【課題】高い熱電性能を有し、変換効率の高いｐ−型およびｎ−型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】Ｙｂ−ＡＥ−Ｆｅ−Ｃｏ−Ｓｂ系熱電変換材料が、一般式Ｙｂ_ｘＡＥ_ｙＦｅ_ｚＣｏ_ｕＳｂ_ｖ（０＜ｘ≦１、０＜ｙ≦１、０＜ｘ+ｙ≦１、０≦ｚ≦４、０≦ｕ≦４、３≦ｚ+ｕ≦５、１０≦ｖ≦１５）で表される構造を有し、ＡＥはＣａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｃｕ、Ａｇ、およびＡｕからなる群から選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】銅メッキに好適に用いられる酸化第二銅粉末を提供する。
【解決手段】酸化第二銅粉末を、平均粒子径が１５μｍ以上４５μｍ以下、安息角が５０°以下、ＣｕＯ含有量が９７．０重量％以上であって、易溶解性とする。 （もっと読む）

【課題】手間を要さず、下地基板を剥離することができるIII族窒化物半導体基板の製造方法、およびこの製造方法により製造されたIII族窒化物半導体基板を提供すること。
【解決手段】本実施形態の自立基板の製造方法は、以下の工程を含むものである。(i)下地基板１０上に、炭化アルミニウム層１１を形成する工程、(ii)上記炭化アルミニウム層１１を窒化する工程、(iii)窒化された上記炭化アルミニウム層１２の上部にIII族窒化物半導体層をエピタキシャル成長させる工程、(iv)上記III族窒化物半導体層から、上記下地基板１０を除去し、上記III族窒化物半導体層を含むIII族窒化物半導体基板を得る工程。 （もっと読む）

【課題】騒音および振動を低減させ得る油圧ブレーカを提供する。
【解決手段】この油圧ブレーカ３０は、先端側にフロントヘッド６を設けてなるブレーカ本体１と、フロントヘッド６内に往復移動可能に挿着されるチゼル３と、を備えている。このチゼル３は、フロントヘッド６よりも外側に位置する部分に、その径方向に張り出す径大部２を有しており、この径大部２とフロントヘッド６との間には、弾性体８が装着されている。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる基板の製造方法を提供する。
【解決手段】上面が（０００１）面のサファイア単結晶を下地基板とし、下地基板上面にクロム層を成膜した後、クロム層が形成された下地基板をＧａＮの結晶を成長させるための装置への移送し、窒素を含有した還元性ガス雰囲気で１０００℃以上の温度で加熱窒化処理を行うことにより、クロム窒化物（ＣｒＮ）膜を形成するが、このとき、窒化アルミニウムを含む中間層が、下地基板とクロム窒化物膜との間に形成される。次に、ＧａＮバッファ層を成膜した後、基板温度を１０４０℃まで昇温し、ＧａＮの結晶層を成長させることにより、上面のピット密度が、１０５／ｃｍ２以下であるＧａＮ単結晶基板が得られる。必要により、クロム窒化物膜の選択的エッチングし、ＧａＮの基板を下地基板から分離する。 （もっと読む）

【課題】河川での水力発電と森林の環境整備とを経済的に連繋させることを可能としたシステムを提供する。
【解決手段】河川の水流で発電を行う水力発電機５を河川３に設置し、この水力発電機５で発電された電力を制御機６から送電線９に乗せて、売電のために電力会社Ｅへ送電する。サーバ１２では、この電力販売により得られた収益と、この収益を森林２の整備に再投資した結果得られた排出権の販売収益と、森林整備のための支出とを管理する。これにより、水力発電でクリーンな電力を得ることができるとともに、河川３での水力発電と森林２の環境整備とを経済的に連繋させることが可能なシステムを構築できるため、森林２の保水機能や二酸化炭素吸収機能を長期にわたって維持することができ、ひいては地球の環境保全に大きく貢献できる。 （もっと読む）

【課題】クリーンな電力を豊富に得ることができるとともに、発電電力の売買などを円滑に行える水力発電システムを提供する。
【解決手段】河川２の複数地点に、当該河川の水流により発電を行う複数台の水力発電機５を設置し、各水力発電機５が発電した電力を発電機に付設した制御機６から送電線４，７へ送電する。また、制御機６は各水力発電機５の発電電力と稼働状態のデータとを無線基地局８およびネットワーク９を通じて運営会社Ａのサーバ１０へ送信し、サーバ１０で複数台の水力発電機５を群管理する。 （もっと読む）

【課題】３０℃から２００℃付近の温度域で蓄熱、放熱が可能な二チタン酸カリウムを主成分とし、水による分解が生じにくい蓄熱材料を提供する。
【解決手段】一般式Ｋ₂ Ｔｉ₂ Ｏ_5-x ・ｎＨ₂ Ｏ（０≦ｘ≦1 、１．３≦ｎ≦４．１）で表記される二チタン酸カリウム９９質量部以下８０質量部以上と、フッ素樹脂微粒子１質量部以上２０質量部以下と、を混練して調製した粉末又は成形体を主要構成物とする蓄熱材料である。さらに黒鉛を混合してもよく、その場合は、二チタン酸カリウムと黒鉛との合計の割合が９９質量部以下８０質量部以上で、フッ素樹脂微粒子の割合が１質量部以上２０質量部以下である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を５０℃以上の温度で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｃ軸方向に１ｍｍ以上の厚さを有するＩＩＩ族窒化物半導体のバルク結晶を、スライスまたは研磨することにより、無極性面または半極性面からなる面を形成し、該面を平坦な表面となるように加工したＩＩＩ族窒化物半導体基板を提供する。
【解決手段】平坦な無極性面あるいは半極性面薄膜を得るために必要な基板を提供することにより、ピエゾ電界の発生を抑制する。 （もっと読む）