【課題】経時変化や温度依存性が小さく、また繰り返し使用できて正確な値を測定可能な面圧センサを提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上に直接形成された複数の金属抵抗型ひずみゲージ１２とを具備し、基板１１の下面側には、1又は複数の金属抵抗型ひずみゲージ１２に対応する位置に、基板１１が変形可能となるような凹部１４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高精度にトルクを計測すること。
【解決手段】トルク計測装置１は、１次側構造体４と、２次側構造体３と、の間に架け渡された金属製かつ梁状の起歪部５と、起歪部５におけるトルク中心軸に垂直な面に配置され、起歪部５の歪量を検出する薄膜型歪センサと、薄膜型歪センサによって検出された歪量に基づいて直接トルク計算を行う信号処理部と、を備えている。起歪部５を介して一方の構造体から他方の構造体へトルクが伝達されている。 （もっと読む）

【課題】高いヤング率を有し、その温度係数が小さい恒弾性合金、及びこれを使用した精密機器を提供する。
【解決手段】Ｃｏ20〜40％、Ｎｉ10〜20％、Ｃｒ5〜15％と、Ｃａ、Ｓｒ、Ｂａのそれぞれ２％以下のIIａ族元素及びIIａ族元素のフッ素化合物のそれぞれ1％以下の1種以上の合計0.0001〜5％、及び副成分としてＭｏ、Ｗをそれぞれ１０％以下、Ｖ、Ｎｂ、Ｔａ、Ｃｕ、Ｍｎ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆをそれぞれ７％以下、Ａｕ、Ａｇ、白金族元素、Ａｌ、Ｓｉ、希土類元素をそれぞれ５％以下、Ｂｅ３％以下、Ｂ、Ｃをそれぞれ１％以下の１種以上の合計０．００１〜１５％を含有する合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、加工率50％以上の線引き加工を施して所望の太さの線材とし、550〜720℃の温度で加熱する。ヤング率190ＧＰａ以上及び0〜40℃におけるヤング率の温度係数(-5〜5)×10^−５を有する。 （もっと読む）

【課題】高周波スパッタリング法等により一括して製造することができ、半導体ナノスケール粒子がＮｂ_２Ｏ_５単相マトリクスに均一に分散した構造の半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式Ｇｅ_{１００−ｘ−ｙ}Ｎｂ_ｘＯ_ｙ（ただし、７０≦ｘ＋ｙ≦９８、２０≦ｘ≦２８、５０≦ｙ≦７０であり、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、その結晶構造が、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＧｅ相がマトリクス（３）としてのＮｂ_２Ｏ_５相中に分散した複合構造を有する。この複合構造薄膜材料は、高周波スパッタリング法により上記一般式で表されるアモルファス薄膜を成膜し、これを不活性雰囲気中において５００〜８００℃で熱処理して結晶化することにより製造される。 （もっと読む）

【課題】 従来の薄膜誘電体は、薄膜化することにより特性が劣化する。
【解決手段】 ナノグラニュラー構造を有する薄膜誘電体：（イ）組成：一般式Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＭ_ｗＮ_ｘＯ_ｙＦ_ｚ，Ｍ成分はＭｇ，Ａｌ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｙ，Ｚｒ，Ｎｂ，Ｈｆ及び/又はＴａ，組成比ａ,ｂ,ｃ,ｗ,ｘ,ｙ,ｚは原子比率（％）で、０≦ａ≦６０，０≦ｂ≦６０，０≦ｃ≦６０，1０＜ａ+ｂ+ｃ＜６０，１０≦ｗ≦５０，０≦ｘ≦５０，０≦ｙ≦５０，０≦ｚ≦５０，２０≦ｘ+ｙ+ｚ≦７０、ａ＋ｂ＋ｃ＋ｗ＋ｘ＋ｙ＋ｚ＝１００である；（ロ）構造：Ｆｅ，Ｃｏ及び/又はＮｉからなり、かつｎｍサイズを有する金属グラニュールが、Ｍ成分とＮ，Ｏ及びＦの少なくとも1種とからなる絶縁体マトリックスに分散している。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノスケール粒子がマトリクス中に３次元的に均一に分散した構造を有し、低コスト化が可能である、光電子素子として好適な半導体ナノ複合構造薄膜材料およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体ナノ複合構造薄膜材料（１）は、一般式(Ｐｂ_５０−ｘＺｎ_ｘ)Ｍ_５０（ただし、２６≦ｘ＜５０、Ｍ：Ｓ、ＳｅおよびＴｅの一種または二種、各元素の添字は原子比率を示す）で表され、半導体ナノスケール粒子（２）としてのＰｂＭ相がマトリクス（３）としてのＺｎＭ相中に均一に分散した複合構造を有する。この薄膜材料は、熱平衡状態に近い環境が実現される気相成膜手法により、上記一般式で表される化合物組成の熱力学的相分離機能を利用して成膜される。 （もっと読む）

【課題】 加工性が良好で、機械的強度が高く、熱膨張係数が小さい高強度低熱膨張合金、及びこれを使用した精密機器を提供することにある。
【解決手段】Ｎｉ30〜38％、Ｃｏ1〜7％とＭｇ、Ｃａ、Ｓｒ、ＢａのIIa族元素のフッ素化合物のそれぞれ1％以下、合計で0.0001〜3％、及び残部Ｆｅからなる合金を、900℃以上融点未満の温度で焼鈍した後冷却し、ついで加工率60％以上の線引加工を施して所望の太さの棒又は線になすか、または、さらに当該棒又は線を70〜500℃の温度で加熱する。高強度低熱膨張合金の引張強さは1000MPa以上、-50〜100℃における熱膨張係数は(-1〜+1)×10^−６℃^-1である。 （もっと読む）

【課題】 従来の歪及び温度を同時に検知するセンサは感度が悪い、誤差が大きい、補償回路を必要とする。
【解決手段】 導電性基板上に絶縁性膜を形成し、さらに当該絶縁性膜上に又は絶縁性基板上に温度センサ材料及び歪センサ材料を成膜してなり、歪による温度測定誤差が０．５Ｋ以内で、かつ温度による歪量測定誤差百分率が５０％以内の精度で温度及び歪を同時に検出する。 温度センサ材料が、温度感度２０００ｐｐｍ／Ｋ以上及び歪感度５以下の特性を有し、歪センサ材料が、歪感度２以上及び温度感度±２０００ｐｐｍ／Ｋ以内の特性を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、歯牙の着脱によりセンサの摩耗、劣化が生じず、医療実習中に歯牙に加わる荷重を測定することができる歯牙模型、歯列模型、顎模型、頭部模型、医療用実習装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る歯牙模型は、人工歯牙４と、人工歯牙４を着脱可能に設置する基台１と、一端が人工歯牙４に、他端が基台１にそれぞれ固定された曲げ部材２と、曲げ部材２上に設けられ、曲げ部材２の歪みを検出する歪み検出部５とを備える。そして、本発明に係る歯牙模型は、歪み検出部５で検出した曲げ部材２の歪みに基づき人工歯牙４に加えられた荷重を検出する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、ナノスケール量子サイズ効果を利用した赤、緑及び青を良好に発光する無機ＥＬ素子を作製する手段として、ナノスケールのＩｎＳｂ粒子もしくはＳｂ粒子と、主にマトリクスであるＡｌ酸化物を同時に含む複合構造薄膜材料を新規に提供することにある。
【解決手段】一般式（ＩｎＳｂ）_ｘＡｌ_ｙＯ_{１００−ｘ−ｙ}で表される平均直径１３０ｎｍ以下のＩｎＳｂナノ粒子、又は一般式Ｓｂ_ｘＡｌ_ｙＯ_{１００−ｘ−ｙ}（但し、０＜ｘ≦４０，２０≦ｙ≦４５，各数字は原子分率を示す）で表される平均直径６５ｎｍ以下のＳｂナノ粒子が主にＡｌ酸化物から構成される光機能性デバイス用薄膜材料並びにそれらを用いた光半導体素子を、薄膜製造装置、例えば高周波スパッタリング装置を用いて成膜を行う。なお、この際、基板として適当な基板、例えばガラス基板を用いる。成膜終了後、所望の特性を発現させるために、適当な雰囲気、例えば真空中において熱処理を施すことにより適当な形態の薄膜を製造する。 （もっと読む）