説明

古河機械金属株式会社により出願された特許

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【課題】レーザ照射によりIII族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、III族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板11と、サファイア基板11上に設けられているGaN膜12と、を含むサファイア/GaN構造体Wから、レーザ照射によりGaN膜12を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア/GaN構造体Wを、GaN膜12が下方または側方に向いた状態で、GaN膜12表面に接触することなく保持する基板保持台14と、サファイア/GaN構造体Wに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】レーザ照射によりIII族窒化物半導体膜を下地基板から剥離する際に、III族窒化物半導体膜の破損を抑制する。
【解決手段】サファイア基板11と、サファイア基板11上に設けられているGaN膜12と、を含むサファイア/GaN構造体Wから、レーザ照射によりGaN膜12を剥離するレーザ剥離装置であって、サファイア/GaN構造体Wを、GaN膜12が下方または側方に向いた状態で、GaN膜12表面に接触することなく保持する基板保持台14と、サファイア/GaN構造体Wに対してレーザを照射するレーザ照射部と、を備えるレーザ剥離装置を提供する。 (もっと読む)


【課題】製造効率良く成膜することができる気相成長装置および成膜方法を提供すること。
【解決手段】気相成長装置1は、内部に基板Sが配置され、この基板S上に膜を成膜するための成膜室4と、この成膜室4内にハロゲン元素を含むガスおよびこのガスと反応して基板S上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第一供給管21と、成膜室4内に有機金属を含むガスおよびこの有機金属を含むガスと反応して基板S上に膜を成膜するための反応性ガスを供給する第二供給管31とを備え、成膜室4に、第一供給管21および第二供給管31が接続されている。 (もっと読む)


【課題】作動などにより温度が大幅に変化しても熱電変換部材と電極部材との接合を良好に維持することができる熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】熱電変換部材1,2と電極部材4とを接合する接合部材3が、Fe−M(Mは、Cr、Mo、W、V、Nb、Ta、からなる群から選択される少なくとも一種の元素)合金、Co−M合金、Ni−M合金、の少なくとも一つで形成されていることにより、その組成を適正に調整することで、例えば、接合部材3の20℃〜600℃における熱膨張係数を8×10−6(/K)以上15×10−6(/K)以下とすることができる。すると、熱電変換部材1,2と接合部材3との20℃〜600℃における熱膨張係数の差を、例えば、熱電変換部材の熱膨張係数の値に対して20%以下とすることができる。 (もっと読む)


【課題】良好な特性のシンチレータ結晶を正確な形状に良好な生産性で量産することができ、シンチレータ結晶の蛍光を反射材により95%以上の反射率で反射することができ、分解能が良好なシンチレータアレイを提供する。
【解決手段】シンチレータアレイ100は、PrがドープされたLuAl12結晶で細長形状の複数のシンチレータ結晶110が形成されており、複数のシンチレータ結晶110が長手方向と直交する方向に0.05mm以上0.2mm以下の間隙で二次元状に配列されており、配列された複数のシンチレータ結晶110の間隙にBaSOを主成分とする反射材120が充填されている。 (もっと読む)


【課題】反応管の下流から流入した残留空気、水分により結晶の成長が阻害されることがないハイドライド気相成長装置を提供する。
【解決手段】中空の反応管110の内部で基板122が下流側から基板回転機構120により軸支されて回転駆動される。この基板122の表面に上流からGaClガスと(NH+H)ガスを供給する。これにより基板122の表面に結晶が成長される。ただし、基板122の表面を通過したガスを排出する構造のため、必然的に加熱されたガスと下流部の冷却されたガスとの間で対流が生じる。基板122の下流で反応管110の内部の少なくとも外側を対流防止部材150が遮蔽している。このため、上述のように反応管110の下流から流入した残留空気や水分が対流により基板122の表面に到達することが防止される。 (もっと読む)


【課題】半導体中のキャリアの移動度及び半導体の電気抵抗率を非破壊で短時間に算出する。
【解決手段】本発明は、半導体中のキャリアの移動度μとキャリアの減衰定数γとの関係、及び、テラヘルツ光に対する半導体の反射率Rとキャリアの減衰定数γとの関係をそれぞれ記憶する記憶部101と、試料となる半導体にテラヘルツ光105を照射する光照射部103と、照射されたテラヘルツ光105に対する試料の反射光108を検出する検出部109と、照射されたテラヘルツ光105の強度に対する反射光108の強度の比率を求めることにより、試料の反射率Rexpを算出する反射率算出部111と、記憶された反射率Rとキャリアの減衰定数γとの関係を参照し、試料の反射率Rexpに対応する試料の減衰定数γexpを取得する取得部113と、取得した減衰定数γexpに基づいて、記憶された移動度μと減衰定数γexpとの関係から、試料の移動度μexpを算出する移動度算出部と、を有する移動度測定装置である。 (もっと読む)


【課題】欠陥密度が低く高品質な半極性面III族窒化物基板の製造方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板10を用意する工程と、サファイア基板10上に、アルミニウムと窒素とを含む中間層11を、1100℃以上1300℃以下の成長温度で気相成長法により形成する工程と、前記中間層11の上にIII族窒化物層12を成長する工程とを含む。サファイア基板10は、中間層11を成長させる主面が、当該サファイア基板10のm軸と垂直、あるいは、当該サファイア基板10のm軸に対し傾斜している。また、前記III族窒化物層12を成長する工程においては、第一の薄膜層12aの上にマスクを形成してから第2の厚膜層12bを形成してもよく、これにより第一の薄膜層12aと第2の厚膜層12bの間の結合強度を低下させ、比較的小さな応力で下地基板10を容易に剥離し、III族窒化物層12の自立基板を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】結晶性が良好な無極性面成長のIII族窒化物半導体層を得ることができる基板を提供すること。
【解決手段】基板1は、下地基板11と、この下地基板11上に形成された炭化アルミニウム層12とを備える。炭化アルミニウム層12の下地基板11と反対側の面には、炭化アルミニウム層12の{1−100}面121が露出している。
炭化アルミニウム層の{1−100}面121は、下地基板11の主面110に対して傾斜している。 (もっと読む)


【課題】広い温度範囲で良好な接合性が確保され、熱電変換効率が高い、充填スクッテルダイト構造を有するSb系熱電変換材料を備えた熱電変換モジュールを提供する。
【解決手段】熱電変換モジュールが、充填スクッテルダイト構造を有するSb系p型熱電変換材料1およびn型熱電変換材料2、高温側電極3を備えており、p型熱電変換材料1またはn型熱電変換材料2と高温側電極3との間に接合部材として、ニッケル合金、コバルト合金、および鉄合金からなる群より選択される鉄族合金層5が設けられている。 (もっと読む)


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