【課題】支持板の一面側に固着された厚さの異なる複数の半導体素子の各電極端子に形成されたバンプの露出面間隙を通して引き回すことのできる配線パターンの高密度化を図る。
【解決手段】厚さの異なる複数の半導体素子１４ａ，１４ｂが、その電極端子１６の端子面が同一面となるように、支持板１０の一面側に樹脂層１２によって固着されている半導体パッケージであって、樹脂層１２は支持板１０の一面側全面に設けられ、半導体素子１４ａ，１４ｂは端子面の反対面が樹脂層１２に固着され、半導体素子１４ａ，１４ｂの端子面および側面の少なくとも一部ならびに樹脂層１２の表面全面を被覆する絶縁層２０が設けられ、半導体素子１４ａ，１４ｂの端子面に形成された先細り状のバンプ１８が絶縁層２０を貫通して形成され、絶縁層２０の表面に露出している先細り状のバンプ１８の先端面が配線パターン２２に接続される。 （もっと読む）

【課題】レーザによりパッドの一部を露出するように絶縁層に形成された開口部と、その開口部に設けられたビアとを備え、開口部を小径化できる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】支持体上に配線層２３と絶縁層２４とを交互に積層後、前記支持体を除去して配線基板を得る配線基板の製造方法であって、樹脂からなる支持フィルム７４と、前記支持フィルムの一方の面に設けられ、樹脂からなり半硬化状態とされた絶縁層２４と、を備えた絶縁層形成部材を準備する絶縁層形成部材準備工程と、前記絶縁層形成部材を前記配線層に貼り付ける絶縁層形成部材貼付工程と、前記絶縁層形成部材を加熱し、前記半硬化状態の絶縁層を硬化させる絶縁層硬化工程と、前記支持フィルムを介して硬化した前記絶縁層にレーザを照射し、前記支持フィルム及び硬化した前記絶縁層に開口部５１を形成し、前記配線層の一部を露出させる開口部形成工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】接続パッドへ通じる開口部が、所望の形状で形成されたパッケージを提供する。
【解決手段】（ａ）接続パッド１が形成された基板２を準備する。（ｂ）接続パッド１上に、型材を搭載する。（ｃ）接続パッド１が形成された基板２の面を樹脂で覆うパッケージ部６を形成する。（ｄ）パッケージ部６の表面で前記型材を露出させる。（ｅ）パッケージ部６の表面側から、露出した前記型材を除去していき、接続パッド１上のパッケージ部６に開口部１１を形成する。これにより、前記型材の形状をした開口部１１が形成されたＰＯＰ構造体のボトムパッケージ１２が略完成する。 （もっと読む）

【課題】テープ材の電子部品裏面への転写を実質的に無くし、そのテープ材の転写に起因して起こり得る不都合を解消すること。
【解決手段】予めテープ材４０（例えば、ＰＴＦＥ）を加熱しておき、さらにこのテープ材４０を耐熱性プレート５０に対し加圧した後、ツール３６との間に加熱されたテープ材４０を介在させて吸着保持した電子部品を、加熱圧着により、電子部品の電極端子が絶縁性接合材を通して基板の電極端子に接続されるよう実装を行う。 （もっと読む）

【課題】配線の微細化の妨げとならず、ビアの接続信頼性を維持することができ、且つ配線基板の性能劣化の原因となりにくい外部接続用パッドを一方の面に有する配線基板を提供すること。
【解決手段】所定数の配線層と各配線層の間の絶縁層を有し、且つ、外部の回路に接続するための、表面めっき層を備えた外部接続用パッドを有する配線基板であって、外部接続用パッド１の面積が、その表面めっき層２の面積よりも小さいことを特徴とする配線基板である。 （もっと読む）

【課題】小型化の可能な半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージ１は、配線基板１０と、その配線基板１０に搭載された撮像素子２０と、その撮像素子２０上に設けられた枠状部材３０と、その枠状部材３０上に接着されたキャップ部材５０とを有している。枠状部材３０は、撮像素子２０の外形に沿って枠状に形成された枠基体部３１と、その枠基体部３１の上面に設けられ該枠基体部３１よりも幅広の接着部３２とを有している。また、半導体パッケージ１は、接着部３２の下面に接するように形成され、枠状部材３０よりも外側の撮像素子２０及び配線基板１０を封止する封止樹脂６０を有している。 （もっと読む）

【課題】高周波信号の伝送特性を良好に保ちつつ、狭ピッチ化されたＬＧＡに対応可能な接続端子及びその製造方法、並びに前記接続端子を有するソケットの提供。
【解決手段】接続端子３０は、所定形状に成形された弾性変形可能な細帯状の金属板３１と、金属板３１の一方の面の一部を被覆する絶縁層３２と、絶縁層３２の少なくとも一部に積層された導電層３３と、を有し、金属板３１の絶縁層３２からの第１の露出部分と導電層３３の一部とが隣接するように配置されて、それぞれ固定部３１ａ、３３ａとなり、金属板３１の絶縁層３２からの第２の露出部分と導電層３３の他部とが隣接するように配置されて、それぞれ接続部３１ｂ、３３ｂとなり、固定部と接続部とが互いに外側を向くように対向配置され、固定部は、それぞれ被接続物の隣接するパッドに直接的又は間接的に固定可能であり、接続部は、他の被接続物の隣接するパッドと当接可能である。 （もっと読む）

【課題】半導体チップを実装基板に信頼性よく接続するための応力緩和機構を備えたインターポーザを提供する。
【解決手段】下側配線基板部６と、下側配線基板部６の上方に配置された上側配線基板部７と、上側配線基板部７を貫通して下側配線基板部６の中まで設けられて、上側配線基板部７と下側配線基板部６とを連結する貫通電極ＴＥとを含み、下側配線基板部６と上側配線基板部７との間は離間しており、貫通電極ＴＥの側面は下側配線基板部６と上側配線基板部７との間に形成された空間に露出している。 （もっと読む）

【課題】熱伝導性を更に高めること。さらに、アセンブリ時のシート厚の調整を容易に行えるとともに、コストの低減に寄与すること。
【解決手段】熱伝導シート１０は、第１の金属材１２と第２の金属材１６とがシート状に複合成形されている。第１の金属材１０はインジウムのシートであり、第２の金属材１６は、インジウムよりも高い熱伝導性及び高い融点を有する金属の粒粉である。この金属の粒粉１６は、インジウムのシート１２中に包含されている。金属の粒粉１６は、例えば、その表面に金層１５が被着された銅粒粉１４である。 （もっと読む）

【課題】ボンディングパッドの変色の発生を抑制することのできる配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂基板１０の上面にフリップチップ接続用の接続パッド１３となる第１パッド１３Ａと、ボンディングパッド１４となる第２パッド１４Ａとを形成し、第２パッド１４Ａの表面にめっき１４Ｂを形成し、第１パッド１３Ａの表面にのみ選択的に粘着層１５を被着する。続いて、粘着層１５にはんだ粉１６を付着し、樹脂基板１０の上面全面にハロゲン濃度が０．１５ｗｔ％以下のフラックス４０を塗布し、はんだ粉１６をリフローにより溶融して第１パッド１３Ａにはんだ１３Ｂを被着する。 （もっと読む）