【課題】収率よく式（２）で示される第三級アミンを製造する方法を提供すること。
【解決手段】水素化触媒の存在下に、式（１）：
Ｒ−ＣＨＯ （１）
（式中、Ｒは炭素数２〜８のアルキル基を表す。）で示されるアルデヒドをアンモニア及び水素と還元的アミノ化反応させて式（２）：
（Ｒ−ＣＨ_２）_３Ｎ （２）
（式中、Ｒは前記に同じ。）で示される第三級アミンを製造するにあたり、反応系内に式（１）で示されるアルデヒドを供給しながら還元的アミノ化反応させることを特徴とする、第三級アミンの製造方法。 （もっと読む）

【課題】樹脂の透明性を損なうことなく、樹脂に優れた帯電防止能を付与できる、チオシアナートイオンをアニオンとするアンモニウム塩を有効成分として含有する樹脂用帯電防止剤及び該樹脂用帯電防止剤を含む帯電防止性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 式（１）：
Ｒ^１Ｒ^２Ｒ^３Ｒ^４Ｎ^＋ＳＣＮ⁻ （１）
（式中、Ｒ^１及びＲ^２は炭素数４〜１８のアルキル基、Ｒ^３は炭素数１〜１８のアルキル基、Ｒ^４は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｒ^１〜Ｒ^４は互いに同じであっても、異なっていてもよい。）で表されるアンモニウム塩を有効成分として含有することを特徴とする樹脂用帯電防止剤、式（１）中、Ｒ^１とＲ^２がデシル基、Ｒ^３とＲ^４がメチル基であるアンモニウム塩（すなわち、ジデシルジメチルアンモニウム＝チオシアナート）並びに該樹脂用帯電防止剤を含有することを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 従来の帯電防止剤である水溶性の第４級アンモニウム塩に比べて、帯電防止剤として用いたときに、環境の変化、特に湿度の変化に対しても比較的安定した帯電防止性能が期待できる新規なピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート塩を提供することを課題とする。
【解決手段】 式（１）：
【化１】


（式中、Ｒは炭素数８〜１０のアルキル基を示す。）で表される４−メチル−１−アルキルピリジニウム＝ヘキサフルオロホスファート塩に関する。 （もっと読む）

【課題】 従来のｐ−ドデシルベンゼンスルホナートをアニオンとする常温で固体の第４級アンモニウム塩を樹脂用の帯電防止剤として用いるときに比べて、樹脂との相溶性が改善され、種々の樹脂に対して帯電防止剤として使用しうることが期待できる、常温で液体の新規な第４級アンモニウム塩を提供すること。
【解決手段】
種々の樹脂に対して帯電防止剤として使用しうることが期待できる式（１）：


（式中、Ｑ^＋はトリオクチルメチルアンモニウムカチオン又はＮ−ヘキシル−４−メチルピリジニウムカチオンを示す。）で表される第４級アンモニウム塩。 （もっと読む）

【課題】原料であるクロロ（トリクロロメチル）ピリジン化合物を析出させることなく、工業的に従来法と同程度の収率でピリジンカルボニル化合物（４）を製造できる方法の提供。
【解決手段】クロロ（トリクロロメチル）ピリジン化合物と濃硫酸との混合物を、溶媒である電子吸引性基を有する芳香族炭化水素化合物中で加熱した後、得られた中間生成物を水又はアルコールと反応せしめることを特徴とする式（４）：


（式中、Ｒ^４は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を表す。）で示されるピリジンカルボニル化合物の製造方法。 （もっと読む）

【課題】高耐久性及び低駆動性のリン光発光素子を可能にするリン光発光素子材料及びこれを用いたリン光発光素子を提供すること。
【解決手段】 式（１）：


（式中、Ｒ^１〜Ｒ^４はそれぞれ互いに同じであっても異なっていてもよく、水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）で表されるビス（カルバゾール−９−イル）アリール類を含有することを特徴とするリン光発光素子材料、及びこれを含有することを特徴とするリン光発光素子。 （もっと読む）

【課題】高収率でＮ−置換−ホルミルピペリジン類（２）を製造する方法の提供。
【解決手段】式（１）：


（式中、Ｒはアリール基又はアラルキル基を表す。）で示されるＮ−置換−ヒドロキシメチルピペリジン類を、ニトロキシド遊離基を有する化合物の存在下、次亜ハロゲン酸アルカリ金属塩で酸化反応せしめて式（２）：


（式中、Ｒは前記に同じ。）で示されるＮ−置換−ホルミルピペリジン類を製造するにあたり、アルカリ金属臭化物の存在下で、かつニトロキシド遊離基を有する化合物及びアルカリ金属臭化物を含有する混合物中に、次亜ハロゲン酸アルカリ金属塩及び式（１）で示されるＮ−置換−ヒドロキシメチルピペリジン類を加えながら反応を行うことを特徴とする、Ｎ−置換−ホルミルピペリジン類の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 従来法と比べて、アルコキシピリジン類（３）の経時着色が少ない、精製アルコキシピリジン類（３）の製造方法を提供すること。
【解決手段】 塩基の存在下で、式（１）：


（式中、Ｒ^１は水素原子又は炭素数１〜４のアルキル基を示す。）を式（２）：Ｒ^２−Ｘ （２）（式中、Ｒ^２は炭素数１〜４のアルキル基を示し、Ｘはハロゲン原子を示す。）で表されるハロゲン化アルキル類と反応せしめて得られた粗製の式（３）：


（式中、Ｒ^１及びＲ^２は前記に同じ。）で表されるアルコキシピリジン類を酸水溶液で処理することを特徴とする精製アルコキシピリジン類の製造方法。 （もっと読む）

【課題】低温反応によって、着色性の不純物を実質的に生じさせることなく従来製法と同等以上の収率で白色のＮ−フルオレニル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン誘導体を製造できる方法を提供すること。
【解決手段】パラジウム触媒、第三級ホスフィン類及び塩基の存在下で、フルオレン化合物をジフェニルアミン化合物と反応せしめて、Ｎ−フルオレニル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン誘導体を製造するにあたり、第三級ホスフィン類が式（４）：


で示される第三級ホスフィン類であることを特徴とするＮ−フルオレニル−Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミン誘導体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】蒸留による分離が困難であった不純物を除去することができるアルキルアミノピリジン類の精製方法を提供すること。
【解決手段】式（１）：


（式中、Ｒは炭素数１〜６のアルキル基を表す。）で示されるアルキルピリジンカルボキシアミド類をホフマン分解して得られる式（２）：


で示されるアルキルアミノピリジン類を精製するにあたり、該アルキルアミノピリジン類を酸と混合してアルキルアミノピリジン類の酸塩を得た後、次いで該アルキルアミノピリジン類の酸塩を塩基で処理することを特徴とするアルキルアミノピリジン類の精製方法。 （もっと読む）