【課題】半導体素子と基板との接合強度のばらつきを抑制し、得られる製品の歩留まりを向上させる。
【解決手段】半導体素子１と、少なくとも表面の主元素をＣｕとする基板２と、前記半導体素子より小さな形状のＺｎＡｌ共晶はんだチップ３’と、をそれぞれ準備する工程と、前記半導体素子と前記基板とをそれぞれの接合面が対向するように配置して、これら基板と半導体素子との間に前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを挟む工程と、前記基板と前記半導体素子との間に挟んだ前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップに荷重３１をかけながら昇温して、前記ＺｎＡｌ共晶はんだチップを融解させてＺｎＡｌはんだ層３を形成する工程と、前記ＺｎＡｌはんだ層に荷重をかけながら降温する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多成分混合溶解液などの溶液への溶解性が高い易溶解性三酸化モリブデンを提供する。
【解決手段】酸化物、硝酸塩、硫酸塩、炭酸塩および無機複合酸塩からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属化合物および／または有機酸化合物とともに溶媒に溶解して多成分混合溶解液を形成した場合において、該多成分混合溶解液が高清澄度である。溶解性が高いので、例えば、脱硫触媒等の製造などに使用される多成分混合溶解液の原料として使用すれば、本発明の易溶解性三酸化モリブデンを高濃度で添加しても多成分混合溶解液に溶解させることができる。したがって、多成分混合溶解液における各成分を広い範囲の調整することが可能となり、各成分が所定の割合となった溶解液を簡単に形成することができる。 （もっと読む）

【課題】タッチパネル用構造体として適用された際に透明導電膜の存在に起因して表示装置の視野が妨害される弊害を解消した透明導電膜構造体とその製法等を提供する。
【解決手段】透明基板とこの基板上に設けられた回路パターン形状を有する透明導電膜とで構成される透明導電膜構造体であって、透明導電膜の外縁近傍領域に、透明導電膜を貫通すると共に上記外縁と平行に設けられた複数のスリット群と非スリット群とで構成された屈折率緩衝部を有し、この屈折率緩衝部はその幅方向に亘って上記外縁と平行でかつ幅寸法が互いに同一の単位領域により区画されており、屈折率緩衝部における単位領域の屈折率が、透明基板と略同一の屈折率を有する最外側の単位領域から透明導電膜と略同一の屈折率を有する最内側の単位領域に向かって連続的に変化していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 坑内運搬用ダンプトラックの積載容量を増加させる。
【解決手段】
シャーシー上に取付けられた船底一方開形状のダンプボックス１０と、上記ダンプボックス１０の両側板に嵌合され前後方向に移動可能なプッシュプレート２０を車両後方に押し出すことにより、ダンプボックス１０内の積荷を排出するダンプ機構を備えるエジェクタータイプの坑内運搬用ダンプトラック１００において、上記ダンプボックス１０の後端部に設けられた下部テールゲート３０と上部テールゲート４０からなるテールゲート５０と、上記下部テールゲート４０を油圧シリンダー２１Ａ、２１Ｂにより開閉させる下部テールゲート駆動機構と、上記ダンプ機構による上記プッシュプレート２０の移動に連動して上記上部テールゲート４０を開閉させる連結機構とを備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】銅製錬を行う自熔炉等の加熱炉の壁体を構成するＨ型鋼を熱損傷から保護し、自熔炉の壁体の熱負荷に対する耐久性を向上することのできる水冷式Ｈ型鋼を提供すること。
【解決手段】加熱炉の壁体を構成するＨ型鋼を、Ｈ型鋼と、内部冷水路を有する銅製ジャケットと、を含んで構成され、銅製ジャケットが、Ｈ型鋼のウェブと両フランジ下部により形成されるコの字型の三面に当接して配置されている水冷式Ｈ型鋼とする。これにより、既存のＨ型鋼に対する簡易な加工により熱負荷に対して高い耐久性を付与することができる。 （もっと読む）

【課題】 ２６０℃以下のはんだ付け温度で接合でき、チップとパッケージの熱膨張係数差による機械的ストレスを吸収できると共に、表面実装時にも機械的ストレスの吸収が可能なサーバー用ＣＰＵ向けとして好適な無鉛Ｉｎ基はんだ合金を提供する。
【解決手段】 Ｉｎを主成分とし、Ｐｂを含まず、Ａｕ、Ａｇ、Ｃｕ、Ｓｂ、Ｚｎのいずれか１元素以上を添加した無鉛Ｉｎ基はんだ合金であって、溶解鋳造時の熔湯温度と鋳型温度との温度差ΔＴを３００℃以上に設定して鋳造し、その鋳塊を３０〜１００℃にて温間押出加工する。これにより、はんだ合金内の金属間化合物あるいは初晶の平均粒径が２５μｍ以下に制御された無鉛Ｉｎ基はんだ合金が得られる。 （もっと読む）

【課題】大面積樹脂フィルム上への連続的かつ均一な窒化チタン膜の工業的な成膜を可能とする。
【解決手段】平均粒径が０．４〜１．５μｍのＴｉＮ粉末を用い、分散剤を、ＴｉＮ粉末１００質量部に対して０．５〜２．０質量部添加し、湿式粉砕し、噴霧乾燥し、９８〜２９４ＭＰａの圧力で成形し、大気圧還元性雰囲気で４００〜１０００℃で還元処理した後、大気圧窒素雰囲気中で、１８００〜２１００℃の温度で焼成し、加工し、一般式：ＴｉＮ_xにおいて０．８≦ｘ≦１．０、相対密度：９３〜１００％、平均空孔径が０．１〜１．５μｍの窒化チタンスパッタリングターゲットを得る。 （もっと読む）

【課題】 高い耐湿性を有する被覆膜を形成し、従来に比べて発光特性を向上させた被覆膜付きＹＡＧ系蛍光体粒子を提供する。
【解決手段】 ストロンチウム化合物又はバリウム化合物を含む濃度５〜１５質量％の水溶液にＹＡＧ系蛍光体粒子を添加して撹拌し、更に４０〜６０℃の温度に加熱して０.５〜３時間撹拌した後、濾過して乾燥することにより、ストロンチウム又はバリウムの化合物を含む非晶質無機化合物の析出微粒子からなる被覆膜付きＹＡＧ系蛍光体粒子が得られる。この析出微粒子の平均粒径は５〜１００ｎｍであり、蛍光体粒子の平均粒径と析出微粒子の平均粒径との比（析出微粒子の平均粒径／蛍光体粒子の平均粒径）が１／１００〜１／１０００の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】可視領域のみならず近赤外領域における色素の光吸収の増強を行うことにより、色素増感型太陽電池の光電変換効率を向上させる。
【解決手段】一方の透明基板の内側に透明導電膜を形成し、表面に白金もしくは炭素をコーティングしたカソード電極と、他方の透明基板の内側に透明導電膜および酸化チタンなどの多孔質金属酸化物膜を順次形成し、この多孔質金属酸化物膜の表面にルテニウム錯体などの色素を担持したアノード電極とを、酸化還元電解質を介して対向させ、光の吸収によりこれら電極間に電圧が発生するようにした構成において、色素の近傍に複合タングステン酸化物微粒子および金属六ホウ化物微粒子から選ばれる１種以上の微粒子を配している。 （もっと読む）

【課題】目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を出発原料として、混晶単結晶の育成のための種結晶を、より短い育成時間とより少ない加工工数により得る。
【解決手段】チョクラルスキー法による混晶単結晶育成用の種結晶を得る際に、目的とする混晶単結晶と異なる格子定数の種結晶を基部(12a)として、該基部(12a)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良を生じない範囲となるように融液を調整して、該基部の先端側に混晶層(12b)を育成し、必要に応じて、この混晶層(12b)の格子定数に対して格子定数の比が歪による育成不良が生じない範囲となるように融液を調整して、該混晶層(12b)の先端側にさらなる混晶層(12c)を育成することにより、多層の混晶層を備える混晶単結晶(13)育成用の種結晶(12)を得る。 （もっと読む）