【課題】絶縁層表面の平坦性を向上可能な配線基板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、無機材料からなる基板本体と、前記基板本体の一方の面側に開口する第１の溝と、前記基板本体の他方の面側に開口する第２の溝と、前記基板本体を前記一方の面側から前記他方の面側に貫通する貫通孔と、前記第１の溝を充填する第１のプレーン層と、前記第２の溝を充填する第２のプレーン層と、前記貫通孔を充填する貫通配線と、を有し、前記第１のプレーン層は基準電位層であり、前記第２のプレーン層は電源層である。 （もっと読む）

【課題】クラックの発生を抑制してパッドの密着強度を高め、製品としての信頼性の向上を図り、ひいてはマザーボード等との接続信頼性の向上に寄与すること。
【解決手段】配線基板１０は、パッド１１Ｐと、パッド１１Ｐを覆い、その表面からパッド１１Ｐの表面が露出し、その裏面にパッド１１Ｐの裏面が露出する開口部ＶＨ１が設けられた最外層の絶縁層１２と、開口部ＶＨ１内に形成されたビアと、絶縁層１２の裏面に形成され、ビア１３に接続された配線層１３とを備え、パッド１１Ｐは絶縁層１２に埋設されて、パッド１１Ｐの側面及び裏面が絶縁層１２に接している。このパッド１１Ｐは、第１の金属層２１と、第１の金属層２１上に設けられた第２の金属層２２と、第２の金属層２２上に設けられ、ビア１３に接続された第３の金属層２３とを有し、第２の金属層２２の周縁部がパッド１１Ｐの周縁部から内側に後退している。 （もっと読む）

【課題】液体への投入・排出時におけるワークへの負荷を低減して、ワークの折損や装置からの脱落を防止できると共に、貯留槽からリークする液体の量を削減でき、また、装置全長を短縮することができる搬送装置を提供する。
【解決手段】この搬送装置１は、板状のワークＷを貯留槽の液体に対して投入・排出を行う搬送装置において、前記ワークＷの保持を行う保持部１１、１２、２１、２２を有すると共に回転可能に支持されたワーク保持手段１０、２０を備え、前記ワークＷを保持させた前記ワーク保持手段１０、２０を回転させて該ワークＷを前記貯留槽３０の液体Ｌに対して投入・排出を行う。 （もっと読む）

【課題】シームやボイド等の欠陥等の欠陥が発生し難い配線基板、及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本配線基板は、基板本体と、前記基板本体の一方の面側に開口する溝であって、内底面の周縁部と内側面の一端部とが、前記内底面に対して末広がりに傾斜する傾斜面を介して連続する溝と、一端が前記内底面に連通し、他端が前記基板本体の他方の面側に開口する貫通孔と、前記他端側から前記貫通孔の少なくとも一部を充填する第１導電層と、前記第１導電層の前記溝側の面を被覆し、前記溝内の前記内側面を除く部分の少なくとも一部に延在する第２導電層と、前記第２導電層を被覆し、前記溝を充填する第３導電層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンウエハ等の被加工物に対して研磨残りが発生するのを防止すること。
【解決手段】研磨装置は、その表面に研磨パッドが装着された定盤と、上記の研磨パッドに対向する側の面に吸着面２１Ｓを有するヘッド２０を備える。さらにヘッド２０は、真空吸着用の第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）と、各流路からそれぞれ吸着面２１Ｓまで通じる複数の吸着孔３３，３４とを有する。さらに研磨装置は、第１系統及び第２系統の各流路３１（２５）、３２（２６）を選択的に切り替えて有効にする流路切替手段４０，４１，４２を備える。 （もっと読む）

【課題】光半導体素子とそれに接続される素子用電極とを十分に近づけることができ、伝送経路の伝送損失を小さくできる光半導体素子用パッケージを提供する。
【解決手段】中央部に光半導体素子５０を実装するための実装領域Ａを有し、光半導体素子５０を接続するための素子用電極２０ａ，２０ｂと、素子用電極２０ａ，２０ｂに接続された外部接続電極３０ａ，３０ｂとを備えたセラミックス配線基板部５と、セラミックス配線基板部５の上に設けられ、中央部に素子用電極２０ａ，２０ｂ及び実装領域Ａを露出させる開口部４０ｘを備え、かつ開口部４０ｘの外周部にリング状突出部４２が設けられた金属シールリング４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の微細化・高密度化されたビアや配線を高精度で形成する。
【解決手段】支持基板１の一方の面側に半導体チップ２ａ，２ｂを配置し、その支持基板１を他方の面側から研削し、研削した支持基板１を絶縁膜として用い、そこにフォトリソグラフィ技術を用いてビアホール６を形成する。その後、ビアホール６に導電材料を埋め込んでビアを形成し、さらにその上層にビアに接続される配線を形成していく。支持基板１の平坦な表面を露光時の表面とすることにより、高精度でビアホール６を形成し、そこにビアを形成することが可能になる。また、その支持基板１の上層には高精度で配線を形成することが可能になる。 （もっと読む）

【課題】プレス加工する際に送りずれや打痕の発生が防止されるメタルドームの製造方法を提供する。
【解決手段】金属板１０に開口部１０ａを設けることにより、繋ぎ部１４によって本体部１２に連結された金属平板部１６を形成する工程と、金属平板部１０と繋ぎ部１４との境界部Ａより内側の金属平板部１６をプレス加工することにより、上側に膨らむ膨出部３０と、膨出部３０の端部から下方向に屈曲して繋がる第１傾斜部３２ａと、第１傾斜部３２ａの端部から上方向に屈曲して繋がる第２傾斜部３２ｂとを備えたメタルドーム部材１ａを形成する工程と、メタルドーム部材１ａを繋ぎ部１４から切断することにより、膨出部３０と、膨出部３０の端部に設けられ、第１傾斜部３２ａ及び第２傾斜部３２ｂから形成された台座部３２とを備えたメタルドーム１を得る工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】パッドに外部接続端子等を接合したときの引っ張り強度を高めることができ、パッドが剥離するといった不良モードを大いに減らし、実装の信頼性向上に寄与すること。
【解決手段】配線基板４０は、最外層の絶縁層１２の表面からその表面が露出したパッド４１Ｐを備える。パッド４１Ｐは、ＯＳＰ処理に基づいて形成されて、最外層の絶縁層１２からその表面が露出した被膜５１と、その被膜５１と基板内部のビアとの間に設けられた金属層５２とを有し、金属層５２の側面及びビアとの接続面が粗面化されており、最外層の絶縁層１２にパッド４１Ｐの側面及びビアとの接続面が接しており、最外層の絶縁層１２の裏面に金属層５２が露出する開口部が形成されており、開口部内に金属層５２と接続されたビアが設けられており、最外層の絶縁層１２の裏面にビアを介してパッド４１Ｐに接続される配線層１３が設けられていることを含む。 （もっと読む）

【課題】めっき層の状態を容易に把握すること。
【解決手段】半導体装置に用いられ半導体チップが搭載される配線基板２１には、半導体チップのパッドとボンディングワイヤにより接続される配線２３ａに対し、高周波特性を測定するプローブ端子５１，５２の接触が可能なように、端子２６ａ，２６ｂ，３１ａ，３１ｂが形成されている。各端子２６ａ，２６ｂ，３１ａ，３１ｂは、基板２１内に形成されたグランド配線２８と接続されている。配線２３ａには、ニッケル層と金層を含むめっきが形成されている。端子２６ａ，２６ｂ及び配線２３ａにプローブ端子５１を、端子３１ａ，３１ｂ及び配線２３ａにプローブ端子５２をそれぞれ接触させ、配線２３ａに高周波信号を伝達し、そのめっきの表面状態に応じた高周波特性を得る。 （もっと読む）