説明

光洋サーモシステム株式会社により出願された特許

171 - 180 / 180


【課題】電気や光等を導通路でガイドして検出を行うことにより、調整が容易で設計の自由度も高い連続熱処理炉を提供する。
【解決手段】駆動端側が同期して回転駆動される多数のローラ3上に被処理材を載置して加熱炉内を搬送することにより熱処理を行う連続熱処理炉において、各ローラ3の従動端部の周縁部に、回転側導電体6を介して接続された一対の回転側導電端子7,7が配置されると共に、各ローラ3の従動端部の周縁部外側に、一対で1組となる第1導電端子8,8と第2導電端子9,9が2組配置され、各ローラ3における各組の一方の第1導電端子8や第2導電端子9が、隣接するローラ3の対応する組の他方の第1導電端子8や第2導電端子9と第1電線10や第2電線11を介して接続された構成とする。 (もっと読む)


この発明による半導体処理装置用電気ヒータは、複数のゾーンから構成されており、これらのゾーンのうち高負荷がかかる少なくとも1つのゾーン(例えば、ボトムゾーン)の発熱体が二珪化モリブデンからなる非金属抵抗発熱体であり、残りのゾーン(例えば、中間ゾーンおよびトップゾーン)の発熱体がライト・ゲージ・オーバーベントからなる金属抵抗発熱体である。
(もっと読む)


【課題】ガラス状炭素からなるプロセスチューブ1をその外側の電磁誘導加熱コイル3で電磁誘導加熱することにより、温度制御を高速で行い熱処理作業のスループットを向上させることができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】気密にしたプロセスチューブ1内を加熱して内部の被処理物Sを熱処理する熱処理装置において、プロセスチューブ1をガラス状炭素で構成すると共に、このプロセスチューブ1の外側に電磁誘導加熱コイル3が配置された構成とする。また、このプロセスチューブ1と電磁誘導加熱コイル3との間に石英チューブ2を配置し、電磁誘導加熱コイル3を水冷式とした構成とする。 (もっと読む)


【課題】多数のローラ上に被処理物を載置して搬送して熱処理を行うにあたり、1組の投受光器を用いるだけで、ローラの折損事故を十分に高い信頼性で検出することができる連続熱処理炉を提供する。
【解決手段】駆動端側が同期して回転駆動される多数のローラ3上に被処理材を載置して加熱炉内を搬送することにより熱処理を行う連続熱処理炉において、直線上に並んだ複数のローラの従動端部の前後に1組の投光器6と受光器7を配置すると共に、これら複数のローラの従動端部に、それぞれ共通の位相角範囲内でのみ、投光器からの光を通過させるスリット8aが形成された円盤を取り付けた構成とする。 (もっと読む)


【課題】 消費電力を削減し、装置の横幅寸法を縮小し、装置コストの削減を図ることのできる焼成装置を提供する。
【解決手段】 焼成装置は、焼成炉11と、焼成炉11内両側面にそれぞれ備えられているヒータ12と、互いに間隔をおいて炉長さ方向にのびた2つの搬送経路を有しかつ各搬送経路上で基板Pを搬送方向と平行に立てた状態で搬送する搬送装置13と、両搬送経路の間をのびている給気管31および排気管32とを備えている。 (もっと読む)


【課題】板状の被処理材を浮揚させて炉内を搬送することにより熱処理を行う際に、被処理材の上下からガスを吹き付けて搬送することにより、この被処理材の搬送を安定化し熱処理を均一化することができる連続熱処理炉を提供する。
【解決手段】ガラス基板1を浮揚させて加熱した炉内を搬送することにより熱処理を行う連続熱処理炉5において、炉内の下部に上方に向けてエアーAを噴出させる噴出口7bを熱板7aに設けた下部空気室7が配置されると共に、この炉内の上部に下方に向けてエアーを噴出させる噴出口8bを熱板8aに設けた上部空気室8が配置された構成とする。 (もっと読む)


【課題】大型の板状処理物であっても温度のバラツキを抑制しながら一度に多数枚の板状処理物を効率良く冷却できる板状処理物冷却装置を提供する。
【解決手段】中央付近に多数の吹出し孔2aを備え且つ側辺に取込み口2bを備えた中空の棚板2であって、その上面に板状処理物Pを支える支持部材3を配設した棚板2を、冷却室1の内部に一定間隔をあけて上下に複数段設置し、取込み口2bに冷却用エアーを送る送気ファン5を設置すると共に、棚板中央付近の吹出し孔2aから棚板周辺に向かって流れる冷却用エアーを室外へ排出する換気ファン7を設置した構成の板状処理物冷却装置とする。棚板2の中央付近の吹出し孔2aから冷却用エアーを周辺に向かって流すことにより、板状処理物Pの温度のバラツキを抑制して変形、反り、破損等を防止する。 (もっと読む)


【課題】浸炭時間を短縮することでガス浸炭に要するエネルギー及びガスの消費量を減らすことができるガス浸炭方法を提供する。
【解決手段】ガス浸炭方法における第1の工程においては、δ鉄と液相からγ鉄に変態する包晶点以下であって、液相からγ鉄とセメンタイトに変態する共晶点以上の浸炭温度において、鋼製処理対象物の表面炭素濃度が固溶限以下の最終目標値に到達するまで、前記処理対象物を浸炭ガスを含む浸炭雰囲気において加熱する。第1の工程の後の第2の工程においては、前記浸炭ガスのカーボンポテンシャルを時間経過に伴って減少させることで、前記処理対象物の表面炭素濃度を最終目標値に維持しつつ、前記処理対象物の浸炭深さが増加するようにガス浸炭を進行させる。 (もっと読む)


【課題】 製造誤差があっても所定範囲で取付調整が可能な半導体ウエハを加熱する縦型炉における熱電対装置の取付構造を提供する。
【解決手段】 熱電対装置7の横管部7bが、ポート8aの一端側を支点として他端側でフランジ10及びOリング9によって上下に移動可能になるように支持し、取付位置が上下に調整可能にすることにより縦管部7aとの角度誤差を吸収し要求精度誤差を緩和する。 (もっと読む)



171 - 180 / 180