【課題】ターゲット抵抗の低いスパッタ用ＺｎＳ系誘電体ターゲット、並びにこのターゲットを用いて非結晶性の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する成膜方法及び製造装置の提供。
【解決手段】ＺｎＳ系誘電体材料に対して、０〜５ｍｏｌ％のＡｌ_２Ｏ_３を配合したＺｎＯが５〜３０ｍｏｌ％分散されたターゲット。この誘電体材料は、ＺｎＳ単体又はＺｎＳに対して５ｍｏｌ％以下のＩｎ_２Ｏ_３、ＳｎＯ_２、若しくはＩＴＯ（Ｉｎ_２Ｏ_３＋ＳｎＯ_２）が配合されたものである。該ターゲットに５０〜４００ｋＨｚの周波数をＤＣに重畳させて印加できるように構成されたスパッタ電源を備えた成膜装置を用いて、スパッタ法により、基板上に、非結晶の相変化光ディスク用誘電体膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】従来技術で得られた酸化亜鉛と酸化アルミニウムとの焼結体と同等の密度を維持しながら、より抵抗率の低い焼結体を製造する方法及びこの焼結体からなるスパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】酸化亜鉛と酸化アルミニウムとからなる混合粉体を、１４００℃以上で、酸素濃度２０％以上の雰囲気下に、１０時間以上保持して焼結せしめる。得られた複合酸化物焼結体からなるスパッタリングターゲット。この焼結体では、酸化アルミニウムの量が酸化亜鉛に対してアルミニウム換算で２〜７重量％であり、抵抗率３ｍΩ・ｃｍ以下、密度５．４〜５．６ｇ／ｃｍ^３である。 （もっと読む）

【課題】成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲット及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一形態に係るスパッタリングターゲットの製造方法は、第１の組成を有する金属酸化物焼結体からなる、被スパッタ面を有する複数の板状のターゲット片を準備することを含む。これらの複数のターゲット片は、各々の被スパッタ面が面一となるように並べられる。これらの複数のターゲット片は、その境界部分に、第１の組成と構成原子種が同一である第２の組成を有する合金材料を充填されることで連結される。境界部分は、被スパッタ面に合わせて平滑化される。
これにより、成膜性に優れる金属酸化物の大型スパッタリングターゲットを得ることができる。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】酸素含有量が均一なバリア膜を形成する。
【解決手段】本発明のターゲット１１１は酸素と銅とを含有している。当該ターゲット１１１をスパッタリングして形成されるバリア膜２５は、原子組成がターゲット１１１と略等しくなるので、バリア膜２５中の酸素含有量を厳密に制御することが可能であり、しかも、バリア膜２５中の酸素の面内分布が均一になる。酸素と銅を含有するバリア膜２５はシリコン層やガラス基板への密着性が高い上に、シリコン層へ銅が拡散しないから、薄膜トランジスタ２０の、ガラス基板やシリコン層に密着する電極に適している。 （もっと読む）

【課題】長尺体や包装材に損傷を与えることなく包装することが可能な包装装置及び包装方法を提供すること。
【解決手段】包装装置１は、長尺体６０を保持する保持台３１と、長尺体６０を包装する筒状の包装材１４と、包装材１４により被覆可能で、長尺体６０が挿入可能な内部空間を有する包装材成形箱１２と、包装材成形箱１２の内部空間へ長尺体６０をその長手方向に相対的に移動させて挿入する移動手段１１とを具備する。 （もっと読む）

【課題】基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現するバッキングプレートの製造方法、及びこれらに関する技術を提供すること
【解決手段】バッキングプレート１は、ブラスト材によりブラスト処理され、ブラスト処理部５が形成される。ブラスト処理部５には、付着、固着したブラスト材の他、突き刺さっているブラスト材が存在する。この突き刺さっているブラスト材上に堆積した膜が容易に剥離し、基板上の薄膜に異物として混入してしまう。ブラスト処理部５に突き刺さっているブラスト材は、単純な洗浄方法では除去することができない。そこで、バッキングプレート１は、超音波洗浄→エッチング処理→超音波洗浄の順に洗浄される。この３段階の洗浄により、ブラスト処理部５に突き刺さったブラスト材を除去することができるため、基板上に形成される薄膜の品質及び製造効率の向上を実現することができる。 （もっと読む）

【課題】突発的なパーティクルの発生を低減し、膜質及び薄膜製造効率の向上を実現することができるスパッタリングターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のスパッタリングターゲットの製造方法は、マグネトロンスパッタリング装置用のスパッタリングターゲットの製造方法であって、ターゲット本体を準備し、前記ターゲット本体表面の非エロージョン領域をブラスト処理し、前記非エロージョン領域を超音波洗浄し、前記超音波洗浄した前記非エロージョン領域をエッチングし、または洗浄液でジェット洗浄し、前記非エロージョン領域を再度超音波洗浄する。 （もっと読む）

【課題】結晶相が均一で、高密度なＰｂＯ含有量の多いチタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るチタン酸ジルコン酸鉛系焼結体の製造方法は、化学量論組成で混合したチタン酸ジルコン酸鉛の原料粉末を９００℃以上１２００℃以下の温度で焼結した予備焼結体を作製し、前記予備焼結体を粉砕し、前記粉砕した予備焼結体の粉末に鉛酸化物粉末を添加して鉛過剰の混合粉末を作製し、前記鉛過剰の混合粉末を前記予備焼結体の焼結温度よりも低い温度で焼結する。焼結工程を二段階に分けることにより、ＰｂＺｒＯ_３、ＰｂＴｉＯ_３、ＺｒＯ_２、ＴｉＯ_２、ＰｂＯその他の中間化合物が存在しない化学量論組成のＰＺＴと過剰分のＰｂＯの２種の結晶相のみからなる高密度（例えば９５％以上）のＰＺＴ焼結体を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】マクロサイズの内部欠陥がなく、高密度なバルク体を得ることができるリン酸リチウム焼結体の製造方法およびスパッタリングカソードを提供する。
【解決手段】本発明は、Ｌｉ₃ＰＯ₄の原材料粉を仮焼する工程と、仮焼した原材料粉を分級する工程と、分級した原材料粉を所定形状に焼結する工程とを有するリン酸リチウム焼結体の製造方法であって、原材料粉の仮焼温度を６５０℃以上８５０℃未満とすることによって、原材料粉に吸着している水分を効果的に除去し、焼結工程で得られるバルク体（焼結体）へのマクロサイズの内部欠陥の発生を抑制する。仮焼温度が６５０℃未満の場合、原材料粉の仮焼処理が不十分なため、マクロな内部欠陥の発生を効果的に抑制できない。特に、４００μｍ以下の粉砕、篩い分けを容易に行える仮焼温度として、６５０℃以上７５０℃以下が好ましい。 （もっと読む）

【課題】不純物および介在物含有量の少ない、組成分布が均質なアルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、アルミニウム単一相からなるスパッタリング用アルミニウム−リチウム合金ターゲットの製造方法であって、真空雰囲気または不活性ガス雰囲気に維持された溶解炉１０の中に設置されているルツボ１２内でアルミニウム２１を溶解する第１の工程と、プランジャ１３を駆動させて、ルツボ１２内のアルミニウム溶湯中にリチウム塊２２を強制浸漬させて攪拌する第２の工程と、ルツボ１２内のアルミニウム−リチウム合金の溶湯を鋳型２５に型注する第３の工程と、アルミニウム−リチウム合金のインゴットの組織制御を行う第４の工程とを有する。 （もっと読む）