神港精機株式会社により出願された特許

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【課題】 テーパー角度を90度未満とするプラズマエッチング方法を提供する。
【解決手段】 反応性エッチングガスとしてフッ素と酸素とを真空容器1内に導入し、コイル6に高周波電力を供給して誘導結合型プラズマ7を発生し、このプラズマによって基板電極8上にエッチング部材10として配置されたシリコンをエッチングし、基板電極8に基板電極用交流電源11から供給する交流電力の周波数によってシリコンにエッチングされる形状を制御する。 (もっと読む)


【課題】 被処理物の表面へのイオンの入射量を安定化させる。
【解決手段】 本発明に係るイオンプレーティング装置10によれば、熱電子放射フィラメント36から放射された熱電子がイオン化電極38に向かって加速される。そして、この熱電子が蒸発源16からの被膜材料22の蒸発粒子と非弾性衝突することにより、当該蒸発粒子がイオン化される。さらに、このイオン化された蒸発粒子が被処理物としての基板26の表面に入射されることにより、当該基板26の表面に被膜が生成される。ここで、イオン化電極38に流れる電流Idは、イオンの生成量に相関する。このイオン化電極電流Idが一定になるように、熱電子放射フィラメント36からの熱電子の放射量が制御される。このような制御が成されることで、イオンの生成量が安定化され、ひいては基板26の表面へのイオンの入射量が安定化される。 (もっと読む)


【課題】 広範囲のガス圧において高密度プラズマを発生させる。
【解決手段】 プラズマ処理対象物4が配置された処理チャンバ2の内部に、ホローカソード8が設けられ、ホローカソード8は、処理対象物4を向いて開口した溝20を有している。処理チャンバ2内を排気した後にガスを供給し、ホローカソード電極8に高周波電力を印加して、プラズマを発生させる。溝20は、その開口から、前記被処理対象物と反対方向に向かうに従って溝幅が異なる幅で形成され、溝幅が広い部分は、ガスの処理チャンバ2内での圧力が低い状態で高密度プラズマが形成可能で、かつ溝幅が狭い部分は、ガスの処理チャンバ2内での圧力が高い状態で高密度プラズマが形成可能である。 (もっと読む)


【課題】 自己放電型の表面処理装置および表面処理方法において、自己バイアス電圧の変化に関係なく安定した表面処理を実現し、ひいては安定した表面処理結果を得る。
【解決手段】 本発明に係るプラズマCVD装置10によれば、真空槽10と被処理物としての各基板18,18,…とを一対の電極として、これらに放電用電力としての正弦波電力Wpが供給される。このとき、各基板18,18,…の表面に負の直流電圧である自己バイアス電圧が現れる。併せて、真空槽10を陽極とし、各基板18,18,…を陰極として、これらに直流電力Waが供給される。これによって、各基板18,18,…には、自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaが印加された状態となる。ゆえに、自己バイアス電圧が変化したとしても、この自己バイアス電圧を含む直流電圧Vaは一定であるので、安定した表面処理が実現され、ひいては安定した表面処理結果を得ることができる。 (もっと読む)


【課題】ナノ薄膜のヤング率を高精度で測定できることを目指し、基板ヤング率の誤差を低減した形状パラメータを備えた共振デバイスを提供する。
【解決手段】本発明の共振デバイスは、基板上に外形が略扇形に形成され、かつ扇形の要となる支持部上において基板に垂直な軸周りに回転可能に設けられ、扇形の一方の辺が静電引力付与用の櫛歯電極に形成された共振デバイスにおいて、支持部の幅(w)と厚み(t)との第1比率(w/t)を0.5〜3の範囲とし、支持部の長さ(L)と厚み(t)との第2比率(L/t)を5〜20の範囲とし、第2比率/第1比率(L/w)を5以上とした条件下で、支持部の幅(w)、長さ(L)および厚み(t)の寸法が決定される。これにより、共振デバイス単独のヤング率算出誤差を8%以内にできる。 (もっと読む)


【課題】稀少な蒸着原料を浪費することなく、効率的な拡散処理を行える拡散処理装置を提供する。
【解決手段】本発明の蒸着処理装置(1)は、被処理材を収容する処理室(10)と、処理室内に配置された被処理材(M)を加熱する第一加熱手段(13)と、処理室内の雰囲気を調整する第一雰囲気調整手段と、処理室に連通可能に設けられ蒸着源(D)を収容し得る蒸着源室(20)と、処理室と蒸着源室との間で蒸着源を移動させ得ると共に被処理材へ近接させ得る近接移動手段(21)と、処理室と蒸着源室との連通と遮断を蒸着源の移動に応じて切換える切換手段(30)と、蒸着源を加熱する第二加熱手段(22)と、蒸着源室内の雰囲気を調整する第二雰囲気調整手段と、を備える。これによれば被処理材と蒸着源とを、独立して加熱できると共に任意のタイミングで接近させることができる。従って蒸着自由度が非常に高くなり、効率的な蒸着処理等が可能となる。 (もっと読む)


【課題】微量の液滴を保持する能力を高めることができる液滴保持ツールを提供する。
【解決手段】液滴保持ツール1は、親水性を高める凹凸微細構造部21が表面20に形成されている親水層2と、この親水層2の表面20側に設けられ前記凹凸微細構造部21を露出させている開口部31が形成されている撥水層3とを備えている。さらに、撥水層3は、非晶質材料からなり、この非晶質材料のガラス転移点以上の温度で加熱する加熱処理が、当該撥水層3に施されている。 (もっと読む)


【課題】従来よりも小型であり、併せてランニングコストを低減することができる基板搬送装置を提供する。
【解決手段】基板搬送装置10は、水平かつ上向きの加熱面を有する加熱ユニット12と、この加熱ユニット12の加熱面に沿って基板100を搬送するための3台の昇降可能なチェーン式コンベヤ18と、を備えている。コンベヤ18は、上昇状態で基板100を搬送し、当該基板100が所定の停止位置に到達すると、下降される。これにより、基板100は、コンベヤ18の搬送側キャリア26の上面と加熱ユニット12の加熱面とから成る一連の基板載置面上に載置され、当該基板載置面を介して、一様に加熱される。この加熱後、コンベヤ18は、改めて上昇され、基板100を搬送する。 (もっと読む)


【課題】接合処理の後工程等において加熱処理が実行される場合においても、マイクロボイドの発生を抑制することが可能な接合技術を提供する。
【解決手段】エネルギー波を照射すること(プラズマ処理等)によって両被接合物のうち少なくとも一方の被接合物の接合表面にポーラス酸化物を生成し(ステップS10)、その後、ポーラス酸化物が生成された当該接合表面に適量の水分子を付着させる(ステップS20)。そして、接合表面に水分子を付着させた状態で両被接合物の接合表面を互いに接触させて加圧し、当該両被接合物を接合する(ステップS30)。 (もっと読む)


【課題】 リフトオフ加工を前提とするスパッタリング装置において、リフトオフ後にバリが残るという不具合を確実かつ安定的に解消する。
【解決手段】 本発明に係るスパッタリング装置10の真空槽12内は、差圧シールド26内の空間24と、それ以外の空間40とに、隔離されている。そして、差圧シールド26内の空間24に、ターゲット14が配置されており、それ以外の空間40に、基板34が配置されている。さらに、高いエネルギを持つプラズマ22は、差圧シールド26内の空間24に閉じ込められる。これにより、基板35上に付着した被膜粒子がプラズマ22の影響を受けて当該基板35上で移動するというスパッタリング法特有の性質が抑制される。この結果、基板34上に形成された逆パターンのアンダーカット部への被膜粒子の回り込みが防止され、ひいてはリフトオフ後にバリが残るという不都合が解消される。 (もっと読む)


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