた光吸収領域と、を備えることを特徴とする。前記光吸収領域は、ｐ型半導体とｎ型半導体で挟まれてなり、前記ｐ型半導体と前記ｎ型半導体とを共通に接続する導体を有する構成とすることができる。 （もっと読む）

【課題】 波長光学部品の透過ピークもしくは入射光の波長が変化しているのか否かを判定する。
【解決手段】 レーザ装置は、所定の波長について透過性を有し光増幅器からの光を透過する波長光学部品を備える外部共振器と、波長光学部品を透過した透過光の光強度を検知する第１の光検知手段と、光増幅器側から入射しかつ波長光学部品により反射され透過光に対して逆相の関係にある反射光の光強度を検知する第２の光検知手段と、透過光または反射光における所定の波長の光強度に変化が観察されたとき、当該変化の前後における第１および第２の光検知手段が検知する光強度の増減が逆であるか否かを判定する判定手段と、当該増減が逆であると判定された場合に光増幅器の出力波長または波長光学部品の透過波長を制御する波長制御手段と、当該増減が同じであると判定された場合に光増幅器の出力を制御する出力制御手段と、を備える。 （もっと読む）

【課題】フレキシブル基板内の配線の断線を抑制すること。
【解決手段】一端と他端を有する基板１１と、前記基板に配置された第１配線パターン１２ａと、前記基板に配置された第２配線パターン１２ｂと、前記基板の一端側に位置する前記第１配線パターンのリード接続部に配置された第１ロウ材パターン１４ａと、前記基板の一端側に位置する前記第２配線パターンのリード接続部に配置され、前記第１ロウ材パターンよりも長く延在してなる第２ロウ材パターン１４ｂと、を備えることを特徴とするフレキシブル配線板。 （もっと読む）

【課題】 ダンピング回路の通過帯域幅の劣化を抑制しつつピーキングを抑制することができる受光回路を提供する。
【解決手段】 受光回路は、受光素子と基準電位との間に接続され、インダクタ素子、抵抗素子およびキャパシタ素子からなる直列回路を備えた第１個別ダンピング回路と、前記受光素子と前記基準電位との間に前記第１個別ダンピング回路と並列に接続され、インダクタ素子、抵抗素子およびキャパシタ素子からなる直列回路を備え、前記第１個別ダンピング回路とは異なる通過帯域を有する第２個別ダンピング回路と、前記第１あるいは第２個別ダンピング回路の少なくとも一方における前記キャパシタ素子と前記受光素子との間に設けられた、前記受光素子を逆バイアスする電源を供給するためのノードと、を有する。 （もっと読む）

【課題】光送信部で発生した熱を効率よく放熱させることができ、消費電力を抑制すること。
【解決手段】本発明は、発光素子と発光素子の温度を制御するＴＥＣとを内部に備えた光送信部１２と、受光素子を内部に備えた光受信部１４と、光送信部および光受信部の間に間隔１１を有して設けられ光送信部と光受信部とを並んで収納する筐体１０と、間隔に設けられ光送信部と筐体との間から光受信部と筐体との間まで延在する金属板１８と、光送信部および光受信部と金属板との間に設けられ光送信部と筐体との間から光受信部と筐体との間まで延在する金属板よりも熱伝導率の小さい第１接続材２０と、筐体と金属板との間に設けられ光送信部と筐体との間から光受信部と筐体との間まで延在する金属板よりも熱伝導率の小さい第２接続材２２と、を具備し、光送信部および光受信部と筐体とは、第１接続材、金属板、第２接続材を介して熱的に接続する光通信用モジュールである。 （もっと読む）