【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射によりＩＩＩ族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、ＩＩＩ族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板１１と、サファイア基板１１上に設けられているＧａＮ膜１２と、を含むサファイア／ＧａＮ構造体Ｗから、レーザ照射によりＧａＮ膜１２を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗを、ＧａＮ膜１２が下方または側方に向いた状態で、ＧａＮ膜１２表面に接触することなく保持する基板保持台１４と、サファイア／ＧａＮ構造体Ｗに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】作動などにより温度が大幅に変化しても熱電変換部材と電極部材との接合を良好に維持することができる熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】熱電変換部材１，２と電極部材４とを接合する接合部材３が、Ｆｅ−Ｍ（Ｍは、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、からなる群から選択される少なくとも一種の元素）合金、Ｃｏ−Ｍ合金、Ｎｉ−Ｍ合金、の少なくとも一つで形成されていることにより、その組成を適正に調整することで、例えば、接合部材３の２０℃〜６００℃における熱膨張係数を８×１０^−６（／Ｋ）以上１５×１０^−６（／Ｋ）以下とすることができる。すると、熱電変換部材１，２と接合部材３との２０℃〜６００℃における熱膨張係数の差を、例えば、熱電変換部材の熱膨張係数の値に対して２０％以下とすることができる。 （もっと読む）

【課題】製造効率良く成膜することができる気相成長装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】気相成長装置１は、内部に基板Ｓが配置され、この基板Ｓ上に膜を成膜するための成膜室４と、この成膜室４内にハロゲン元素を含むガスおよびこのガスと反応して基板Ｓ上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第一供給管２１と、成膜室４内に有機金属を含むガスおよびこの有機金属を含むガスと反応して基板Ｓ上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第二供給管３１とを備え、成膜室４に、第一供給管２１および第二供給管３１が接続されている。 （もっと読む）

【課題】良好な特性のシンチレータ結晶を正確な形状に良好な生産性で量産することができ、シンチレータ結晶の蛍光を反射材により９５％以上の反射率で反射することができ、分解能が良好なシンチレータアレイを提供する。
【解決手段】シンチレータアレイ１００は、ＰｒがドープされたＬｕ_３Ａｌ_５Ｏ_１２結晶で細長形状の複数のシンチレータ結晶１１０が形成されており、複数のシンチレータ結晶１１０が長手方向と直交する方向に０．０５ｍｍ以上０．２ｍｍ以下の間隙で二次元状に配列されており、配列された複数のシンチレータ結晶１１０の間隙にＢａＳＯ_４を主成分とする反射材１２０が充填されている。 （もっと読む）

【課題】反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】中空の反応管１１０の内部で基板１２２が下流側から基板回転機構１２０により軸支されて回転駆動される。この基板１２２の表面に上流からＧａＣｌガスと(ＮＨ_３＋Ｈ_２)ガスを供給する。これにより基板１２２の表面に結晶が成長される。ただし、基板１２２の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板１２２の下流で反応管１１０の内部の少なくとも外側を対流防止部材１５０が遮蔽している。このため、上述のように反応管１１０の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板１２２の表面に到達することが防止される。 （もっと読む）

【課題】半導体中のキャリアの移動度及び半導体の電気抵抗率を非破壊で短時間に算出する。
【解決手段】本発明は、半導体中のキャリアの移動度μとキャリアの減衰定数γとの関係、及び、テラヘルツ光に対する半導体の反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係をそれぞれ記憶する記憶部１０１と、試料となる半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する試料の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５の強度に対する反射光１０８の強度の比率を求めることにより、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐを算出する反射率算出部１１１と、記憶された反射率Ｒとキャリアの減衰定数γとの関係を参照し、試料の反射率Ｒ_ｅｘｐに対応する試料の減衰定数γ_ｅｘｐを取得する取得部１１３と、取得した減衰定数γ_ｅｘｐに基づいて、記憶された移動度μと減衰定数γ_ｅｘｐとの関係から、試料の移動度μ_ｅｘｐを算出する移動度算出部と、を有する移動度測定装置である。 （もっと読む）

【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板１０を用意する工程と、サファイア基板１０上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層１１を、１１００℃以上１３００℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層１１の上にIII族窒化物層１２を成長する工程とを含む。サファイア基板１０は、中間層１１を成長させる主面が、当該サファイア基板１０のｍ軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板１０のｍ軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層１２を成長する工程においては、第一の薄膜層１２aの上にマスクを形成してから第２の厚膜層１２ｂを形成してもよく、これにより第一の薄膜層１２aと第２の厚膜層１２ｂの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板１０を容易に剥離し、III族窒化物層１２の自立基板を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に形成された炭化アルミニウム層１２とを備える。炭化アルミニウム層１２の下地基板１１と反対側の面には、炭化アルミニウム層１２の｛１−１００｝面１２１が露出している。
炭化アルミニウム層の｛１−１００｝面１２１は、下地基板１１の主面１１０に対して傾斜している。 （もっと読む）

【課題】広い温度範囲で良好な接合性が確保され、熱電変換効率が高い、充填スクッテルダイト構造を有するＳｂ系熱電変換材料を備えた熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】熱電変換モジュールが、充填スクッテルダイト構造を有するＳｂ系ｐ型熱電変換材料１およびｎ型熱電変換材料２、高温側電極３を備えており、ｐ型熱電変換材料１またはｎ型熱電変換材料２と高温側電極３との間に接合部材として、ニッケル合金、コバルト合金、および鉄合金からなる群より選択される鉄族合金層５が設けられている。 （もっと読む）