【課題】 小型化でき、冷熱及び温熱を蓄熱可能とする蓄熱装置の提供。
【解決手段】 二チタン酸カリウムを主成分とする蓄熱材料Ｍを収容し、電気抵抗加熱ヒータ３２及び熱吸収器３４ｈを有する蓄熱槽１０と、水Ｗを収容し、熱吸収器３４ｗを有し、内壁表面１４に凹凸が形成された水槽１２とを、開閉弁４４ａ、４４ｂを有する導管４６ａによって連結し、減圧して密閉した蓄熱槽１０内と水槽１２内を連通し、蓄熱材料Ｍが水分子を結晶の層間に吸蔵するときに、熱吸収器３４ｗが水槽１２内で気化する水Ｗから放出される蒸発潜熱を冷熱として回収し、熱吸収器３４ｈが蓄熱槽１０内での蓄熱材料Ｍの発熱を温熱として回収し、蓄熱材料Ｍから水分子が離脱するときに、熱吸収器３４ｗが水槽１２内で凝縮する水蒸気Ｖから放出される凝縮潜熱を温熱として回収する。 （もっと読む）

【課題】 原料の利用効率を高くし、高品質の化合物半導体を成長させる。
【解決手段】 成長室１内に、基板ＳＢを保持する回転自在な基板保持台２と、基板保持台２の加熱手段３と、基板ＳＢに向けて反応ガスを供給するガス供給部４と、排ガスを成長室１外へ排出する排気口９とを備えた気相成長装置において、成長室１の側壁１０の内径を基板保持台２の外径と略同じとして成長室１内に反応空間ＲＳを形成し、ガス供給部４を互いに離隔して配置された第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６及びドーパントガス供給部８で構成し、基板ＳＢの回転軌跡の法線方向と直交し、下辺１１ｂが基板保持台２と平行で且つ近接する方形の開口面１１ａを有する排気導入管１１を排気口９に接続し、第一原料ガス供給部５、第二原料ガス供給部６、ドーパントガス供給部８、開口面１１ａを、基板保持台２の回転で基板ＳＢが順次遷移するように配設する。 （もっと読む）

【課題】 分級領域の容積を拡大して分級能力を向上させると共に、第二回転翼から分級領域を経て排出口へと到る気流をスムーズにし、分級精度を安定させる。
【解決手段】 ケーシング１０内に第一回転翼１１と第二回転翼１２とを所定距離互いに離隔して設け、ケーシング１０内の第一回転翼１１の後方に旋回領域、第一回転翼１１と第二回転翼１２との間に粉砕領域、第二回転翼１２の前方に分級領域を形成し、第一回転翼１１及び第二回転翼１２の回転で旋回気流を発生させて原料の粉砕と分級を行う気流式粉砕機１において、第二回転翼１２のボス２６を前方に向かって径が減少する形状とする。 （もっと読む）

【課題】 粉砕機の排出口から回収ホッパーまでの微粉末の輸送経路の途中に吸引ファンを配置する必要をなくし、吸引ファンの清掃作業を不要とする。また、輸送管の内壁への微粉末の付着も少なくする。
【解決手段】 微粉末回収装置が、粉砕機１の排出口２に接続された吸引吐出管３と、吸引吐出管３の内周に沿って設けられ、吐出側に向けて気体を噴出して粉砕機１で微粉砕された微粉末を吸引吐出するジェットノズル４と、外部からジェットノズル４に気体を供給する送風機５と、気体と共に送られた微粉末を回収する回収ホッパー６とを備える。 （もっと読む）

【課題】 乾式処理で砕石の微粉を十分に除去可能とし、廃水処理を不要に（又は低減）する。
【解決手段】 振動篩１の篩面２上に、砕石の通過可能な隙間を篩面２との間に形成し且つ砕石が隙間を通過するとき振動により衝突する当板３を設ける。微粉を含有する砕石が篩面２に供給されると、砕石は篩面２と当板３との間に形成された隙間を通って製品排出口９から排出される。砕石は隙間を通過するとき振動により当板３と篩面２とに繰り返し衝突する。この衝突で砕石には繰り返し衝撃が与えられるので、付着した微粉は砕石から剥離され、篩面２から落下し篩下ホッパー８に捕集される。 （もっと読む）

【課題】 カメラの高さ方向の移動量を大きくする。
【解決手段】 水平移動可能なキャリア２１と、キャリア２１上で水平旋回可能な旋回台３２と、旋回台３２上で前後移動可能なポール支持部２９と、ポール支持部２９上に所定傾斜角で立設された下段ポール１と中下段ポール２と中上段ポール３と上段ポール４とを有する伸縮ポール３４と、上段ポール４に水平支軸２３で回動可能に支持されたカメラチルト用滑車３３及びカメラ固定部１２と、中下段ポール２にチルト操作軸１４で回転可能に取付けられたチルトハンドル２７と、中下段ポールの上部のチルト用滑車１５、１６と中上段ポールの下部のチルト用滑車３０、３１とに掛け回され、一端がチルトハンドル２７に設けたチルト操作用滑車１３に連結され、他端がカメラチルト用滑車３３に連結された前後のチルト用ワイヤロープ２５とを備える。 （もっと読む）

【課題】 植栽ポットを大径化したり長尺化することなく保水性と保肥性を確保でき、植栽作業が容易であり、植栽ポットの製造コストが上昇することがない岩盤植栽方法の提供。
【解決手段】 隣接し互いに連結された３本のポット挿入穴４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃを岩盤３０の植栽面３２にさく孔し、ポット挿入穴４０Ａ、４０Ｂ、４０Ｃによって植栽穴３８を形成する。苗木６０を入れた筒状の植栽ポット５４を苗木ポット５２とし、肥料６４を入れた植栽ポット５４を肥料ポット５４とし、苗木ポット５２をポット挿入穴４０Ｂに挿入し、肥料ポット５４をポット挿入穴４０Ａ、４０Ｃ挿入する。 （もっと読む）

【課題】 マグネシウム合金で製造された多種類の成型部材に対して、成型部材表面の侵食を抑制しながら、高効率に疲労強度を向上させる。
【解決手段】 マグネシウム合金の成型部材を液状媒体に浸漬し、成型部材表面と超音波発振部端面とが接触しないよう離隔した状態で、成型部材に対して超音波を印加することにより、マグネシウム合金の疲労強度を向上させる。液状媒体としては、水又はコロイダルアルミナを使用するのが効果的である。 （もっと読む）

【課題】 アミューズメント性を取入れた下肢部のトレーニングマシンを提供する。
【解決手段】 筐体と、この筐体上のトレーニング者が立つ位置の回りに複数個設けた穴と、この穴から足で踏みつけ可能な標的を出没させる出没装置と、標的の出没位置を制御する制御装置と、標的が押されたことを検出する検出装置と、標的の出没情報、標的が押された回数等を表示する表示装置とを設け、前記制御装置が、標的の出現インターバル、出没速度、突出高さ、押し込み必要負荷の少なくとも一つを制御出来るようにしたトレーニングマシン。 （もっと読む）

【課題】 半導体製造装置の排ガス中に含まれる燐を安全な形態として完全に除去可能な半導体製造装置用燐分離装置の提供。
【解決手段】 内部を半導体製造装置の排ガスが通るカラム１１と、銅線材及びニッケル多孔質材からなり、カラム１１内に充填されて排ガスと接触する充填材１９と、カラム１１内を燐の析出固化温度以上の温度まで加熱する電気抵抗式加熱炉１７とから構成された半導体製造装置用燐分離装置９を、半導体製造装置の排ガス流路５ａの下流側に配置する。 （もっと読む）