【課題】上下方向の複数段で熱処理できる構成でありながら、上下の各段の間でガスが混ざり合うことを防止することのできる熱処理炉を提供する。
【解決手段】断熱性を有する炉壁１０に囲まれることにより炉内に単一の加熱室９が形成されている炉本体１と、前記単一の加熱室９に上下方向に複数段設けられ各段でワークＷを水平方向に搬送する搬送部３１，３２，３３と、これら搬送部３１，３２，３３によってワークＷが搬送される搬送路Ｒ１，Ｒ２，Ｒ３毎に加熱室９を上下方向複数段に仕切る仕切部材７ａ，７ｂ，７ｃと、これら仕切部材７ａ，７ｂ，７ｃによって仕切られた段毎に炉内環境を調整する調整装置８ａ，８ｂ，８ｃとを備えている。 （もっと読む）

【課題】 環状の被加熱物に生じる熱変形を抑制することができるとともに、炉内の熱損失を低減することができる加熱炉を提供する。
【解決手段】 円筒状の外側炉壁３の内周内方に内側炉壁４を配置し、外側炉壁３の内周面３ａには外側発熱体５を、内側炉壁４の外周面４ａには内側発熱体６をそれぞれ配置する。環状の被加熱物Ｗの外周面が外側炉壁３の内周面３ａに対向するとともに、当該被加熱物Ｗの内周面が内側炉壁４の外周面４ａに対向した状態で炉床２に載置された当該被加熱物Ｗを、その外周側から外側発熱体５により加熱処理するとともに、内周側から内側発熱体６により加熱処理する。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成により、適宜的に、熱処理空間の内部の雰囲気を熱処理空間の外部に対して完全に独立させることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】真空加熱炉１０は、真空容器１２、および真空容器１２に対して着脱可能な炉芯管３０を備える。真空容器１２は、炉芯管端部支持部２２、炉芯管導入部２５、挿通孔１９１を有する第１のマッフル蓋体１８２および第１の断熱材蓋体２０２、ならびに挿通孔１９３を有する第２のマッフル蓋体１８４および第２の断熱材蓋体を備える。第２のシール部３４は、炉芯管側フランジ部材３４８、真空用ベローズ３４２、およびガス流入出ユニット３５０を備え、炉芯管３０を真空容器１２に気密に接続可能にするように構成される。 （もっと読む）

【課題】プロセスチューブおよびマニホールドの内部にガス導入管を配置する場合にも、プロセスチューブおよびマニホールドの有効内径を極力大きくすることが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】縦型炉１０は、プロセスチューブ１６、マニホールド１８、およびガス導入管１８４を少なくとも備える。プロセスチューブ１６は、その内面に、ガス導入管１８４の上端部を支持可能なガス導入管支持部１６２を有する。マニホールド１８は、その内面に、ガス導入部１８２に連通するように構成され、かつ、ガス導入管１８４の下端部が挿入可能に構成された支持穴１８５を有する。ガス導入管１８４は、その下端部がマニホールド１８の支持穴１８５に挿入され、その上端部がプロセスチューブ１６のガス導入管支持部１６２によって支持される。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、反応管内に配置された各ワークに対するガスの供給を均一化することが可能な熱処理装置を提供する。
【解決手段】 ガス導入部１６２は、マニホールド１６に配置されるとともに、インナーチューブ１４内のワーク２４に対してガスを噴出可能なガス吹出口１６６を有する。インナーチューブ１４は、ワーク２４を挟んでガス吹出口１６６に対向する位置に配置され、かつ、反応管１１の長さ方向に沿って延びるように形成された長孔状の開口部１４４と、開口部１４４の少なくとも一部を閉塞可能な板状のカバー部材１４２を備える。カバー部材１４２は、開口部１４４に対する相対位置を調整可能に支持される。カバー部材１４２は、開口部１４４の開口領域の幅が、ガス排出部１６４に近づくほど狭くなるように配置される。 （もっと読む）

【課題】アンモニアガスを含む排ガスをアンモニアガス濃度に影響されずに安定して処理することができ、処理後のガスの排気に際して燃焼炎の発生を無くすことができる排ガス処理装置およびそれを備えた排ガス処理設備を提供する。
【解決手段】
排ガス処理装置３の加熱室本体２３内に、アンモニアガスを含む排ガスを内部に流通するレトルト本体２２を設置し、レトルト本体２２の内部に、多数の微小な穴２１ｂを形成した複数のニッケル含有板材２１ａからなる第１の触媒層２１を設ける。また、レトルト本体２２の下流側には、第２の触媒層を有する分解室３１を設ける。
これにより、加熱室本体２３内で加熱されたレトルト本体２２の内部で、アンモニアガスを分解、燃焼すると同時に、第１の触媒層２１の触媒作用によりアンモニアガスを分解、燃焼する。アンモニアガスが残存しているときには、第２の触媒層の触媒作用によりアンモニアガスを分解、燃焼する。 （もっと読む）

【課題】天井の高さが低い場合や上部炉殻を横行移動させる必要がある場合でも、支障なく適用することができる熱処理炉用の昇降装置を提供する。
【解決手段】第１横桁３０３に支持された上部フレーム４１０Ａと、ロータリーレトルト炉１の下部炉殻１１２を取り付ける下部フレーム４１０Ｂとを、Ｘリンク式のリンク機構４を介して連結した。両フレーム４１０Ａ，４１０Ｂの間でＸリンク４１を伸縮駆動手段４３により伸縮させて、ロータリーレトルト炉１の上部炉殻１１１を昇降させる。 （もっと読む）

【課題】 加熱室内の圧力が異常に上昇した場合にも、その異常に上昇した圧力を迅速に解放することができる加熱炉を提供する。
【解決手段】 加熱室１０を内部に有する炉体１１に、炉体１１の側壁１１ｃに開口し加熱室１０内の圧力を加熱室１０の外部に解放する圧力解放口１４を設け、断熱性を有する圧力解放扉３によって圧力解放口１４を開放可能に密閉する。ロック手段４によって圧力解放口１４を密閉した状態で圧力解放扉３をロックする一方、加熱室１０の圧力が加熱炉１本体を破損させるおそれのある限界圧力以上に上昇した際に、圧力解放扉３のロックを解除する。 （もっと読む）

【課題】故障が抑制され、長寿命であり、かつ酸窒化処理工程の処理効率を維持しつつ、排ガスをモニターすることができるガス検出装置およびそれを備えた酸窒化処理設備を提供する。
【解決手段】半導体の製造に用いる酸窒化処理設備１のガス検出装置３０において、排ガスを希釈するための希釈用ガスを搬送する希釈用ガス流路３３、および処理炉１０から排出された排ガスと希釈用ガスとを混合して混合ガスを生成する混合ガス流路３５を設ける。これにより、希釈用ガスにより排ガスを希釈して、窒素酸化物を検出するセンサ部３６に一定時間に導入される窒素酸化物や硝酸ガスの量を低減し、ガス検出装置の故障を抑制し、長寿命化を図り、かつ酸窒化処理工程の処理効率を維持しつつ、排ガスのモニターを可能にする。 （もっと読む）

【課題】スループットを犠牲にすることなく、消費電力の削減を図ることが可能な基板処理システムおよび基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板処理システム１０は、搬送部１５、第１の処理チャンバ１６、第２の処理チャンバ１８、およびメイン制御部３０を備える。搬送部１５は、ワーク２０を搬送する搬送ロボット２２を備える。第１の処理チャンバ１６および第２の処理チャンバ１８は、搬送部１４の周囲に配置される。第１の処理チャンバ１６および第２の処理チャンバ１８は、それぞれワーク２０の搬入時および搬出時に開閉可能な扉１６２、１８２を有する。メイン制御部３０は、搬送ロボット２２が、第１の処理チャンバ１６または第２の処理チャンバ１８のいずれか一方に連続してアクセスすることなく交互にアクセスするように、搬送ロボット２２および扉１６２、１８２の動作を制御する。 （もっと読む）