【課題】 画素部を形成する前のＴＦＴ基板におけるゲート配線の断線及びショートを検出する。
【解決手段】 検査対象となる複数のゲート配線２と、ゲート配線２との間でそれぞれ配線間容量を構成可能な複数のＣＯＭ配線３と、を有するＴＦＴ基板１におけるゲート配線２の不良を検査する検査装置である。ゲート配線１に電圧を印加するパルス発生部と、ゲート配線２とＣＯＭ配線３との間の配線間容量を検出する容量検出器５０と、ＣＯＭ配線３と容量検出器５０との間に接続されたキャパシタンスを備える。 （もっと読む）

【課題】フォトリソ工程を簡便に削減できるパター形成方法を考案し、液晶表示装置の製造工程を大幅に削減できるＴＦＴの新しい製造方法を提供する。
【解決手段】ＴＦＴを構成する材料膜を絶縁膜基板上に積層して成膜してから、膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクを上記材料膜の最上層にパターニングして形成する。そして、このレジストマスクを用いたリフトオフの方法で導電体膜のパターン形成を行う。あるいは、別に形成した膜厚が互いに異なる複数の領域を有するレジストマスクをエッチングマスクにして積層した材料膜のうち複数の材料膜を順次に加工する。このような新規なパターン形成方法および加工方法により、従来の技術で５回のフォトリソ工程で製造していた液晶表示装置を２回あるいは３回のフォトリソ工程で製造する。 （もっと読む）

【課題】 当初の有機膜パターンがエッチングによるダメージや露光を受けていたりするような場合であっても、現像処理の後の有機膜パターンを所望の寸法・形状にすることが可能な基板処理方法を提供する。
【解決手段】 基板９０１上に形成された有機膜パターン９０１ａを加工する有機膜パターン加工処理を備える基板処理方法である。有機膜パターン加工処理では、有機膜パターン９０１ａを上方から加熱する加熱処理と、有機膜パターン９０１ａの少なくとも一部を縮小するか又は有機膜パターン９０１ａの一部を除去する本処理とをこの順に行う。 （もっと読む）

【課題】表示ムラを抑制し、製造コストが低く高品質な表示特性の液晶表示パネルを製造することができる液晶表示パネルの製造方法及び液晶滴下貼り合せ装置の提供。
【解決手段】配向処理を施した一対の基板の少なくとも一方に液晶材を滴下し、両基板を真空中で貼り合せた後、大気開放してギャップを形成する液晶パネルの製造方法において、一方の基板の表示面２０の複数の測定点において柱状スペーサの柱高さを測定した後、測定した柱高さに基づいて表示面２０内の柱高さの分布を推定し、柱高さの分布に基づいて、表示面２０を所定数に分割した分割ブロック２２毎に柱高さの平均値を算出し、柱高さの平均値と予め定めた基準値との差分に基づいて各々の分割ブロック２２に滴下する液晶材１２の滴下量を算出する。これにより、柱高さと液晶量の関係を高精度に制御して表示ムラを抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、ＩＴＯドライエッチング時の均一性を確保する。
【解決手段】パッシベーション膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程は、層間絶縁膜上にフォトレジストをパターン形成する工程と、フォトレジストをポストベークする工程を経ることなく、フォトレジストをマスクとしてパッシベーション膜３２にドライエッチングを施す工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成された当初の有機膜パターンが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターンに対する２回目の現像処理により前記有機膜パターンを新たなパターン形状に加工する処理をスムーズに行うことを可能とする基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板上に形成された当初の有機膜パターンが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、前記有機膜パターンに対し、前記有機膜パターンの表面に形成されたダメージ層を除去する前処理Ｓ１１と、前記有機膜パターンの少なくとも一部を縮小するか又は前記有機膜パターンの一部を除去する現像処理（２回目）Ｓ１２と、をこの順に行う。前処理Ｓ１１によりダメージ層を除去した後で現像処理Ｓ１２を行うので、２回目の現像処理Ｓ１２をスムーズに均一性良く行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 少なくとも有機絶縁膜を有する層間絶縁膜上に透明導電膜をパターン形成する液晶表示装置の製造方法において、プラズマ処理による抵抗増大を防止する。
【解決手段】 層間絶縁膜は無機絶縁膜３２上に有機絶縁膜３３を有する構成である。層間絶縁膜を介してスイッチング素子に接続される透明電極７１、７２を層間絶縁膜上に形成する工程を有する。その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造工程数を大幅に増加させることなく、ゴミ付着に起因するパターン不良を解消させるリペア方法を提供する。
【解決手段】 レジスト膜１１５は、ソース電極１０９、ソース配線１１０、画素電極１１１、ドレイン電極１１２、ドレイン配線１１３、半導体膜１０７及び保護膜１０８を少なくとも覆い、さらにその周囲のゲート絶縁膜１０６を覆うように形成する。さらに、このレジスト膜１１５をマスクとしたウェットエッチングとドライエッチングとの併用エッチングを順番に行う。このエッチングにより、ゲート絶縁膜１０６上に存在するパターン残り１１６や１１７がエッチングされる。 （もっと読む）

【課題】リフロー距離を所望の値に正確に制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０１内に導入された暴露処理用ガス３３は、ガス吹き出し板２１に形成された開口２１１を通って基板１に吹き付けられる。ガス吹き出し板２１により、暴露処理用ガス３３は均一に基板１に吹き付けられるため、基板１の全面に渡ってリフロー距離Ｌを精度良く制御することができる。しかも、摂氏１０℃乃至８０℃の範囲内において±０．５℃以内の誤差で基板の温度を制御するので、処理が一層均一化及び安定化される。 （もっと読む）

【課題】リフロー距離を所望の値に正確に制御することができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー１０１内に導入された暴露処理用ガス３３は、ガス吹き出し板２１に形成された開口２１１を通って基板１に吹き付けられる。ガス吹き出し板２１により、暴露処理用ガス３３は均一に基板１に吹き付けられるため、基板１の全面に渡ってリフロー距離を精度良く制御することができる。 （もっと読む）