【課題】正確なドーズ量制御を実現できるイオン注入方法を提供する。
【解決手段】ウエハ１７へのイオン注入中に、イオンビーム電流を計測するとともに、真空ビームライン室２０または真空処理室３０内で動作する構造体の位置の変化に応じて変化する真空コンダクタンスの変化を求め、さらに上記真空ビームライン室または真空処理室内に設置された真空計２１で計測される１個所ないし複数個所の真空度の変化を検知し、上記求めた真空コンダクタンスと１個所ないし複数個所の真空度とを用いてイオンビーム電流量を補正し、ウエハに注入するドーズ量を制御する。 （もっと読む）

【課題】不純物導入層形成装置の静電チャックの性能劣化を抑制する。
【解決手段】静電チャック保護方法は、真空環境で揮発性を有する物質を含む異物の付着を妨げるための保護表面２３を、露出されたチャック面１３に提供することと、チャック面１３に静電吸着された基板Ｗに、真空環境で揮発性を有する物質を含む表層を形成するプロセスを実行するために、保護表面２３を解除することと、を含む。保護表面２３は、チャック面を取りまく真空環境に低真空排気運転を実施しているときに提供されてもよい。 （もっと読む）

【課題】ウエハ面内の最低イオン注入量と最高イオン注入量の比が５倍以上になるような２次元イオン注入量面内分布を実現するイオン注入方法を提供する。
【解決手段】メカニカルにウエハを走査するウエハ走査領域長と、イオンビームのビーム走査速度を、同時に制御しながらウエハにイオン注入する注入方法を、イオンビームに対するウエハ回転角を変える毎に行い、これをウエハ１回転の間に複数回繰り返すことにより、ウエハ面内全面領域にイオン注入しながら、２次元イオン注入量面内分布を実現する。 （もっと読む）

【課題】不純物を含む表層から基板に不純物を注入するための、実用性に優れるプラズマ処理装置及び基板処理方法を提供する。
【解決手段】プラズマ処理装置１０は、不純物を含む基板Ｗの表層から要求される注入深さへ不純物を注入するプラズマ処理のためのプラズマ処理パラメタ設定部１３を備える。プラズマ処理パラメタは、プラズマ処理により不純物濃度が基準値に等しくなる基板表面からの深さを決定づける主パラメタ例えばバイアス電圧と、不純物濃度を基準値に飽和させる飽和範囲をもつ副パラメタ例えばプラズマ処理時間と、を含む。設定部１３は、要求される注入深さから主パラメタを設定する第１設定処理と、副パラメタを設定する第２設定処理と、を実行する。 （もっと読む）

【課題】ウエハのステップ回転を用いることなくイオン注入を行う場合に、プラズマを利用した工程及びアニール工程で発生しやすい面内不均一パターンに対応した形状に対応した２次元イオン注入量面内分布を実現する。
【解決手段】イオンビームを往復走査し、イオンビーム走査方向に直交する方向にウエハをメカニカルに走査して、イオンをウエハに注入するに際し、イオンビーム走査方向のビーム走査速度とメカニカル走査方向のウエハ走査速度を同時かつ独立に、速度補正量を規定する別々の制御関数を用いて速度制御して、他の半導体製造工程のウエハ面内不均一性を補正するための等方的な同心円形状のウエハ面内イオン注入量分布を生成する。 （もっと読む）

【課題】イオン注入方法において、ウエハをメカニカルスキャン方向において複数の注入領域に分け、その注入領域ごとにビームスキャン速度を可変にし、それによってウエハ内のイオン注入量を制御する場合に、それぞれの注入領域のビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を共に固定しながら注入領域ごとに目的のイオン注入量分布とイオン注入量とを実現する。
【解決手段】各注入領域ごとのイオン注入量分布に対応するビームスキャン速度の可変設定により算出した速度パターンに基づいてビームスキャン速度を変更制御し、ウエハスキャン速度を各注入領域ごとに制御することにより、ウエハ面内の各注入領域のイオン注入量を制御するとともに、前記各注入領域ごとのビームスキャン速度の制御におけるビームスキャン周波数とビームスキャン振幅を一定とするよう構成し、各注入領域に所望のイオン注入量分布を有するイオン注入を実現する。 （もっと読む）

【課題】 側壁部及び上部の平面部を持つ立体凹凸部分を形成した三次元デバイスとしての半導体装置において側壁部及び上部の平面部へ均一に高濃度の不純物を低エネルギードーピングできる方法を提供する。
【解決手段】 シリコン基板１の表面上に加工によりシリコンFin部１１を形成した後、該シリコンFin部の側壁及び上部の平面部へドナーもしくはアクセプターとなる不純物原子を含む不純物薄膜を、堆積膜として上部の平面部には厚く、側壁には薄く堆積する工程と、前記シリコンFin部における前記堆積膜の斜め上方から斜め方向のイオン注入と反対側の斜め上方から斜め方向のイオン注入を行なうとともに、該イオン注入によって、前記不純物原子を堆積膜内部からシリコン基板の前記シリコンFin部の側壁内部及び上部の平面部内にリコイルして導入させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】プラズマドーピングによる不純物注入の実用化に寄与する。
【解決手段】半導体基板Ｗに不純物を添加するためのプラズマドーピング装置１０は、チャンバ１２と、チャンバ１２に気体を供給するための気体供給部１４と、供給された気体のプラズマをチャンバ１２に発生させるためのプラズマ源１６と、を備える。基板Ｗに添加されるべき不純物元素を含む原料ガスと、水素ガスと、原料ガスを希釈するための希釈ガスと、を含む混合ガスがチャンバ１２に供給される。 （もっと読む）

【課題】ビーム照射効率を向上させるとともにドーズ量の面内均一性を維持できるイオンビームスキャン処理方法を提供する。
【解決手段】ビームチューニングにおいて、ビームスキャン幅最大（ＢＳＷ１）時のビーム電流のスキャン（Ｘ）方向分布特性を測定し、このときのスキャン電圧補正関数１５ｗを演算する。これに基づいて横（Ｘ）方向ドーズ量均一性を満たしながら予定された各ビームスキャン幅（ＢＳＷ１〜３等）に対応する各スキャン電圧補正関数１５ｗを複数個自動計算する。続いて、メカニカルＹスキャン位置に応じてスキャン電圧補正関数を切り替えてウエハの片側のビームスキャンエリアをＤ形状にしてビームスキャンエリアを削減する。別の片側は一定のスキャンエリアであり、こちら側のサイドカップ（Ｐ１側の７６）のビーム電流を測定し、その測定値に応じてメカニカルＹスキャン速度を変化させることにより、縦（Ｙ）方向ドーズ量均一性を確保する。 （もっと読む）

【課題】 これまでのイオン注入処理に比べて、高い時間効率で高濃度のキャリア不純物原子を、通常のイオン注入の処理時間で低エネルギードーピングできる方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板としてのシリコン基板１１の表面上に加工により突出部を形成した該シリコン基板の内部においてドナーもしくはアクセプターとなる不純物原子を含む不純物薄膜を、堆積膜１３としてシリコン基板の表面上に堆積する工程と、前記突出部における前記堆積膜の斜め上方からイオン注入を行なうとともに、該イオン注入によって、前記不純物原子を堆積膜内部からシリコン基板の前記突出部の表面内部にリコイルさせる工程と、を含む半導体装置の製造方法。 （もっと読む）