【課題】 耐面圧性を含め密着性の高い硬質炭素膜を実現する。
【解決手段】 基材１０上に、当該基材１０と相性の良い中間層としての金属膜１２が、スパッタリング処理によって形成される。そして、この中間層１２上に、シリコンを含有する高濃度シリコン含有硬質炭素膜（高濃度層）１４が、プラズマＣＶＤ処理によって形成される。さらに、この高濃度層１４上に、当該高濃度層１４よりも少なめのシリコンを含有する低濃度シリコン含有硬質炭素膜（低濃度層と言う）１６が、同プラズマＣＶＤ処理により形成される。そして、高濃度層１４および低濃度層１６が、一連の硬質炭素膜１８を成す。このように硬質炭素膜１８に含まれるシリコンの量が基材１０から遠くなるに連れて減少することで、当該硬質炭素膜１８の耐面圧性を含めた密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】 量産しても各冷却能力をほぼ均一とする。
【解決手段】 チャンバー２内に熱板８が設けられている。熱板８は、被処理物１６が載せられる面８ａを有し、被処理物１６を加熱するための電熱ヒータ１０が熱板８の内部に設けられている。熱板８の下方には冷却板１８が設けられている。冷却板１８は、熱板８の下面に接触可能な上面１８ａを有し、熱板８に対してシリンダー２４によって進退可能である。冷却板１８の上面１８ａには、複数の溝３２が形成されている。この溝３２に真空排気ポンプ４０が接続されている。電熱ヒータ１０が通電され、被処理物１６を加熱した後、冷却板１８の上面１８ａを熱板８の下面に接触させた状態で、真空排気ポンプ４０を駆動して、冷却板１８の上面１８ａを熱板８の下面に密着させて、熱板８を冷却する。 （もっと読む）

【課題】 実用的なＢＮ膜を生成する。
【解決手段】 各被処理物３６，３６，…は、自公転機構２８によってプラズマ領域６８に順次搬送される。そして、このプラズマ領域６８において、坩堝２２に収容されたホウ素材と、ガス管５８を介して導入される窒素ガスと、を材料とするＢＮ膜が生成される。このとき、各被処理物３６，３６，…には、バイアス電力として、直流成分Ｖｄｃが重畳された高周波電力Ｅｂが供給される。なお、直流成分Ｖｄｃが大きく変動すると、ＢＮ膜の破壊、ひいては剥離を誘発するが、この成膜装置１０においては、電圧制御回路６６によって当該直流成分Ｖｄｃの変動が抑制される。従って、剥離を生じない、実用的なＢＮ膜を生成することができる。 （もっと読む）

【課題】 密着性の高い被膜を生成するべく、被処理面の変質や変形を防止しつつ当該被処理面を洗浄する。
【解決手段】 この表面処理装置１０は、真空槽１２を有している。この真空槽１２にガス管５８を介してアルゴンガスが導入され、カソード４０にカソード電力Ｅｃが供給されると、カソード４０から熱電子が放出される。この熱電子は、アノード電圧Ｖａが印加されたアノード４２に向かって加速され、アルゴンガス粒子に衝突する。これによって、プラズマが発生し、このプラズマ中のアルゴンイオンが被処理物３６の表面に照射され、当該表面が洗浄される。ここで、イオン照射により被処理物３６に流れる電流が５．６ｍＡ／ｃｍ^２以下となるように、アルゴンガスイオンの圧力、カソード電力Ｅｃ、アノード電圧Ｖａおよびカソードバイアス電圧Ｖｃｂを設定すれば、変質および変形を防止できる。 （もっと読む）