説明

SUMCO TECHXIV株式会社により出願された特許

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【課題】より急峻且つより安定したSRプロファイルを有するエピタキシャルウェーハを製造することのできる技術を提供する。
【解決手段】不純物を含有するシリコン単結晶の基板Sの直上に、基板Sよりも不純物濃度が低い第1層を気相成長させる第1成長工程(1st Growth工程)と、第1層よりも上に第2層を気相成長させる第2成長工程(2nd Growth工程)とを有するエピタキシャルウェーハの製造方法であって、第1成長工程において、強制的に排気を行って常圧AP以下の第1圧力RPの下で気相成長させ、第2成長工程において、第1圧力RPより高い第2圧力APの下で気相成長させるようにする。 (もっと読む)


【課題】リテーナリングが摩耗した場合でも、リテーナリングを研磨パッドから離したウェーハの研磨中に、ウェーハがリテーナリングから飛び出すことを防止可能であり、かつ、リテーナリングの長寿命化を図れる研磨装置を提供する。
【解決手段】研磨装置の研磨ヘッド4は、ウェーハチャック41と、リテーナリング47を保持するリテーナ保持部材42と、回転軸部材43と、ウェーハチャック41とリテーナ保持部材42とにより第1加圧室P1を形成する第1ダイアフラム48と、リテーナ保持部材42と回転軸部材43とにより第2加圧室P2を形成する第2ダイアフラム49と、ウェーハチャック41に対するリテーナ保持部材42の最大上昇量を規定するメカストッパ44と、当該最大上昇量を調整する上昇量調整手段45と、を備える。 (もっと読む)


【課題】CZ法によるシリコン単結晶引き上げ装置において、生じる可燃性の粉塵を処理可能な排気システム及び粉塵の処理方法を提供する。
【解決手段】単結晶引き上げ装置に接続された排気管路と、前記排気管路を通して前記引き上げ装置に供給された不活性ガスを吸引する真空ポンプと、前記真空ポンプの手前で前記排気管路に配置され、前記真空ポンプによって排気されるガスを手前で処理するフィルタと、を備えた単結晶引き上げ装置の排気システムであって、前記フィルタは雰囲気ガスの成分に応じて加熱可能なヒータを備えることを特徴とする。これにより、未燃焼の可燃性の粉塵を十分に処理することができる。 (もっと読む)


【課題】所望の抵抗率の半導体ウェーハを効率よく提供するために、インゴットの状態で抵抗率を測定し、それに基づいて、無駄のない効率的な半導体ウェーハを製造する製造方法を提供する。
【解決手段】単結晶インゴットから半導体ウェーハを製造する方法において、前記単結晶インゴットの側面における成長軸方向の抵抗率分布を測定し、所望の抵抗率を示す所望抵抗率位置を特定して、所定の長さのブロックを切り出し、これから半導体ウェーハをスライスする。この成長軸方向の抵抗率は、いわゆる4探針法による抵抗率測定方法を適用することができる。 (もっと読む)


【課題】サセプタのマーキングとしての刻印を打つ位置の特定方法を提供し、それにより刻印を打ったサセプタを提供する。また、好ましい刻印の条件についても教示する。
【解決手段】刻印は、気相成長等においてウェーハの品質に影響を及ぼさない位置になされるべきであり(第1の条件)、かつ、サセプタを単独で取り扱う際に容易に判読可能な位置になされるべきであり(第2の条件)、かつ、刻印は表面を削るので、削られるサセプタの機械的強度に影響の少ないところになされるべきである(第3の条件)。そのため、サセプタの裏側の面で、ウェーハ載置のためのポケットに対応する位置に刻印を施す。 (もっと読む)


【課題】エッチング後のウェーハにおいて、残留エッチング液による再反応を、コストを増大することなくかつ簡便に抑制できるウェーハの洗浄方法を提供する。
【解決手段】ウェーハWを浸漬可能なリンス槽31に満たされた洗浄液Lの液面L1より上方に上方ノズル34を設け、ウェーハWを立てた状態で洗浄液Lに浸漬し、上方ノズル34からリンス槽31の底部に向かって噴射液Fを噴射して、空気を巻き込みながら噴射液Fをリンス槽31内に導入することでウェーハWを洗浄する。 (もっと読む)


【課題】ワイヤソーにおけるワイヤの使用量を抑制できるインゴットの切断方法を提供すること。
【解決手段】インゴットを切断するワイヤソーを用いて、複数のインゴットを順次に切断するインゴットの切断方法であって、前記ワイヤソーのワイヤを一方向に送りつつ1つのインゴットを切断する工程と、この切断時における、前記ワイヤが前記1つのインゴットから離れたときのワイヤの送り位置を基準として、当該ワイヤを以下の数式(1)で示される距離Lだけ他方向に巻き戻す工程と、この巻き戻した状態のワイヤに次のインゴットを接触させ、前記ワイヤを一方向に送りつつ前記次のインゴットを切断する工程とを実施する。
0<L<Xa+Xb…(1)
数式(1)中、ワイヤ径減少領域R1の長さをXaとし、ワイヤ径増加領域R3の長さをXbとする。 (もっと読む)


【課題】長手方向の抵抗率分布が同一な単結晶をより確実に製造できるシリコン単結晶の製造方法を提供する。
【解決手段】原料シリコン素材9を加熱して溶融帯11を形成し、溶融帯11にドーパントを供給しながら溶融帯11を凝固させて、直径が同一な直胴部10aと、直径が拡大又は縮小する直径拡縮部10b,10cとを有する単結晶10を製造するFZ法によるシリコン単結晶の製造方法であって、直胴部10aに対応する溶融帯11にドーパントを供給しながら直胴部10aを形成する直胴部形成工程と、直胴部形成工程の前及び/又は後に、直径拡縮部10b,10cに対応する溶融帯11にドーパントを供給しながら直径拡縮部10b,10cを形成する直径拡縮部形成工程と、を備え、直径拡縮部形成工程において、所定の変更条件に基づいて、直胴部形成工程におけるドーパントの供給条件に対して直径拡縮部形成工程におけるドーパントの供給条件を変更する。 (もっと読む)


【課題】ウェーハの周縁部における欠けの発生を抑制できるウェーハの面取り方法を提供すること。
【解決手段】円板状のウェーハWにおける一方の面である下面WAのみを保持した状態で、ウェーハWの面取りを行う面取り方法であって、ウェーハWにおける他方の面である上面WBの周縁部WCおよびウェーハWの側面WDを、粗研削用の研削材を用いて研削する粗研削工程と、前記粗研削工程の後に、ウェーハW1の上面WBの周縁部WC1およびウェーハW1の側面WD1を、精研削用の研削材を用いて研削する非保持面精研削段階、並びに、ウェーハW1の下面WAの周縁部WE1およびウェーハW1の側面WD1のうちの少なくとも周縁部WE1を、精研削用の研削材を用いて研削する保持面精研削段階を備える精研削工程とを備えることを特徴とするウェーハの面取り方法。 (もっと読む)


【課題】冷却水路の酸化を抑制可能なFZ(浮遊帯域溶融)法によるシリコン単結晶製造装置、シリコン単結晶の製造方法及び誘導加熱コイルの加工方法を提供する。
【解決手段】FZ法によるシリコン単結晶の成長を行う反応炉と、反応炉内に収容され、シリコン単結晶の原料となる原料シリコン素材を保持する原料保持具と、反応炉内に収容され、原料シリコン素材を部分的に加熱して溶融帯を形成し、溶融帯を凝固させてシリコン単結晶の成長を行う誘導加熱コイル4と、を備え、誘導加熱コイル4は、誘導加熱コイル4を冷却する冷却水が流通し、冷却水による酸化を防止する被膜45が形成された冷却水路44を誘導加熱コイル4の内部に有する。 (もっと読む)


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