【課題】ウエハ径７０ｍｍ以上の大口径で、厚さ２４０μｍ以下まで薄板化した場合でも、反り量が４０μｍ以下となるＧａＰ単結晶ウエハを収率よく提供する。
【解決手段】加工して得られるＧａＰ単結晶ウエハのウエハ径Ｌ_Ｗに対する、結晶育成に用いるルツボの内径Ｌ_cの比Ｌ_c／Ｌ_wを、１．７以上１．９以下とし、引き上げ方向の結晶長１ｍｍあたりにおける、育成中のＧａＰ単結晶と融液の間の固液界面形状の凸度の変化量を±１．３ｍｍ以内に規制することにより、反り量が４０μｍ以下であるＧａＰ単結晶ウエハを９０％以上の収率で得ることを可能とする。 （もっと読む）

【課題】板厚の薄いガーネット基板に、膜厚の薄いビスマス(以下、Ｂｉと略記する)置換希土類−鉄ガーネット膜(以下、ＲＩＧ膜と略記する)が選択された場合、得られるＲＩＧ膜表面に発生する放射状、直線状のクラックが抑制された短波長向けＲＩＧ膜の液相エピタキシャル成長方法を提供する。
【解決手段】ＲＩＧ膜の成分を溶かしたフラックス液面に、ガーネット基板を接触させてＲＩＧ膜を成長させる液相エピタキシャル成長方法であって、ガーネット基板の板厚が２００μｍ以上３５０μｍ以下、ＲＩＧ膜の膜厚が１００μｍ以上３００μｍ以下であることを特徴とし、特に、ガーネット基板の板厚をＴ(μｍ)、ＲＩＧ膜の膜厚をｔ(μｍ)としたとき、上記要件に加えて、下記(数１)を満たすことを特徴とする。
-２Ｔ＋７００（μｍ） ≦ ｔ ≦ -４Ｔ＋１５００（μｍ） （数１） （もっと読む）

【課題】ＬＥＤ用の基板として用いられるＳｉ添加ＧａＰ単結晶をＬＥＣ法により製造するに際して、得られる単結晶の結晶成長軸方向におけるキャリア濃度の変化を低減させる。
【解決手段】Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶を製造する方法において、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の引き上げ速度を、Ｓｉ添加ＧａＰ単結晶の固化率が０．１５〜０．３の範囲で切り換えると共に、切換前の平均引き上げ速度が、５ｍｍ／ｈｒ〜１２ｍｍ／ｈｒの範囲となり、かつ、切換後の平均引き上げ速度が、前記切換前の平均引き上げ速度に対して０．２〜０．９の範囲となるように、前記引き上げ速度を制御する。好ましくは、Ｂ₂Ｏ₃の水分量を２００ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】 濡れ性、応力緩和性及び加工性に特に優れ、３００℃程度のリフロー温度に十分耐えることができる高温用のＰｂフリーはんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｚｎを主成分とするＰｂフリーはんだ合金であって、Ａｌを１.０質量％以上９.０質量％以下含有し、Ｇｅを０.００１質量％以上０.０５０質量％未満含有し、Ｍｇは４.０質量％を超えて含有しておらず、Ａｇは４.０質量％を超えて含有しておらず、Ｐは０.５００質量％を超えて含有しておらず、残部が製造上、不可避的に含まれる元素を除きＺｎから成る。このＰｂフリーはんだ合金は、更にＭｇ及びＡｇのうちの少なくとも一方を、Ｍｇの場合は０.０１質量％以上、Ａｇの場合は０.１質量％以上含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】永久磁石用として使用されるＣｕ含有希土類−鉄−硼素系合金粉末とそれを還元拡散法により低コストで効率的に製造する方法を提供。
【解決手段】希土類酸化物粉末もしくは希土類酸化物粉末および希土類金属粉末と、含鉄粉末、含硼素粉末からなる原料粉末に前記酸化物粉末を還元するのに十分な量の還元剤を混合し、還元拡散法によりＣｕ含有希土類−鉄−硼素系合金粉末を製造する方法であって、原料粉末として、さらに含銅粉末を組成範囲がＣｕ換算で０．００３〜１．５重量％となるように混合し、該混合物を不活性ガス雰囲気下で９００℃〜１２００℃の温度で０．５時間以上保持して熱処理し、得られた反応生成混合物を湿式処理した後、乾燥することを特徴とするＣｕ含有希土類−鉄−硼素系合金粉末の製造方法；この製造方法により得られたＣｕ含有希土類−鉄−硼素系合金粉末によって提供。 （もっと読む）

【課題】低温焼成が可能で、低い体積抵抗率が得られ、配線材料用として好適な銀被覆銅微粒子及びその分散液を提供する。
【解決手段】銅を主成分とする銅微粒子と銅微粒子表面の少なくとも一部を被覆している銀とからなる銀被覆銅微粒子であって、平均粒径が１０〜１００ｎｍ、相対標準偏差（標準偏差σ／平均粒径ｄ）が６０％以下であり、銀の銅に対する割合が０.３〜５質量％である。その銀被覆銅微粒子分散液は、溶媒中にエチレングリコール、ジエチレングリコール、トリエチレングリコールの少なくとも１種と、水及びエタノールの少なくとも１種を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】複雑な形状の被めっき物に対しても膜厚が均一にめっき被膜を形成する。
【解決手段】純Ｎｉをめっき用電極の形状に加工した後に、硫黄を付着させて熱処理することによって、純ニッケルの粒界に硫黄が存在し、硫黄の含有量が０．０１〜０．５０％であるニッケル陽極材である。 （もっと読む）

【課題】１５０℃以下の低い基板温度の成膜によっても、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下、可視波長（４００ｎｍ〜８００ｎｍ）において９８％以上の高い透過率を有する結晶性の透明導電膜を提供する。
【解決手段】Ｓｎ／Ｉｎが０．０１９〜０．１０２であり、かつ、Ｉｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．７７１〜０．９６７、Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１６〜０．０９１、Ｃｏ／（Ｉｎ＋Ｓｎ＋Ｃｏ）が０．０１５〜０．１５であり、相対密度が９８％以上、比抵抗が５×１０^-3Ω・ｃｍ以下である酸化物焼結体をスパッタリングターゲットとして成膜して透明導電膜を得る。 （もっと読む）

【課題】 アモノサーマル法により窒化ガリウムのバルク結晶を合成する際の原料などの用途に好適な窒化ガリウム粉末を、気相法により安価に且つ生産性良く製造する方法を提供する。
【解決手段】 塩化水素を８００〜１０００℃の温度でガリウム粉末と反応させて塩化ガリウムを生成し、得られた塩化ガリウムを８００〜１２００℃の温度でアンモニアと反応させて窒化ガリウムを合成する。得られた窒化ガリウムを含むガス雰囲気を１８５℃以上３３７.５℃未満の温度に制御することにより、反応副生成物の塩化アンモニウムを含まない窒化ガリウム粉末を分離回収する。 （もっと読む）

【課題】設備コストや作業負荷をかけることなく効率的に塩素浸出反応を促進させて、高い浸出率でニッケル混合硫化物から金属成分を浸出させることができる金属硫化物の塩素浸出方法を提供する。
【解決手段】金属硫化物を原料として、銅イオンを含む塩化物溶液中で塩素浸出する金属硫化物の塩素浸出方法であって、塩化物溶液中の塩濃度を２７０ｇ／Ｌ以上３５０ｇ／Ｌ以下に調整して塩素浸出する。 （もっと読む）