【課題】被検査者のプライバシーの保護が確保された状態で、自らの操作によって必要にときに健康度のチェックができ、そのチェックの結果を直ちに入手できること。
【解決手段】この発明は、被検査者の健康に係る測定量を測定して健康度を判定するための健康度チェック装置であり、被検査者の身長を測定する身長センサ３２４、被検査者のの体重を測定する体重センサ３２５、被検査者の血液を採取してその生化学的な値を測定する血液センサ３２１などを備えている。制御部３０２は、その測定された各データに基づいて所定の分析／演算処理を行い、被検査者の健康度を判定する。この判定された健康度は、タッチパネル型ディスプレイ３４１に表示され、またはプリンタ３４２でプリント出力される。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の転位密度を低減できる構造体を提供する。
【解決手段】下地基板と、前記下地基板の上に形成され、三角錐形状の複数の微結晶部を有するクロム窒化物膜とを備え、前記クロム窒化物膜の三角錐形状の微結晶部は、１辺の長さが１０ｎｍ以上３００ｎｍ以下であり、（１１１）面を底面とし、｛１００｝面群を他のファセット面とする構造体であって、前記クロム窒化物膜の各前記微結晶部を成長核に、前記｛１００｝面群のそれぞれからＩＩＩ族窒化物半導体が横方向成長して形成される。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の製造コストを低減できる半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、Ｃｒで形成された下地基板を準備する準備工程と、前記下地基板の（１１０）面を窒化してクロム窒化物層の（１１１）面を形成させる窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の結晶層の結晶性を向上できる半導体基板の製造方法及び半導体基板を提供する。
【解決手段】本発明の第１側面に係る半導体基板の製造方法は、下地基板の上にクロム層を７ｎｍ以上４５ｎｍ未満の平均層厚で成膜するクロム層成膜工程と、前記クロム層を１０００℃以上の温度で窒化してクロム窒化物膜にする窒化工程とを備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ユーザが健康検査を望むときに、最寄の場所で検査キットを容易に入手でき、匿名で検査の申込み手続きができ、かつ、検査結果を時間と場所に制約なく取得できる。
【解決手段】この発明は、検査キットが収納された検査キット缶９を販売する自動販売機１と、この自動販売機１で購入した検査キットでユーザが採取した血液、尿、大便などを郵送で受け取り、その各検査を行う検査センター２と、自動販売機１で購入した検査キットに付された申し込み登録用の個別の取引番号を受信して登録するとともに、検査センター２の検査結果を配信する運営サーバ３ａと、を備えている。運営サーバ３ａは、取引番号を受信の際にユーザ識別情報を受信するようにし、その受信したユーザ識別情報毎に検査結果をファイル化するようになっている。 （もっと読む）

【課題】高純度のガリウムが低コスト且つ高収率で得られるガリウムの精製方法を提供する。
【解決手段】
ガリウム融液にカルシウムを添加し、ガリウムとカルシウムとの混合融液を作製する第一の工程と、該混合融液に水分を接触させ、前記不純物を含んだ浮遊物質を混合融液の表面に析出させる第二の工程と、前記混合融液の表面に析出した浮遊物質を除去する第三の工程と、からなる処理を行う。これにより、ガリウムから不純物を除去して高純度のガリウムが得られる。 （もっと読む）

【課題】端部にフランジ部が形成されている一対の配管を簡単に着脱することができる構造の配管連結装置を提供する。
【解決手段】第一配管１０のフランジ部に後方から当接する雄ネジ部材１００の雄ネジ１３０と、第二配管２０のフランジ部に前方から当接する雌ネジ部材２００の雌ネジ２４０とが、螺合される。雄ネジ部材１００と雌ネジ部材２００との締結により第一配管１０と第二配管２０とのフランジ部を圧着させることができる。従って、この圧着のために複数のボルトナットを均等に締結させるような必要がないので、第一配管１０と第二配管２０とを容易に着脱することができる。 （もっと読む）

【課題】Ｐｂを使用することなく、常温比抵抗値が低く、正の温度係数や温度に対する比抵抗変化率が大きく、かつ、キュリー点が高温側にシフトしたＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物及び当該ＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物を得ることができるＰＴＣサーミスタ用配合材料を提供する。
【解決手段】ＰＴＣサーミスタ用半導体磁器組成物を、Ｂａ、Ｔｉ、Ｂｉ、Ｏの各元素を必須元素として含むとともに、１価のアルカリ金属を一種類以上含むものとする。そして、Ｂｉに対する１価のアルカリ金属のモル比Ｘ_２が０．６５≦Ｘ_２≦１．５９であり、Ｎｂの含有量が４８０ｐｐｍ以下であり、Ｓｂ、Ｔａ、各希土類元素の含有量がそれぞれ１０ｐｐｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】工具による手作業もヒータユニットの移動も必要とすることなくサセプタを簡単に着脱することができる構造の気相成長装置を提供する。
【解決手段】サセプタ１３０が盤面と平行に支持機構１４０にスライド自在に支持されることで、ヒータユニット１２０に対向される。このため、工具による手作業もヒータユニット１２０の移動も必要とすることなく、ヒータユニット１２０と対向する位置にサセプタ１３０が着脱される。 （もっと読む）

【課題】 安価な製造コストにて、緻密で、熱電変換性能の高いｎ−型Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ系熱電変換材料、Ｙｂ_ｘＣｏ_ｙＳｂ_ｚ系熱電変換材料、ｎ−型スクッテルダイト系Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ熱電変換材料の製造方法を提供すること。
【解決手段】 ｎ−型スクッテルダイト系Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ熱電変換材料の凝固特性を解析し、体積が縮小する包晶反応の種類および温度を特定すると共に、液相から形成する結晶相の繋がった骨格が融液の補給を妨げ、ポーラス状態をもたらす原因になることを突き止め、原料の種類および溶製時の適正温度を詳細に検討した。その結果、体積が縮小する包晶反応を発生させない溶製法と結晶相の繋がった骨格を形成しない溶製法を見出した。これにより、ポーラス状態のない緻密な例えばＹｂ_０．１５Ｃｏ_４Ｓｂ_１２熱電変換材料を製造することができ、高い熱電性能を有するｎ−型スクッテルダイト系Ｙｂ−Ｃｏ−Ｓｂ熱電変換材料の提供が可能となる。 （もっと読む）