【課題】簡単で小型な構成となり、また回路の精度も重要でなく、占有帯域幅も広くなることなく、動体の存在、位置等を安定して計測できるようにする。
【解決手段】直交ドップラーミキサ１６では、対象物９からの受信信号を入力して９０度位相の異なるドップラー周波数信号を出力し、計測用ソフトウェア２１を用いる演算回路２０では、２つのドップラー周波数信号につき、一定時間毎に区切りながら連続して周波数分析を行い、一定時間内のパワースペクトルが最大となる周波数を求め、このパワースペクトル最大の周波数に基づいて計算された速度から一定時間の対象物の移動距離を求めると共に、パワースペクトル最大の周波数の２つのドップラー周波数信号の位相差から対象物の移動方向を求め、この移動方向に対応した正負符号を与えた移動距離を積算することにより対象物の相対位置変化を計測する。 （もっと読む）

【課題】誘電体の厚みにより速度差があること等を利用して、１個のアンテナにて１８０度以上の広い範囲の指向性が得られるようにする。
【解決手段】本体１０のアンテナ開口１２の前面を覆うように誘電体１４を設け、この誘電体１４には、開口１２の中央部の位置に、薄肉表面部１５ａを付けた開口１５又は完全な開口１７を形成する。この誘電体開口は、一方向に長い形状とし、短手方向Ｆｂでは、誘電体１４の厚さを略同一とし、誘電体１４のアンテナ開口端側縁部２４ｅの外側角を曲面に形成すると共に、この縁部２４ｅから本体１０の側面に延出させた延出部２４ｈを設けることで、広い角度で均一な利得となる指向性とし、長手方向Ｆａでは、誘電体１４を凸レンズ形に形成することで、指向性を鋭くする。 （もっと読む）

【課題】付加する起動回路を小面積とし、高電源電圧でも低消費電流を実現した定電流回路を提供すること。
【解決手段】ＰＮＰ型のトランジスタＱ１，Ｑ２からなる第１のカレントミラー回路と、ＮＰＮ型のトランジスタＱ３，Ｑ４、抵抗Ｒ１からなる第２のカレントミラー回路より構成された起動回路において、ＰＮＰ型のバイポーラトランジスタＱ５とＮ型のＪＦＥＴトランジスタＪ１からなる起動回路を設けた。 （もっと読む）

【課題】クロックフェイズの切り替わりにおける電圧スパイクの低減と共に出力電圧の収束速度の向上を図る。
【解決手段】第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、ノンオーバーラップ期間が設定された２相クロックで駆動され、第１の同相電圧検出器３０１は、第１のクロック位相において充電動作し、第２のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、第２の同相電圧検出器３０２は、第２のクロック位相において充電動作し、第１のクロック位相において出力同相電圧の生成と電荷保持動作をし、ノンオーバーラップ期間において、第１及び第２の同相電圧検出器３０１，３０２は、スイッチ３５ａ〜３５ｆ、３６ａ〜３６ｆにより入力段及び出力段と電気的に分離され、同相電圧出力トランジスタのゲート・ソース間寄生容量により電荷保持動がなされる構成となっている。 （もっと読む）

【課題】低温の加熱処理によって、コンタクト抵抗の低いオーミック電極を形成することができる方法を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層のオーミック電極形成領域に、インジウムあるいはゲルマニウムのような低融点金属７を積層し、低融点金属の融点近傍の低温で加熱処理することにより、窒化物半導体層中に低融点金属が拡散させ、合金層８を形成することによりオーミック接触を形成する。窒化物半導体層表面に残るインジウムあるいはゲルマニウムを除去した後、配線のための金属層９を形成する。 （もっと読む）

【課題】ハイパスフィルタ回路を急速充電できるようにして、その起動時間を短くする。
【解決手段】所定のタイミング毎に入力信号を保持する信号保持回路１１と、信号保持回路１１の出力側に接続された第１のトランジスタＱ１の出力側の第１のノードＮ１に現れる信号から低域成分を除去するハイパスフィルタ回路１２と、起動時にのみ動作してハイパスフィルタ回路１２のコンデンサＣ２に対して急速充電を行う急速充電回路１４と、ハイパスフィルタ回路１２の出力側に接続された増幅回路１３と、急速充電回路１４による急速充電動作の終了から通常動作に移行する前後で前記第１のノードＮ１のバイアス電位をほぼ一定に保持するバイアス制御回路１５とを備える。 （もっと読む）

【課題】消費電流の増加や最低動作電源電圧の上昇などを招くことなく出力位相反転を防止する。
【解決手段】入力部１０の反転入力端子１００と第２のトランジスタ２のコレクタとが第１のダ入力部用イオード１１を介して、非反転入力端子２００と第１のトランジスタ１のコレクタとが第２の入力部用ダイオード１２を介して、それぞれ接続される一方、第９のトランジスタ９のエミッタと第３の負荷３５の相互の接続点と反転入力端子１００とが第５のダイオード１５を介して、第９のトランジスタ９のエミッタと第３の負荷３５の相互の接続点と非反転入力端子２００とが第６のダイオード１６を介して、それぞれ接続されて、消費電流の増加や最低動作電源電圧の上昇などを招くことなく出力位相反転が防止されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】結晶性の優れた炭化シリコン膜を形成することができる炭化シリコンからなる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に、絶縁膜２を介してシリコン膜３が形成された半導体基板を用意し、炭化シリコン膜６形成予定領域を選択的に被覆するマスク膜５を形成する。このマスク膜５で被覆されない領域のシリコン膜３を酸化し、酸化シリコン膜４を形成する。マスク膜５を除去し、シリコン膜３を露出させ、露出したシリコン膜３を炭化し、炭化シリコン膜６を形成する。その後、炭化シリコン膜６上に炭化シリコンのエピタキシャル成長膜８を形成する。 （もっと読む）

【課題】オフセットキャンセル能力を維持し、かつ、電圧利得を可変可能とする可変利得増幅器を提供する。
【解決手段】入力信号を差動増幅する差動増幅回路１１と、差動増幅回路１１の出力信号の所定の低域成分のみを差動増幅回路１１へフィードバックし、出力信号の直流成分を除去するオフセットキャンセル回路１２と、出力端子２１，２２におけるコモン出力レベルを、参照電圧Ｖｒｅｆで設定される所定電圧になるように、差動増幅回路１１の第３及び第４のトランジスタ３，４のゲート電圧を調整するコモンモードフィードバック回路１０３とを具備し、オフセットキャンセル回路１２は、所定の低域成分に対するカットオフ周波数を変化させることなく零点の周波数のみを可変可能に構成されたものとなっている。 （もっと読む）