【課題】金属の湿式製錬における不純物除去処理の処理コストを低減するために製錬プロセス系内に保有する銅量を低減させた状態で、塩素ガスの大気中への揮散を防いで、金属硫化物から高い浸出率で金属成分を浸出させることができる金属硫化物の塩素浸出方法、並びにその塩素浸出方法を利用した金属の湿式製錬方法を提供する。
【解決手段】金属硫化物を原料として、銅イオンを含む塩化物溶液中で塩素浸出する金属硫化物の塩素浸出方法であって、塩化物溶液中の銅イオン濃度を３０ｇ／Ｌ以上とし、かつ、塩濃度を２７０ｇ／Ｌ以上３５０ｇ／Ｌ以下として塩素浸出する。 （もっと読む）

【課題】スパッタリングターゲットに利用された場合には異常放電等が抑制され、蒸着用タブレットに利用された場合にはスプラッシュ現象が抑制されるZn-Si-O系酸化物焼結体とその製法等を提供する。
【解決手段】酸化亜鉛を主成分とし、Siを含有するZn-Si-O系酸化物焼結体であって、Siの含有量が、Si／(Zn + Si)原子数比で0.1〜10原子％であり、Si元素がウルツ鉱型酸化亜鉛相に固溶していると共に、SiO₂相および珪酸亜鉛（Zn₂SiO₄）であるスピネル型複合酸化物相を含有していないことを特徴とする。上記焼結体の製法は、原料粉末であるZnO粉末とSiO_２粉末から得られた造粒粉を成形し、その成形体を焼成して上記焼結体を製造する際、700〜900℃の温度域を昇温速度5℃／分以上の速さで昇温させる工程と、成形体を焼成炉内において900℃〜1400℃で焼成する工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】銅イオンを含む塩化ニッケル水溶液から銅イオンを固定除去する方法において、塩化ニッケル水溶液中の銅濃度を低濃度域まで低減させると同時に、発生する硫化物の微細化を抑制して硫化物のろ過性を向上させることができる銅イオンの除去方法及びその銅イオン除去方法を適用した電気ニッケル製造方法を提供する。
【解決手段】銅イオンを含む塩化ニッケル水溶液に硫化ニッケルを添加して銅イオンを還元する還元工程Ｓ２１と、還元工程Ｓ２１を経て得られたスラリーに硫化水素を供給し、還元された銅イオンを硫化銅として固定化する銅イオン固定化工程Ｓ２２と、銅イオン固定化工程Ｓ２２を経て得られたスラリーを固液分離する固液分離工程Ｓ２３とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属の湿式製錬のプロセス系内に保有する銅量を低減させた状態でも、金属硫化物からの金属成分の浸出反応を促進させることができる金属硫化物の塩素浸出方法、並びにその塩素浸出方法を利用した金属の湿式製錬方法を提供する。
【解決手段】金属硫化物を原料として銅イオンを含む塩化物溶液中で塩素浸出する金属硫化物の塩素浸出方法であって、塩化物溶液中の塩化物イオン濃度を３５０ｇ／Ｌ以上に調整して塩素浸出する。 （もっと読む）

【課題】優れた貫通耐性を有し、高い可視光透過率と高い熱線遮蔽機能と低いヘイズ値であり、耐候性にも優れた熱線遮蔽用合わせ透明基材と、当該熱線遮蔽用合わせ透明基材に用いる熱線遮蔽およびその製造方法を提供する。
【解決手段】熱線遮蔽機能を有する微粒子と、可塑剤と、色抜け防止剤とを含有するポリビニルアセタール樹脂を含む熱線遮蔽膜であって、前記熱線遮蔽機能を有する微粒子が、一般式Ｍ_ｙＷＯ_Ｚ（但し、Ｍは、Ｃｓ、Ｒｂ、Ｋ、Ｔｌ、Ｉｎ、Ｂａ、Ｌｉ、Ｃａ、Ｓｒ、Ｆｅ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｃｕから選択される１種類以上の元素、０．１≦ｙ≦０．５、２．２≦ｚ≦３．０）で示され、かつ六方晶の結晶構造を持つ複合タングステン酸化物微粒子である熱線遮蔽膜およびその製造方法、当該熱線遮蔽膜を用いた熱線遮蔽用合わせ透明基材を提供する。 （もっと読む）

【課題】例えばリチウムイオン電池の廃電池等の金属複合体からの有価金属の回収プロセス等、焙焼による金属複合体の酸化処理と、その後の熔融処理を含むプロセスにおいて、酸化処理の処理効率を高め、且つ、プロセス全体に必要となる添加物の総量を節減することにより、従来よりも処理コストの低減が可能な有価金属回収方法を提供すること。
【解決手段】金属複合体を焙焼して酸化処理を行う際に、焙焼用容器の積載面上にフラックスを含有する粒状付着防止剤を積載し、積載された粒状付着防止剤上に金属複合体を載置した状態で、金属複合体を焙焼して酸化する。酸化工程に引き続き行われる熔融工程において、酸化処理された金属複合体と、粒状付着防止剤の一部又は全部とを、同一の熔融炉に投入して熔融する。 （もっと読む）

【課題】 正負極集電体層及び正負極活物質層、固体電解質層の各薄膜を有する薄膜固体二次電池において、各薄膜の形成を塗布法という簡便な方法により行う薄膜固体二次電池用の薄膜の製造方法とそれに用いる塗布液、及びこの製造方法で得られる薄膜、並びにその薄膜を用いて、薄型化、小型化、低コスト化が図られた薄膜固体二次電池を提供する。
【解決手段】 基板上に順次形成されている正極集電体層、正極活物質層、固体電解質層、負極活物質層、負極集電体層から成る積層構造、あるいは、これと逆の順に基板上に形成されている負極集電体層、負極活物質層、固体電解質層、正極活物質層、正極集電体層から成る積層構造を有する薄膜固体二次電池における正極活物質層、固体電解質層、負極活物質層の少なくとも一つ以上の薄膜の製造方法であって、薄膜が主成分として有機金属化合物を含有する塗布液を塗布して塗布膜を形成する塗布工程、前記塗布膜を乾燥して乾燥塗布膜を形成する乾燥工程、前記乾燥工程で形成された有機金属化合物を主成分とする乾燥塗布膜を無機化して、金属酸化物を主成分とする無機薄膜を形成する無機化工程の各工程からなる塗布法により形成され、無機化工程が酸素含有雰囲気下で加熱処理、エネルギー線照射処理、プラズマ照射処理の少なくともいずれかの処理により乾燥塗布膜に含まれる有機成分を分解または酸化、あるいは分解並びに酸化により除去することで金属酸化物を主成分とする微粒子で構成される無機薄膜（金属酸化物微粒子膜）を形成する工程であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光アイソレータ用ファラデー回転子として用いられるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）を主成分とする常磁性ガーネット結晶（組成式Ｔｂ_３Ｇａ_５Ｏ_１２）をチョクラルスキー法によって容易に製造できるＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法を提供する。
【解決手段】Ｃｚ法（回転引き上げ法）により、原料融液に種結晶を接触させて成長結晶を引き上げるテルビウム・ガリウム・ガーネット（ＴＧＧ）単結晶育成におけるシーディング方法において、種結晶として、ＴＧＧと同じガーネット構造の単結晶であり、融点が１７５０℃以上、かつＴＧＧとの格子定数差が±３％以下である結晶を用いることを特徴とするＴＧＧ単結晶育成におけるシーディング方法により提供する。本発明によれば、Ｃｚ法によって結晶を引き上げる際に、融点及びＴＧＧとの格子定数差が特定の種結晶を用いるので種結晶の溶解という問題が生じないので、シーディングの成功率が高くなり、高品質なＴＧＧ結晶が育成できる。 （もっと読む）

【課題】硫化水素ガスの発生を抑制できる金属の硫化物沈殿方法を提供する。
【解決手段】目的金属を含む酸性の処理液に硫化剤とアルカリ性水溶液を添加し、目的金属を硫化物として沈殿させる方法であって、硫化剤とアルカリ性水溶液とを混合し、その混合液を処理液に添加する。目的金属が処理液に残存している状態において硫化水素ガスの発生が抑制されるので、毒性のある硫化水素ガスの処理負荷を軽減できる。余分な硫化水素ガスが発生せず、硫化剤やアルカリ性溶液が効率的に硫化物の生成に使用されるため、硫化剤やアルカリ性溶液の使用量を少なくできコストを低減できる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、金属層表面の微小な凹みの少ない銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 ポリイミドフィルムの表面に乾式めっき法により形成した１次金属層上に湿式めっき法で銅層を積層した銅被覆ポリイミドフィルム基板の製造方法において、湿式めっき法を用いて銅層を積層する前に、ポリイミドフィルム或いは乾式めっき法により形成された１次金属層を有するポリイミドフィルムを、グリコール酸および硫酸を含有する水溶液中に浸漬する浸漬処理を施すことを特徴とする銅被覆ポリイミドフィルムの製造方法である。 （もっと読む）