説明

シチズンファインテックミヨタ株式会社により出願された特許

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【課題】 圧電体の表面に精度良く電極を形成するための圧電振動子の製造方法を提供する。
【解決手段】 圧電体の一方の主面の電極に対応した開口を有し、圧電体を位置決めするための突起部を有する第1のマスクと、圧電体の他方の主面の電極に対応した開口を有し、圧電体を位置決めするための突起部を有する第2のマスクとの間に圧電体を配置する工程と、第1のマスクと第2のマスクとを相対的に移動することで圧電体の外形縁部を第1のマスク及び第2のマスクのそれぞれの突起部に当接させ、第1のマスク及び第2のマスクの開口と前記圧電体を位置決めする工程と、圧電体を位置決めした状態で圧電体に電極を形成する工程とを有する圧電振動子の製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】パッケージとして半導体材料を用いた従来技術の圧電デバイスにおいて、その貫通電極配線部に生じる問題点を解決し、特性が安定しておりかつ小型化を実現できる圧電デバイスを提供する。
【解決手段】圧電デバイスのパッケージ外面および中空部の少なくとも一部の表面に絶縁体膜16が施されており、パッケージ中空部であって該絶縁体膜16上に第一の電極が設けられ、さらに、第一の電極とパッケージを挟んで相対するパッケージ外面の絶縁体膜16上に第二の電極が設けられ、パッケージにおいて前記第一の電極あるいは前記第二の電極が設けられた領域部分の少なくとも一方の少なくとも一部分が凹部19又は20をなし、前記凹部19又は20の底面が前記パッケージの一部を挟んで他方の電極と対向し、前記第一の電極と前記第二の電極の間は交流的に電気的接続が可能となる圧電デバイスとする。 (もっと読む)


【課題】基板に発生する捻り応力により貫通電極が破損することのない電極構造、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】平面視矩形状の基板21に形成された二つの貫通電極24a、24bは、基板21の外形を成す互いに対向する二辺のうち、短辺側の二辺各々の中間を通る直線Lに沿って配置されている。これにより、直線Lを軸として発生する基板21の捻り応力が貫通電極24a、24bに大きく作用するのが回避されるため、応力による貫通電極24a、24bの破損を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】圧電振動片の形状を高精度に形成すると共に、製造工程中における異物の発生を抑制することが可能な圧電振動片の製造方法を提供する。
【解決手段】溝付の圧電振動片の製造方法において、圧電振動片の外形を形成するためのレジストパターンと溝部3を形成するためのレジストパターンを一度の露光、現像処理により一つのレジストパターン33aとして形成すると共に、そのレジストパターン33aのうち溝部3に対応するパターン(開口部)が形成された領域を保護する保護層31を、そのレジストパターン33aの形成前に予め形成しておく。保護層31をレジストパターン33aの形成前に形成すれば、微視的に立体構造物であるレジストパターン33aの起伏の影響を受けずに保護層31を精確にパターンニングすることができる。 (もっと読む)


【課題】 接着剤の塗布量を正確に測定でき、品質、信頼性の高い圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とするものである。
【解決手段】 基板上に配置されている電極部を画像認識し、得られた画像データを平坦部と傾斜部とに2値化して平坦部と傾斜部のそれぞれの面積を算出する工程と、前記電極部に導電性接着剤を塗布する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極部を画像認識し、得られた画像データを平坦部と傾斜部とに2値化して平坦部と傾斜部のそれぞれの面積を算出する工程と、前記導電性接着剤が塗布された電極部の傾斜部面積と導電性接着剤塗布前の前記電極部の傾斜部面積との面積差を算出する工程と、前記面積差が所定の範囲内にあるか否かを判定する工程と、前記判定後に前記導電性接着剤が塗布された電極上に圧電振動片を搭載する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】応力による外部接続端子の剥離や、それに伴う貫通電極の破損を防止した電極構造および電子デバイスを提供する。
【解決手段】前記コンタクトホール10aの内径は、外部接続端子6側の内径よりも貫通電極7側の内径の方が大きくなるように形成されている。また、コンタクトホール10aは、外部接続端子6側から貫通電極7側に向かって前記絶縁膜厚の中間位置まで同一径で形成されてなる垂直壁面部と、前記中間位置から貫通電極7に向かって徐々にその内径が大きくなるように形成されてなる傾斜壁面部を有した構成になっている。このような構成にすることで、コンタクトホール10a内に充填される導電性部材11と第二絶縁膜10との密着面積が増加するので応力に対する剥離強度を上げることができる。 (もっと読む)


【課題】貫通電極を有する半導体基板の製造方法、半導体基板、および半導体基板を用いた圧電デバイスにおいて、貫通電極部と半導体基板間の浮遊容量は絶縁層の厚みに反比例するため、浮遊容量を低減させる貫通電極形成プロセスを提供する。
【解決手段】半導体基板1上に形成した犠牲層3に沿ってドライエッチングにより貫通微細孔4を形成する工程にて、貫通微細孔4の外側に、少なくとも1つの環状孔5を形成し、貫通微細孔4に熱酸化により絶縁層を形成する工程にて、貫通微細孔4表面の酸化膜と環状孔5を埋める酸化膜、及び、貫通微細孔4と環状孔5との間の半導体基板1の薄肉部に埋めこまれた酸化膜とを一体化した、絶縁層を形成する。 (もっと読む)


【課題】振動子の製造過程において振動子に必要以上の熱をかけることなく振動子片と気密端子の接合を確実に行い、信頼性の高い振動子を提供する。
【解決手段】振動子片と気密端子とを接合材で接合した振動子の製造方法において、気密端子に接合材を塗布する工程と、振動子片と前記接合材が塗布された気密端子とを相互に位置決めし支持治具に搭載する工程と、前記振動子片と気密端子とを接合する前に前記支持治具を加熱する工程と、前記接合材を溶融し前記振動子片と気密端子とを接合する工程と、を有することを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】マザー基板の分断において、上下基板のズレをなくす液晶パネルの製造方法を提供する。
【解決手段】第1マザー基板と、第2マザー基板とを接合して第1マザー基板及び第2マザー基板をレーザースクライブしてブレークする液晶パネルの製造方法であって、第1マザー基板の第2マザー基板と対向する第1の面と、第2マザー基板の第1マザー基板と対向する第2の面のレーザースクライブ位置には遮蔽膜を形成せず、前記レーザー光線は前記第2の面に焦点を合わせて第2マザー基板をスクライブし、次に前記レーザー光線の焦点を第1マザー基板のレーザー光線入射面に合わせて第1マザー基板をスクライブする液晶パネルの製造方法とする。 (もっと読む)


【課題】応力により貫通電極が破損したり導電パターンが基板から剥離することのない電極構造、及び電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板21の下面に配設された二つの外部接続端子28a、28bに、基板21の下面に向かって突出する突出部30を設ける。突出部30は、外部接続端子28a、28bと一体的に形成され、第三の絶縁層27を貫通することで、そこに埋設された状態となっている。外部接続端子28a、28bに作用した応力は、貫通電極24a、24bと各突出部30との間で分散されて貫通電極24a、24bに集中することはなく、それらの破損が防止されると共に、突出部30が基板21に対するアンカーとして機能することで、外部接続端子28a、28bの基板21に対する密着力が高まり、それらの剥離が防止される。 (もっと読む)


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