説明

古河機械金属株式会社により出願された特許

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【課題】手間を要さずにIII族窒化物半導体基板を得ることができるIII族窒化物半導体基板形成用基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】III族窒化物半導体基板形成用基板1は、下地基板11と、この下地基板11上に設けられ、炭化アルミニウム、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化バナジウムまたは炭化タンタルから選択される炭化物層を窒化した層12と、炭化物層を窒化した層12上に設けられたIII族窒化物半導体膜13とを備える。III族窒化物半導体基板形成用基板1は、III族窒化物半導体膜13上に、III族窒化物半導体層を成長させ、下地基板11を除去し、III族窒化物半導体基板を得るために使用されるものである。 (もっと読む)


【課題】300〜600℃において優れた熱電変換性能を有する高性能なp−型熱電変換材料を提供する。
【解決手段】熱電変換材料が、一般式REAEFe4−(z+w)CoSb12(0.5≦x<1、0<y≦0.5、0<x+y≦1、0≦z+w≦4、0≦w≦0.5)で表される構造を有し、REはLaおよびCeのうち少なくとも一種、AEはCa、SrおよびBaからなる群から選択される少なくとも一種、およびMは元素Ru、Os、Rh、Ir、Ni、Pd、およびPtからなる群から選択される少なくとも一種である。 (もっと読む)


【課題】III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる際の結晶性を向上できる半導体デバイスの製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板10の上に第1バッファー層30を形成する第1バッファー層形成工程と、前記第1バッファー層30の上に、複数の開口を有するマスク40を形成するマスク形成工程と、前記第1バッファー層30の表面において前記複数の開口により露出された複数の領域に、III族窒化物半導体の複数の第2バッファー層60a、60bを形成する第2バッファー層形成工程と、前記複数の第2バッファー層60a、60bの上に、III族窒化物半導体の複数の半導体部材を成長させる成長工程とを備える。 (もっと読む)


【課題】無機化合物半導体のキャリア濃度を非破壊で簡易に測定する。
【解決手段】非破壊キャリア濃度測定装置100は、テラヘルツ光に対する無機化合物半導体の反射率と、キャリア濃度との相関関係を記憶する記憶部101と、試料となる無機化合物半導体にテラヘルツ光105を照射する光照射部103と、照射されたテラヘルツ光105に対する無機化合物半導体の反射光108を検出する検出部109と、照射されたテラヘルツ光105と反射光108とを対比して無機化合物半導体の反射率の実測値を算出する反射率算出部111と、記憶された相関関係を参照し、反射率の実測値に対応する試料のキャリア濃度を読み取る読取部113と、を有する。 (もっと読む)


【課題】分注処理の所要時間を短縮し得る分注装置を提供する。
【解決手段】この分注装置1は、分注する結晶化プレート100の複数のウェル104に対応するように配される複数のカバーガラス200を載置する載置部66を有し、その載置部66に載置される複数のカバーガラス200を保持しつつ反転させて結晶化プレート100の上面に被せるカバーガラス反転機構67を備えている。そして、このカバーガラス反転機構67は、複数のカバーガラス200を真空吸着して保持する複数の吸着パッド57を有し、この複数の吸着パッド57は、格子状に配列された各ウェル104に対応する位置毎に配設されている。 (もっと読む)


【課題】良好な品質の無極性面GaN結晶を生成できるGaN半導体基板の製造方法を提供する。
【解決手段】下地基板10上に、炭化チタン、炭化ジルコニウム、炭化ハフニウム、炭化ニオブ、炭化バナジウムおよび炭化タンタルからなる群より選択される炭化物からなる層を形成する工程と、炭化物層を窒化する工程と、窒化された炭化物層12の上に、GaN結晶を無極性面を成長面としてエピタキシャル成長させて、無極性面GaN結晶層16を形成する工程と、下地基板10を除去して、無極性面GaN結晶層16を含むGaN半導体基板を得る工程と、を含むGaN半導体基板の製造方法。 (もっと読む)


【課題】各ウェルの周縁部を全周に亘って一層確実にシールするとともに、装置を小型化・低コスト化し得る分注シール装置を提供する。
【解決手段】この分注シール装置1は、結晶化プレート100の上面にフィルムの粘着面を対向させた状態で押圧して複数のウェルの開口部を覆うようにフィルムを貼り付け可能なスライド押圧部2を備えている。そして、このスライド押圧部2は、フィルムの粘着面を結晶化プレート100の上面に貼り付け可能に配置され且つウェル同士のピッチに合わせた複数個の貫通孔をもつシール部材押圧プレート15を有するプレート面押圧手段と、シール部材押圧プレート15の複数個の貫通孔にその上方から所定深さだけ挿入される複数個のシール部材押圧ピン20を有するウェル周縁部押圧手段とを備えている。 (もっと読む)


【課題】小型で使い勝手のよい蛋白質結晶化装置を提供する。
【解決手段】結晶化プレートに所望の分注作業をするための蛋白質結晶化装置は、処理室4を有する筐体と、その筐体に設けられて処理室内に位置する作業位置および処理室外に張り出す張出し位置の相互にスライド移動可能な基台8と、その基台上に設けられて分注作業に必要なシール装置や分注材料等が配置される分注処理部50と、処理室4内での分注処理部50よりも上部に設けられて結晶化プレートのウェルに分注等の必要な処理をするための分注ヘッド40を有するとともに、その分注ヘッド40を必要な位置に移動可能な分注ヘッド駆動装置10と、基台8よりも下部に設けられて分注ヘッド駆動装置10およびシール装置等をそれぞれ制御可能な制御装置と、基台8よりも下部に設けられたゴミ箱9とを備えている。 (もっと読む)


【課題】液滴と背景との輝度差が小さい場合であっても、液滴部分の画像の抽出を容易とし、また、液滴の拡大画像を効率的に取得し得る結晶観察装置を提供する。
【解決手段】この結晶観察装置は、結晶化プレート12のウェル13内の液滴の表面を照らす照明装置14と結晶化プレート12との間に遮光板20を配している。そして、この遮光板20は、液滴の表面に明るい部分およびそれよりも暗い部分をつくるように配置される。ここで、液滴は、その中央部が周縁部よりも厚い平凸のレンズをなしている。そのため、遮光板20によって、液滴表面の照度の低い部分に、液滴のレンズ効果で屈折してできた照度の高い部分を投影させ、これにより、液滴の輪郭を明瞭にする。 (もっと読む)


【課題】超音波受信器の配置数を低減してその設備コストや設置工事コストを下げ、故障の発生が少ない超音波測位装置を提供する。
【解決手段】送信元信号Sを超音波として発信する超音波発信器20と、所定の距離間隔を隔てて配置された複数の超音波受信器30と、超音波受信器30で受信された送信元信号Sから超音波発信器20の位置を演算する演算装置と、を備えた超音波測位装置10において、超音波受信器30が、送信元信号Sを受信する超音波センサ34と、超音波センサ34に対向して配設され、超音波発信器20より発信された送信元信号Sを反射して、超音波センサ34へと導く反射部材36とを含み、反射部材36は、超音波センサ34の検出軸Lに沿った断面において、超音波センサ34側を頂点とし、V字型に配置される一対の傾斜面部361を有する。 (もっと読む)


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