【課題】高誘電率で優れた耐熱剥離性（密着力）有するフィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】ポリプロピレンフィルムまたはポリエチレンテレフタレートフィルムを基体とし、前記基体のフッ素化またはスルホン化された表面に金属蒸着膜が形成されていることを特徴とし、好ましくは、（イ）ポリプロピレンフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が５at％〜４８at％、または硫黄原子濃度が１at％〜２３at％であり、（ロ）ポリエチレンテレフタレートフィルム基体の表面のフッ素原子濃度が２at％〜５０at％、または硫黄原子濃度が１at％〜３０at％以下であるフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルム、および、該金属蒸着フィルムによって製造されたフィルムコンデンサ。 （もっと読む）

【課題】溶接部の接合不良や銅合金条材の変形を防止し、且つ、溶接部の機械的強度を向上させることのできる銅合金条材の突合せ溶接による接合方法を提案する。
【解決手段】突合せ部１０の両端部を含む両銅合金条材２，３の両側面部に、突合せ部１０の長さの４〜２０倍の長さを有する銅合金条材２，３と同等の材質からなる一対の補助接合部材２０を面接触させ、この面接触状態で、突合せ部１０を溶接ヘッド８により接合した後、一対の補助接合部材２０を除去する。 （もっと読む）

【課題】微細で均質な組織を有し、加工性が良好で、特に、重切削での加工を可能にした純銅板を得る。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８０％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、２５〜６０％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】熱間鍛造や熱間圧延後の、冷間鍛造や冷間圧延、及び、その後の熱処理が不要な純銅板の製造方法、及び、その製造方法により得られた微細な組織を有すると共に部分再結晶化によって双晶組織を形成させる事により、高い特殊粒界比率を付与した、特に、スパッタリング用銅ターゲット素材やめっき用アノード等に適した純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅のインゴットを、５５０℃〜８００℃に加熱して、総圧延率が８５％以上で圧延終了時温度が５００〜７００℃であり、かつ、1パス当たりの圧下率が５〜２４％の仕上げ圧延を1パス以上有する熱間圧延加工を施した後に、必要に応じて圧延終了時温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷する。 （もっと読む）

【課題】コストが安価で製造が容易な、フィルムコンデンサに異常が生じた際に保安機能を発揮し、通常は電極として作用する保安機能予備連続部を有するフィルムコンデンサ用金属蒸着フィルムを提供する。
【解決手段】帯状の誘電体フィルム２の少なくとも一面に導電性金属膜３を蒸着して金属蒸着フィルムを形成する工程と、金属蒸着フィルムを所定の幅寸法に切断する切断工程と、切断された金属蒸着フィルム１をリールにて巻取る巻き取り工程とを有し、切断工程、或いは、巻き取り工程において、金属蒸着フィルムの導電性金属膜面に、深さ方向にて誘電体フィルムにまで到達していない保安機能予備連続部４を形成する。 （もっと読む）

【課題】微細な結晶組織を有すると共に、適度な硬さを有し、また高い特殊粒界長さ比率を付与する純銅板の製造方法、及びその製造方法により製造されたスパッタリング用ターゲットやめっき用アノード等の純銅板を提供する。
【解決手段】純度が９９．９６ｗｔ％以上である純銅インゴットを５５０〜８００℃に加熱して、圧延率が８０％以上で圧延終了温度が５００〜７００℃である熱間圧延加工を施した後に、前記圧延終了温度から２００℃以下の温度になるまで２００〜１０００℃／ｍｉｎの冷却速度にて急冷し、その後、５〜２４％の圧延率で冷間圧延して焼鈍する。 （もっと読む）

【課題】全面的或いは部分的に銀めっきが施された銅又は銅合金屑から安全に短時間にて効率良く銀を剥離し、銀めっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用するリサイクル方法を提供する。
【解決手段】表面に銀めっきが施された銅又は銅合金屑を、脂肪族有機酸及びその塩の中から選ばれる少なくとも一種を含有する電解剥離液Ｅが入った電解槽中に浸漬し、前記銀めっきが施された銅又は銅合金屑Ｃに塩化銀標準電極８に対して、ポテンシオスタット５を使用し、３００〜１１００ｍＶの電位を負荷して銀めっきを効率的に電解剥離する。 （もっと読む）

【課題】高価な銀を使用することなくリードフレームとＬＥＤチップとを高い接合強度で簡単に接合することができる接合方法を提供する。
【解決手段】ＬＥＤチップ１のリードフレーム８と接合される部位に金を０．１〜１μｍの厚みにて蒸着するとともに、複数のめっき層あるいは合金層を形成した銅合金部材１１からなるリードフレーム８のＬＥＤチップ１と接合される部位の最表面が光沢度８０〜１１０％の錫めっき層１４としておき、リードフレーム８の錫めっきが施された部位にＬＥＤチップ１の金が蒸着された部位を重ね合わせ、その重ね合わせ状態で２４０〜３００℃の温度に加熱することにより、リードフレーム８の錫めっきが施された部位と、ＬＥＤチップ１の金が蒸着された部位との間に、金錫共晶合金層１５を形成してＬＥＤチップをリードフレームに接合する。 （もっと読む）

【課題】油が付着した部分的な銀めっきが施された銅又は銅合金屑から安全に効率良く短時間にて銀めっきを剥離し、銀めっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金の製造用原料として使用するリサイクル方法を提供する。
【解決手段】表面に部分的な銀めっきが施された銅又は銅合金屑に脱脂処理を施した後に、脱脂処理後の銀めっきが施された銅又は銅合金屑に防錆剤を付着することにより防錆処理を施し、防錆処理後の銀めっきが施された銅又は銅合金屑を、脂肪族有機酸及びその塩の中から選ばれる少なくとも一種を含有する電解剥離液中に浸漬して銀めっきを電解剥離し、銀めっきが剥離された銅又は銅合金屑を銅又は銅合金屑の製造用原料として使用する。 （もっと読む）

【課題】引張り強さとばね限界値が高レベルでバランスの取れたＣｕ−Ｍｇ−Ｐ系銅合金
及びその製造方法を提供する。
【解決手段】質量％で、Ｍｇ：０.３〜２％、Ｐ：０.００１〜０.１％、残部がＣｕおよび不可避的不純物である組成を有する銅合金条材であり、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるＥＢＳＤ法にて、前記銅合金条材の表面の測定面積内の全ピクセルの方位を測定し、隣接するピクセル間の方位差が５°以上である境界を結晶粒界としたみなした場合の、結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差が４°未満である結晶粒の面積割合が、前記測定面積の４５〜５５％であり、引張強さが６４１〜７０８Ｎ／ｍｍ^２であり、ばね限界値が４７２〜５０３Ｎ／ｍｍ^２である （もっと読む）