【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板１は、下地基板１１と、この下地基板１１上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層１２と、炭化物層を窒化した層１２上に設けられたIII族窒化物半導体膜１３とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板１は、III族窒化物半導体膜１３上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板１１を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 （もっと読む）

【課題】３００〜６００℃において優れた熱電変換性能を有する高性能なｐ−型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料が、一般式ＲＥ_ｘＡＥ_ｙＦｅ_{４−（ｚ＋ｗ）}Ｃｏ_ｚＭ_ｗＳｂ_１２（０．５≦ｘ＜１、０＜ｙ≦０．５、０＜ｘ＋ｙ≦１、０≦ｚ＋ｗ≦４、０≦ｗ≦０．５）で表される構造を有し、ＲＥはＬａおよびＣｅのうち少なくとも一種、ＡＥはＣａ、ＳｒおよびＢａからなる群から選択される少なくとも一種、およびＭは元素Ｒｕ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｎｉ、Ｐｄ、およびＰｔからなる群から選択される少なくとも一種である。 （もっと読む）

【課題】ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０の上に第１バッファー層３０を形成する第１バッファー層形成工程と、前記第１バッファー層３０の上に、複数の開口を有するマスク４０を形成するマスク形成工程と、前記第１バッファー層３０の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の第２バッファー層６０a、６０bを形成する第２バッファー層形成工程と、前記複数の第２バッファー層６０a、６０bの上に、ＩＩＩ族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】無機化合物半導体のキャリア濃度を非破壊で簡易に測定する。
【解決手段】非破壊キャリア濃度測定装置１００は、テラヘルツ光に対する無機化合物半導体の反射率と、キャリア濃度との相関関係を記憶する記憶部１０１と、試料となる無機化合物半導体にテラヘルツ光１０５を照射する光照射部１０３と、照射されたテラヘルツ光１０５に対する無機化合物半導体の反射光１０８を検出する検出部１０９と、照射されたテラヘルツ光１０５と反射光１０８とを対比して無機化合物半導体の反射率の実測値を算出する反射率算出部１１１と、記憶された相関関係を参照し、反射率の実測値に対応する試料のキャリア濃度を読み取る読取部１１３と、を有する。 （もっと読む）

【課題】分注処理の所要時間を短縮し得る分注装置を提供する。
【解決手段】この分注装置１は、分注する結晶化プレート１００の複数のウェル１０４に対応するように配される複数のカバーガラス２００を載置する載置部６６を有し、その載置部６６に載置される複数のカバーガラス２００を保持しつつ反転させて結晶化プレート１００の上面に被せるカバーガラス反転機構６７を備えている。そして、このカバーガラス反転機構６７は、複数のカバーガラス２００を真空吸着して保持する複数の吸着パッド５７を有し、この複数の吸着パッド５７は、格子状に配列された各ウェル１０４に対応する位置毎に配設されている。 （もっと読む）

【課題】良好な品質の無極性面ＧａＮ結晶を生成できるＧａＮ半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板１０上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化バナジウムおよび炭化タンタルからなる群より選択される炭化物からなる層を形成する工程と、炭化物層を窒化する工程と、窒化された炭化物層１２の上に、ＧａＮ結晶を無極性面を成長面としてエピタキシャル成長させて、無極性面ＧａＮ結晶層１６を形成する工程と、下地基板１０を除去して、無極性面ＧａＮ結晶層１６を含むＧａＮ半導体基板を得る工程と、を含むＧａＮ半導体基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】小型で使い勝手のよい蛋白質結晶化装置を提供する。
【解決手段】結晶化プレートに所望の分注作業をするための蛋白質結晶化装置は、処理室４を有する筐体と、その筐体に設けられて処理室内に位置する作業位置および処理室外に張り出す張出し位置の相互にスライド移動可能な基台８と、その基台上に設けられて分注作業に必要なシール装置や分注材料等が配置される分注処理部５０と、処理室４内での分注処理部５０よりも上部に設けられて結晶化プレートのウェルに分注等の必要な処理をするための分注ヘッド４０を有するとともに、その分注ヘッド４０を必要な位置に移動可能な分注ヘッド駆動装置１０と、基台８よりも下部に設けられて分注ヘッド駆動装置１０およびシール装置等をそれぞれ制御可能な制御装置と、基台８よりも下部に設けられたゴミ箱９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】液滴と背景との輝度差が小さい場合であっても、液滴部分の画像の抽出を容易とし、また、液滴の拡大画像を効率的に取得し得る結晶観察装置を提供する。
【解決手段】この結晶観察装置は、結晶化プレート１２のウェル１３内の液滴の表面を照らす照明装置１４と結晶化プレート１２との間に遮光板２０を配している。そして、この遮光板２０は、液滴の表面に明るい部分およびそれよりも暗い部分をつくるように配置される。ここで、液滴は、その中央部が周縁部よりも厚い平凸のレンズをなしている。そのため、遮光板２０によって、液滴表面の照度の低い部分に、液滴のレンズ効果で屈折してできた照度の高い部分を投影させ、これにより、液滴の輪郭を明瞭にする。 （もっと読む）

【課題】各ウェルの周縁部を全周に亘って一層確実にシールするとともに、装置を小型化・低コスト化し得る分注シール装置を提供する。
【解決手段】この分注シール装置１は、結晶化プレート１００の上面にフィルムの粘着面を対向させた状態で押圧して複数のウェルの開口部を覆うようにフィルムを貼り付け可能なスライド押圧部２を備えている。そして、このスライド押圧部２は、フィルムの粘着面を結晶化プレート１００の上面に貼り付け可能に配置され且つウェル同士のピッチに合わせた複数個の貫通孔をもつシール部材押圧プレート１５を有するプレート面押圧手段と、シール部材押圧プレート１５の複数個の貫通孔にその上方から所定深さだけ挿入される複数個のシール部材押圧ピン２０を有するウェル周縁部押圧手段とを備えている。 （もっと読む）

【課題】対象加熱機構を大径化せずとも大型の加熱対象部材を均等に加熱できる構造の部材処理装置を提供する。
【解決手段】駆動モータにより回転駆動される円盤状の固定サセプタ１１０により回路基板が支持され、この回路基板が固定サセプタ１１０に対向されているコイル部材１３０で加熱される。このコイル部材１３０は固定サセプタ１１０より小径であるが、加熱配置機構１４０により固定サセプタ１１０の半径方向に変位自在に支持されている。このため、小径のコイル部材１３０による加熱を大径の固定サセプタ１１０や回路基板に均一に作用させることができるので、小径のコイル部材１３０で大径の回路基板を均一に加熱することができる。 （もっと読む）