【課題】より広い温度域で融着できるシール材及びその製造方法並びにそのシール材を用いた固体酸化物形燃料電池を提供する。
【解決手段】アルカリ含有非晶質シリカ粒子をみず供給後に３００℃以上５００℃以下に加熱することにより発泡させる脱炭素処理により炭素含有量Ｃ／Ｓｉが低下されたアルカリ金属含有非晶質シリカ粒子を含有する、シール材とし、該シール材は固体酸化物形燃料電池の多孔質基材及び緻密質基材をそれぞれシールする。 （もっと読む）

【課題】優れたバリア性能を有するＥＢＣ膜を形成することができるアルミナ薄膜形成用材料、及びこの材料を用いてなる環境バリアコーティング膜を備える耐熱部材、並びにバリア性能の簡便な評価方法及びそれに用いる簡易な構造の評価装置を提供する。
【解決手段】本発明のアルミナ薄膜形成用材料は、アルミナ粉末と、希土類化合物粉末とを含有し、環境バリアコーティング膜の形成に用いられる。また、本発明の耐熱部材は、耐熱基材と、その表面に、本発明のアルミナ薄膜形成用材料を用いて設けられた環境バリアコーティング膜と、を備える。更に、本発明のバリア性能評価方法及びバリア性能評価装置は、本発明のアルミナ基焼結材料を用いてなるＥＢＣ膜のバリア性能を、容易に、且つ効率よく、評価することができる方法及び装置である。 （もっと読む）

【課題】電解質と接触する表面積が大きく、より大容量である電気化学キャパシタに適したカーボンナノチューブを用いた電気化学キャパシタ及びその製造方法及びその製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】本電気化学キャパシタは、第１基板１１と、第１集電電極１２と、正極である第１電極１３と、セパレータ１４と、負極である第２電極１５と、第２集電電極１６と、第２基板１７と、をこの順に備え、第１電極と第２電極との間に充填された電解液１８を具備し、第１電極及び第２電極は、炭化ケイ素膜を熱分解して得られたカーボンナノチューブが複数立設したカーボンナノチューブ層を具備し、少なくとも第２電極のカーボンナノチューブの表面に貴金属粒子が付着していることを特徴とする。付着している貴金属粒子の酸化還元反応により、従来の電気二重層キャパシタよりもより多くの電荷を蓄積することができる。 （もっと読む）

【課題】耐熱性及び耐水蒸気性に優れた、多孔質膜及びその製造方法並びに多孔質複合体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の多孔質膜は、平均細孔径が１０ｎｍ以下の細孔を有し、Ａｌ元素と、Ｎｉ元素と、Ｏ元素とを含む多孔質体からなる。上記Ａｌ元素及び上記Ｎｉ元素の含有割合は、これらの酸化物であるＡｌ_２Ｏ_３及びＮｉＯを用いて換算したとき、これらの合計１００モル％に対して、Ａｌ_２Ｏ_３が６０〜９９モル％であり、ＮｉＯが１〜４０モル％であることが好ましい。また、本発明の多孔質複合体３は、無機材料からなる多孔質基材１と、該多孔質基材１の表面に形成された、上記本発明の多孔質膜２とを備える。 （もっと読む）

【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件下でのエピタキシャル成長用基板として好適な炭化珪素基板の製造方法を提供する。
【解決手段】カーボンの供給を抑えた反応室１内条件下、炭化珪素基板４をアルゴン雰囲気下にてエピタキシャル成長温度まで昇温させて基板４の表面をアルゴン処理し、エピタキシャル成長温度に到達した段階で昇温のための加熱およびアルゴンガス供給を停止する炭化珪素エピタキシャル用基板４の製造方法。 （もっと読む）

【課題】水素ガスを含む混合ガスから、水素ガスを選択的且つ効率的に分離することができ、長期に渡って、安定したガス分離性能を有し、耐久性に優れる水素選択性ガス分離膜を提供する。
【解決手段】本発明の水素選択性ガス分離膜は、４００℃以上の水素ガス中で金属として存在する元素Ｍと、Ｓｉ元素と、Ｏ元素とを含み、且つ、Ｓｉ−Ｏ結合を有する水素選択性ガス分離膜において、モル比Ｍ／Ｓｉが０．０６〜０．１９である。上記元素ＭがＣｏ元素である場合、好ましいモル比Ｃｏ／Ｓｉは、０．０９〜０．１９である。また、上記元素ＭがＮｉ元素である場合、好ましいモル比Ｎｉ／Ｓｉは、０．０６〜０．１４である。 （もっと読む）

【課題】カーボンの供給を抑えた反応室内条件での平滑な表面を与えるＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法を提供する。
【解決手段】水素ガスによるＳｉＣ基板表面の平坦化処理において、カーボンの供給を抑えた反応室内条件下にＳｉＣ基板の昇温中にハイドロカーボンを供給し、エピタキシャル成長温度に到達後にハイドロカーボンの供給を停止又は減らして、引き続き水素ガスを供給してＳｉＣ基板表面をエッチングすることを特徴とするＳｉＣ基板表面の平坦化処理方法。 （もっと読む）

【課題】塩基性を有する物質又は熱硬化性樹脂に対する低密着性を有する低密着性材料と、高い離型性を有する成形型と、塩基性を有する汚れ又は熱硬化性樹脂からなる汚れに対する防汚性を有する防汚性材料とを提供する。
【解決手段】塩基性を有する流動性樹脂１３を硬化させて硬化樹脂１４、１５を形成する場合において使用される成形型８が、塩基性を有する物質又は熱硬化性樹脂に対して低い密着性を有する低密着性材料７から構成されている。低密着性材料７は、Ｙ_２Ｏ_３からなる母材３とその母材３の表面近傍に設けられ窒素を含む機能層９とを有し、イオン注入法を使用して母材３の表面近傍に窒素を含有させることによって製造される。窒素の含有量は、１０^１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３を超え１０^２２ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＦＣのセル強度を高めてセルを薄くできるＳＯＦＣの単セル用構造体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】酸化物イオン伝導性セラミックス材料を含有する緻密質セラミックス材料層を挟んで２つの多孔質セラミックス材料層が対向される積層構造を備える、固体酸化物形燃料電池の単セル用構造体とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、基底面転位などの欠陥が著しく低減された炭化珪素結晶からなる半導体基板を製造することが可能な、半導体基板の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、炭化珪素単結晶基板を用い、上記炭化珪素単結晶基板の表面を水素エッチング処理する第１水素エッチング工程と、上記炭化珪素単結晶基板の上記第１水素エッチング工程において水素エッチング処理された表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなるバッファ層を形成するバッファ層形成工程と、上記バッファ層の表面を水素エッチング処理する第２水素エッチング工程と、上記水素エッチング処理されたバッファ層の表面上に、炭化珪素結晶をエピタキシャル成長させることにより、炭化珪素結晶からなる仕上層を形成する仕上層形成工程と、を有することを特徴とする半導体基板の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）