説明

三菱伸銅株式会社により出願された特許

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【課題】導電率が90%IACS以上であり、400℃にて1時間加熱後のビッカース硬さが100以上であり、優れた曲げ加工性を有する半導体装置用リードフレームの素材として好適なCu−Fe−P系銅合金板を提供する。
【解決手段】Fe;0.05〜0.15質量%、P;0.015〜0.05質量%、Zn;0.01〜0.2質量%、Cr;0.0005〜0.003質量%を含有し、残部がCuおよび不可避的不純物からなる組成を有し、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した結晶粒内の全ピクセル間の平均方位差の結晶組織内の全結晶粒における平均値が2.5〜5.0°であり、Brass方位密度が11.0〜22.0%であり、Copper方位密度が13.0〜25.5%であり、平均結晶粒径が2.0〜6.0μmである。 (もっと読む)



【課題】優れたばね限界値及び耐応力緩和性を有するせん断加工性が良好なCu−Ni−Si系銅合金板。
【解決手段】1.0〜4.0質量%のNi、0.2〜0.9質量%のSiを含有し、残部がCu及び不可避的不純物からなり、表面から10μm未満の結晶組織において、後方散乱電子回折像システム付の走査型電子顕微鏡によるEBSD法にて測定した結晶粒界の全粒界長さLに対する特殊粒界の全特殊粒界長さLσの比率(Lσ/L)が60〜70%であり、粒径が100nmを超えるNi−Si析出物粒子の個数が0.2〜0.7個/μmであり、結晶粒内に固溶しているSiの濃度が0.03〜0.4質量%である。 (もっと読む)


【課題】車載用の駆動回路やモータ装置内部の回路基板等に使用されるプロジェクション溶接特性に優れたCu−Ni−Si系銅合金、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】Ni:1.0〜4.0重量%、Si:0.1〜1.0重量%、Zn:0.3〜0.7重量%、Sn:0.4〜0.8重量%を含有し、残りがCuおよび不可避不純物からなる組成を有し、結晶組織内のEBSD法にて測定したGOSの全結晶粒における平均値が2.5°〜5.0°であり、EBSD法にて測定した結晶粒界の全粒界長さLに対する特殊粒界の全特殊粒界長さLσの比率(Lσ/L)が15〜30%である。 (もっと読む)



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