【課題】高密度に相互接続した積層型半導体パッケージを提供する。
【解決手段】第１の配線基板２０に第１の半導体チップ３０が実装され、一方の側に第１の電極パッド２３が形成された第１の半導体パッケージ１０と、第２の配線基板６０の他方の側に第２の電極パッド６４が形成された第２の半導体パッケージ５０は、半導体チップ収容孔４１ｘと、絶縁性基材４１を厚さ方向に貫通する複数の線状導体４２に接合された第３の電極パッド４２と、第４の電極パッド４４と、を備えた接続用部材４０で接合される。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージの信頼性を向上することのできる技術を提供する。
【解決手段】ビルドアップ樹脂層１（ビルドアップ基板）上に、電極パッド２ａを有する配線２（配線層）を形成する。次いで、配線２の表面に粗化処理を施す。次いで、配線２を覆うようにビルドアップ樹脂層１上に無機絶縁膜５を形成し、無機絶縁膜５を覆うようにビルドアップ樹脂層１上にレジスト膜９を形成した後、電極パッド２ａ上のレジスト膜９を除去する。レジスト膜９をマスクに電極パッド２ａ上の無機絶縁膜５を除去し、電極パッド２ａを露出する。次いで、残存しているレジスト膜９を除去し、無機絶縁膜５を覆うようにビルドアップ樹脂層１上に、電極パッド２ａを露出するソルダレジスト層を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁部材の充填不良を低減すること。
【解決手段】支持板４４の突起部４３が形成された面には、回路基板接続用パッド３１と、実装用パッド１６と、回路基板接続用パッド３１及び実装用パッド１６を接続する接続部（層間接続部３２及び配線部３３）がめっきにより形成される。支持板４４は、半導体チップ１４が実装された回路基板４０に対向配置され、回路基板接続用パッド３１がバンプ２０を介して内部接続用パッド１９に接続される。回路基板４０と支持板４４との間には、樹脂が充填され絶縁層１５が形成される。支持板４４は、エッチングにより除去される。 （もっと読む）

【課題】配線パターンの微細化に対応可能な配線基板、半導体装置及び配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】配線基板１は、ガラスクロス１１に熱硬化性の絶縁性樹脂を含浸させ硬化させたコア基板１０と、コア基板１０の第１主面１０ａから第２主面１０ｂまでを貫通する貫通穴１０Ｘと、貫通穴１０Ｘ内に充填された貫通電極２０と、貫通電極２０を介して電気的に接続された配線層３０ａ，３０ｂとを有する。コア基板１０では、貫通穴１０Ｘの厚さ方向の中央部におけるガラスクロス１１の密度が貫通穴１０Ｘの他の部分の密度より高くなるようにガラスクロス１１が設けられている。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性が高く、且つ応力緩和能が高い熱伝導部材を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体素子２０と放熱板３０との間に介在し、半導体素子２０と放熱板３０とを熱的に接続するとともに、半導体素子２０と放熱板３０とを接合する熱伝導部材４０を有する。この熱伝導部材４０は、金属箔５０と、半導体素子２０と放熱板３０との積層方向に延在し、金属箔５０上に平面方向に並んで設けられた第１及び第２柱状導体５１，５２とを有する金属層４１と、金属層４１を被覆する樹脂層４２とを有している。 （もっと読む）

【課題】液切処理にかかる時間を短縮できる液切処理装置、液処理装置及び液切処理方法を提供する。
【解決手段】液処理装置１は、キャリア２に液処理を施す液処理部１０と、液処理後のキャリア２が搬送される搬送部２０とを有する。搬送部２０は、搬送レール２１と、液切処理部２２とを有する。液切処理部２２は、回転テーブル２４と、回転テーブル２４上に固定され、搬送レール２１から搬送されるキャリア２を水平状態に保持する回転レール２３と、回転テーブル２４を回転駆動し、回転レール２３に保持されたキャリアを高速回転させる駆動モータとを有する。 （もっと読む）

【課題】支持板の上に接続パッドを含む配線層を形成し、支持板を除去して接続パッドを露出させる方法で製造される配線基板において、半導体チップを信頼性よく接続できるようにすること。
【解決手段】絶縁層３０と、上面が絶縁層３０から露出し、下面と、側面の少なくとも一部とが絶縁層３０に接触して埋設された接続パッドＰと、接続パッドＰの外側周辺部の絶縁層３０に形成された凹状段差部Ｃとを含む。接続パッドＰの上面と絶縁層３０の上面とが同一の高さに配置される。 （もっと読む）

【課題】被接続物と実装用基板とを電気的に接続する信号伝送路の一部として用いるスプリング端子と基板上の配線パターンのインピーダンス整合を可能にすること。
【解決手段】スプリング端子付配線基板３０は、第１の面１１Ａ及びこれと反対側の第２の面１１Ｂを有する配線基板１０と、第１の面に実装されたスプリング端子２０とを備える。第１の面に設けられた配線層１２は、スプリング端子２０に電気的に接続された配線パターン１２Ｓと、グランド電位に接地されるＧＮＤパターン１２Ｇとを含む。このＧＮＤパターン１２Ｇは、配線パターン１２Ｓから絶縁され、かつ、配線パターン１２Ｓを囲むように第１の面１１Ａに形成されている。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージ１０は、第１の半導体チップ２０の回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層３２と、第１の封止絶縁層３２の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層３３、３５、３７及び絶縁層３４、３６と、第１の封止絶縁層３２の前記第１面の反対面である第２面に搭載された第２の半導体チップ４０と、第２の半導体チップ４０を封止するように前記第２面に形成された第２の封止絶縁層４９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージは、第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、前記絶縁層上に搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に形成された第２の封止絶縁層と、を有する。 （もっと読む）