【課題】対象物の表面における研磨材の残留を低減できる研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】複数種の研磨剤組成物を順次供給されている対象物の表面を同一の研磨パッドで擦る研磨方法において、複数種の研磨剤組成物のうちの一種の研磨剤組成物として用いられて、複数種の研磨剤組成物のうちの研磨材を含む研磨剤組成物の後に対象物の表面に供給され、コロイダルシリカと酸と水とを含み、コロイダルシリカはＨｅｙｗｏｏｄ径で測定された体積基準の粒度分布における粒子径５０ｎｍの累積体積頻度が３５％以上かつ前記粒度分布における粒子径１５ｎｍの累積体積頻度が９０％以下である研磨剤組成物。 （もっと読む）

【課題】適用範囲が広く研磨した表面における端面だれを低減できる研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】研磨材（但し中間アルミナを除く）、酸、酸化剤を含有する研磨剤組成物であって、研磨材の累積粒度分布のＤ１０およびＤ５０を用いて算出したＤ１０／Ｄ５０の値が０．５５以上である研磨剤組成物。 （もっと読む）

【課題】研磨レートを向上させ、うねり低減やロールオフ低減の目的で添加される中間アルミナにより生じるアルミナ固着を低減することのできる研磨剤組成物および磁気ディスク基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨材、中間アルミナ、酸、酸化剤、および水を含み、さらに、（ｉ）ホスホン酸基を二つ以上有する有機ホスホン酸キレート性化合物、（ｉｉ）分子中に繰り返し単位を有する分子量が５００〜１５００００の高分子陰イオン界面活性剤、（ｉｉｉ）所定の構造のポリオキシアルキレン基を有する有機リン酸エステル型陰イオン界面活性剤、から選ばれる少なくとも一種である、研磨対象へのアルミナ固着を低減するアルミナ固着低減剤を含む。 （もっと読む）

【課題】硬質基板を高い研磨速度にて研磨可能な研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】平均粒子径０．１〜１５μｍの多結晶ダイヤモンド及び／又は単結晶ダイヤモンドの砥粒と、多価アルコールと水とを含む水性分散媒とを含有し、粘度が２．０〜１００ｍＰａ・ｓである研磨剤組成物とする。 （もっと読む）

【課題】高い研磨レートで、表面粗度に優れた基板を作製することのできる研磨剤組成物を提供する。
【解決手段】本発明の研磨剤組成物は、パラタングステン酸アンモニウム、メタタングステン酸アンモニウム、タングステン酸カリウム、タングステン酸カルシウムなどのタングステン酸塩、タングステン酸、リンタングステン酸、ケイタングステン酸、リンタングストモリブデン酸などのタングステン系ヘテロポリ酸、タングステン系ヘテロポリリン酸塩、モリブデン酸、モリブデン酸塩、リンモリブデン酸、リンタングストモリブデン酸などのモリブデン系ヘテロポリ酸、モリブデン系ヘテロポリ酸塩からなる群から選ばれる少なくとも一種と、過酸化水素などの酸素供与剤、砥粒、ｐＨ調節剤及び水を含有してなる。本発明の研磨剤組成物を用いて、例えば、炭化ケイ素基板を効率的に研磨することができる。 （もっと読む）

【課題】表面精度を向上させるためにスクラッチ等を低減することができ、研磨工程において発泡が少なく、効率よく研磨することができる研磨剤組成物及び磁気ディスク基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】研磨剤組成物は、シリカ、酸、界面活性剤、酸化剤及び水を含有し、界面活性剤は、分子中に繰り返し単位と、スルホン酸（塩）基とを有し、さらに繰り返し単位の主鎖中に芳香族基を有する陰イオン界面活性剤である。陰イオン界面活性剤としては、ナフタレンスルホン酸系化合物、芳香族アミノスルホン酸系化合物、リグニンスルホン酸系化合物およびそれら塩が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】高い研磨速度で、被研磨面の表面粗度に優れたサファイア基板を作製することのできるサファイア基板用研磨液組成物、それを用いたサファイア基板の研磨方法を提供する。
【解決手段】サファイア基板用研磨液組成物は、サファイア基板を研磨するときに使用され、アルカノールアミン化合物とパーフルオロアルキル基を有するフッ素系化合物の少なくとも一方と、シリカ粒子、及び水を含有してなる。本発明のサファイア基板用研磨液組成物を用いてサファイア基板を研磨することにより、研磨速度を向上させ、被研磨面の表面粗度を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 硬脆材料の精密研磨加工に用いられて、硬脆材料の表面を高精度に研磨せしめることが出来ると共に、優れた研磨速度と研磨寿命とを実現し得る硬脆材料用精密研磨組成物を提供すること。
【解決手段】 ベース研磨材としてのコロイダルシリカに対して、ベース研磨材とは異なる粒度のコロイダルシリカ、及び研磨促進剤としてのキレート性化合物を、分散乃至は溶解させることで、硬脆材料用精密研磨組成物を構成した。 （もっと読む）

【課題】 ヒ化ガリウムウェーハを研磨するのに好適な半導体ウェーハ研磨液組成物を提供する。
【解決手段】 湿式合成シリカ７重量部、重合度１３〜１５のメタリン酸ナトリウム０．５重量部、ジクロロイソシアヌル酸ナトリウム２３．１重量部、トリポリリン酸ナトリウム３０．３重量部、硫酸ナトリウム３４．７重量部、炭酸ナトリウム４．４重量部を混合し、半導体ウェーハ研磨液組成物を調製した。この組成物１００重量部に対し、純水４９００重量部を添加し混合することにより半導体ウェーハ研磨用希釈液とした。得られた希釈液を両面研磨機の研磨パッドに供給しながらヒ化ガリウムウェーハを研磨したところ、表面粗さ（Ｒａ）が低くスクラッチ・傷の少ない被研磨面が得られた。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムウェーハを研磨するのに好適なウェーハ研磨液組成物を提供する。
【解決手段】 ５０％コロイダルシリカ８０重量部、３５％過酸化水素水５．０重量部、６０％ヒドロキシエチルジホスホン酸０．５重量部、１０％水酸化カリウム３．４０重量部、水１１．１重量部を混合し、濃厚液を調製した。ｐＨは、１０．１１であった。この濃厚液１００重量部に対し、純水１００重量部を添加し混合することによりウェーハ研磨液組成物とした。得られたウェーハ研磨液組成物を片面研磨機の研磨パッドに供給しながらゲルマニウムウェーハを研磨したところ、表面粗さ（Ｒａ）が低くスクラッチ・傷の少ない被研磨面が得られた。 （もっと読む）