説明

三菱伸銅株式会社により出願された特許

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【課題】本発明により、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、製造コストが安価であり、光の指向性に優れ、対象となる表示部(受光部)へ的確にLED光線を照射することが可能なバックライト用発光装置を提供する。
【解決手段】光沢度が80〜110%であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag−Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150〜400W/(m・K)である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の側面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、前記凹部の底面に直接実装され前記カソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と配線により直列或いは並列に接続された複数個の発光素子と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成される。 (もっと読む)


【課題】各種種電子部品のリレー可動片やソケット端子等の素材として所定形状に曲げ加工後に、長時間に亘り高温及び高振動環境下で使用されても優れた耐疲労特性及びばね特性を有する。
【解決手段】1.0〜3.0質量%のNi、Niに対し1/6〜1/4の濃度のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、EBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、測定面積の45〜55%、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが0.8〜1.6°、粒径が100nmを超えるNi−Si析出物粒子の個数が0.2〜0.7個/μm、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.1〜0.4質量%である。 (もっと読む)


【課題】本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れ、光の指向性に優れ、対象となる表示部へ的確に光を照射することができる製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。
【解決手段】光沢度が80〜110%であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag−Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150〜400W/(m・K)である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板2と、異形断面板2の凹部3の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、凹部3の底面に直接実装されカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路の間に直列或いは並列に接続された複数個の発光素子4,4a,4bと、複数個の発光素子4,4a,4bを覆うように凹部3内を封止する透明樹脂とから構成される。 (もっと読む)


【課題】耐硫化性及び耐紫外線性に優れ、高い全反射率と優れた光の反射指向性を有する銅或いは銅合金板へのAg−Snめっき方法及びその方法により製造されたAg−Snめっきが施された銅或いは銅合金板が提供される。
【解決手段】銅又は銅合金板の表面に光沢Snめっき層を形成した後、前記Snめっき層の表面に形成された酸化膜をpH8〜10の弱アルカリ性の溶液中にて電解処理又は浸漬処理にて除去した後、Agを無電解めっき又は電気めっきした後、40〜60℃で30〜300秒間保持して完全に合金化したAgSn膜を形成した後、前記AgSn膜を20〜30℃のリン酸系酸化処理剤中に30〜120秒間浸漬することにより、前記AgSn膜上にSn酸化膜を形成する。 (もっと読む)


【課題】各種電子部品の素材として所定形状にて長時間に亘り高温及び高振動環境下での使用に耐え得る優れた深絞り加工性及び耐疲労特性を有するCu−Ni−Si系銅合金を提供する。
【解決手段】 1.0〜3.0質量%のNiを含有し、Niの質量%濃度に対し1/6〜1/4の濃度のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定したGoss方位密度が2.0〜6.0%であり、KAMの平均値が0.9〜1.5°であり、結晶粒界の全粒界長さLに対する特殊粒界の全特殊粒界長さLσの比率(Lσ/L)が60〜70%である。 (もっと読む)


【課題】はんだめっきとの密着性が良好で、はんだめっき後も0.2%耐力の上昇が少ない純銅薄板のスリット材で形成されためっき前の太陽電池用電極線材の平角状基材、その製造方法、耐久性に優れた太陽電池用電極線材を提供する。
【解決手段】Cuを99.90質量%以上含む純銅薄板のスリット材で形成され、表面の算術平均粗さRaが0.05〜0.3μm、最大高さRzが0.5〜2.5μm、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率(Rq/Rz)が0.06〜1.1であり、EBSD法にて、ステップサイズ0.5μmにて表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が5°以上である境界を結晶粒界とみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が4°未満である結晶粒の面積割合が、測定面積の80〜95%であり、測定面積内に存在する結晶粒の面積平均GAMが4°未満である。 (もっと読む)


【課題】本発明は、通常の表面処理剤にて、容易に迅速に均質に粗化され、粗化後の表面が樹脂密着性に優れた電子機器用のCu−Fe−P系銅合金条材を提供する。
【解決手段】Fe;1.5〜2.4質量%、P;0.008〜0.08質量%、Zn;0.01〜0.5質量%、残部がCuおよび不可避的不純物である組成を有し、表面から10μmまでの深さの範囲の結晶組織内のEBSD法にて測定したCube方位の方位密度が10〜20%であり、EBSD法にて測定した平均結晶粒径が10〜20μmであり、(111)面のX線回折ピーク強度Iと(220)面のX線回折ピーク強度Iとの比率I/Iが0.05〜2.5である。 (もっと読む)


【課題】本発明では、放熱性が良好で長期使用時の耐久性に優れた製造コストの安価なバックライト用発光装置を提供する。
【解決手段】光沢度が80〜110%であるSnめっき、Niめっき、Agめっき、Ag−Sn合金めっきからなるグループから選択された一種のめっきが表面に施された熱伝導率が150W/(m・K)以上である凸凹部を有する銅或いは銅合金異形断面板と、当該異形断面板の凹部の底面に直接実装された複数個の発光素子と、当該凹部の底面に形成されたカソードパターニング回路およびアノードパターニング回路と、当該複数個の発光素子間を直列接続する配線と、当該直列接続された複数個の発光素子の先頭の素子をアノードパターニング回路に接続する配線および末端の素子をカソードパターニング回路に接続する配線と、当該複数個の発光素子を覆うように前記凹部内を封止する透明樹脂とから構成される。 (もっと読む)


【課題】優れた耐クラック性を有し、その表面に施されるめっきとの密着性が良好である純銅板のスリット材で形成されためっき前の太陽電池用電極線材の平角状基材を提供する。
【解決手段】Cuを99.90質量%以上含む純銅薄板のスリット材で形成され、表面の算術平均粗さRaが0.05〜0.3μmであり、最大高さRzが0.5〜2.5μmであり、二乗平均平方根粗さRqと最大高さRzの比率(Rq/Rz)が0.06〜1.1であり、表面から深さ10μm以内における後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した結晶粒界の全粒界長さLに対する特殊粒界の全特殊粒界長さLσの比率(Lσ/L)が40〜90%である。 (もっと読む)


【課題】均質で欠陥のない金属蒸着膜を効率良く被蒸着体上に形成することができる真空蒸着装置を提供する。
【解決手段】真空チャンバー内に蒸着される金属を含有する円形坩堝と被蒸着体とを配置し、円形坩堝から気化した金属を被蒸着体の表面に蒸着させるようにした真空蒸着装置において、円形坩堝の開口部から当該円形坩堝の内面底部にまで達していない長さの当該円形坩堝の内周面に外接した金属円筒状体を設けたことを特徴とする。 (もっと読む)


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