説明

大日本スクリーン製造株式会社により出願された特許

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【課題】パターンが形成された基板表面に粘着部材を当接させた後で当該粘着部材を剥ぎ取って基板表面から付着物を除去する基板処理技術において、優れた付着物の除去率およびダメージ抑制性能を安定的に得る。
【解決手段】基板Wの表面Wfに対する粘着テープTによる貼り剥がし洗浄を行う前に、基板Wのノッチ位置を検出し、そのノッチ検出時点でのパターンの向きに基づいて基板Wを回転させてパターンの向きが剥離方向Xと平行となるように、パターンの向きと剥離方向との相対的な方向関係を適正化する。そして、洗浄ヘッド7がノッチ検出位置P2から(−X)方向に移動して粘着テープTによる貼り剥がし洗浄が実行される。 (もっと読む)


【課題】シリサイドの横方向への異常成長を防止しつつ、シリサイド形成を行うことができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】半導体ウェハーWのソース・ドレイン領域にシリコンなどのイオンを注入し、そのイオン注入領域150を非晶質化する。非晶質化されたイオン注入領域150にニッケル膜158を成膜する。ニッケル膜158が成膜された半導体ウェハーWにフラッシュランプから第1照射を行ってその表面温度を予備加熱温度T1から目標温度T2にまで1ミリ秒以上20ミリ秒以下にて昇温する。続いて、フラッシュランプから第2照射を行って半導体ウェハーWの表面温度を目標温度T2から±25℃以内の範囲内に1ミリ秒以上100ミリ秒以下維持する。これにより、ニッケルシリサイドが縦方向に優先的に成長する。 (もっと読む)


【課題】フラッシュ加熱処理時における薄膜の過度の加熱を抑制することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】表面に二酸化ケイ素の基材を形成し、さらにその上にアモルファスシリコンの薄膜を形成した半導体ウェハーWをチャンバー6内に搬入する。フラッシュランプFLへの電力供給回路には絶縁ゲートバイポーラトランジスタ(IGBT)が接続されており、そのIGBTによってフラッシュランプFLへの通電時間を0.01ミリ秒以上1ミリ秒以下とすることにより、フラッシュ光照射時間を0.01ミリ秒以上1ミリ秒以下としている。顕著に短いフラッシュ光照射時間にてフラッシュ加熱処理を行うため、アモルファスシリコンの薄膜が過度に加熱されることは抑制され、当該薄膜が剥離するなどの弊害が防止される。 (もっと読む)


【課題】 時間や天候に係わらず、携帯型電子機器等に電源を供給して、使用しまたは充電することができ、容易に携帯できる携帯用の電源装置等を提供する。
【解決手段】 システム手帳1には、リフィル4とともに、リフィル型電源5が綴じこまれている。リフィル型電源5の本体5aには、その一側縁部に、バインダー部2の綴り輪2bに綴じこんで保持するための保持部5bが形成される。リフィル型電源5の本体5aは、扁平形状の二次電池6と、前記二次電池6を充電する充電回路7と、前記二次電池6の電圧を出力する出力回路8とを、図示しない樹脂製のプリント基板に組みつけてなる電源ユニット9を備え、さらに充電端子11と出力端子12を備える。使用者は、リフィル型電源5の二次電池6を充電しておき、電子機器の内蔵電池が消耗したときに出力端子12に接続して電子機器を駆動または充電する。 (もっと読む)


【課題】処理液による処理の際に電荷の移動による基板の損傷を防止する。
【解決手段】基板処理装置10は、基板9を1枚ずつ処理する枚葉処理装置1、比抵抗がSPM液の比抵抗よりも大きい目標比抵抗に維持された除電液を貯溜する除電液貯溜部71、および、基板9に対する減圧乾燥処理を行う基板乾燥部75を備える。基板処理装置10では、カートリッジ73に保持された複数の基板9が、除電液貯溜部71内の除電液に浸漬され、基板9の両側の主面が全面に亘って除電液に接触する。これにより、基板9が比較的緩やかに除電される。そして、除電処理、および、基板乾燥部75による乾燥処理の終了後に、処理液供給部3により基板9の上面91上にSPM液が供給されてSPM処理が行われる。これにより、SPM処理の際に、基板9からSPM液へと大量の電荷が急激に移動することが防止され、基板9の損傷を防止することができる。 (もっと読む)


【課題】液滴が衝突する基板内の衝突位置での膜厚のばらつきを低減することにより、処理の均一性を向上させること。
【解決手段】洗浄ノズル5は、複数の噴射口31が形成された噴射部6と、吐出口36が形成された吐出部7とを含む。複数の噴射口31は、複数の液滴がそれぞれ基板W内の複数の衝突位置P1に衝突するように形成されている。吐出口36は、各衝突位置P1からの距離Dが等しい基板W内の着液位置P2に保護液が着液するように形成されている。洗浄ノズル5は、吐出口36から吐出された保護液の液膜によって覆われている基板Wに複数の噴射口31から噴射された複数の液滴を衝突させる。 (もっと読む)


【課題】枚葉型の基板処理装置に適したスケジュール作成方法およびスケジュール作成プログラムを提供する。
【解決手段】スケジュール作成方法は、基板を一枚ずつ処理する枚葉型の処理ユニットSPIN1〜SPIN12を有する基板処理装置の動作を時系列に従って規定するスケジュールを前記基板処理装置に備えられた制御部21が作成するための方法である。この方法は、制御部21が、各基板に対する処理内容を規定するブロックを時系列に従って結合した仮タイムテーブルを作成するステップと、制御部21が、複数枚の基板に関する前記仮タイムテーブルからブロックを取得し、時系列に従って配置することにより、全体スケジュールを作成するスケジューリングステップとを含む。 (もっと読む)


【課題】雰囲気が置換される空間の体積を減少させることができ、基板のエッチング量を面内全域で低減できる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】基板処理装置1は、内部空間S1を有するチャンバー2と、チャンバー2内で基板Wを保持して回転軸線A1まわりに回転させるスピンチャック3と、チャンバー2内で基板Wの上面に対向する遮断板4と、遮断板4と基板Wとの間に不活性ガスを供給するガス供給機構5と、基板Wに対して傾いた方向に処理液を吐出することにより、基板Wの上面中央部に斜めに処理液を供給する処理液ノズル29と、処理液ノズル29に供給される処理液から酸素を脱気する脱気手段とを含む。 (もっと読む)


【課題】RIPパラメータを設定する都度、当該RIPパラメータに基づくRIP展開によって生成された図形の描画に供される画像データを、描画処理の実行前に、容易に確認できる技術を提供することを目的とする。
【解決手段】画像処理装置2は、設計データD0が表す所定の処理領域RTを設定する処理領域設定部25と、指定パラメータPa1用いて、処理領域RTの表示倍率に応じた解像度で、処理領域に対応する設計データD0をRIP展開する表示用RIP展開部26とを備える。表示用RIP展開部26におけるRIP展開は、直接描画のための描画用RIP展開よりもデータ処理量を抑制した表示用RIP展開であることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】 バリアブル印刷において、印刷するバーコードの線幅を理想とされる幅にすることができる印刷データ処理装置、印刷データ処理方法、印刷システムおよびプログラム、ならびに、ページデータ作成装置およびラスタライズ処理装置を提供する。
【解決手段】 印刷データ処理装置4は、ページデータ作成装置1とラスタライズ処理装置2とを備える。ページデータ作成装置1は、機能構成として共用オブジェクト定義部11、配置条件設定部12、補正情報埋め込み部13、ページデータ生成部14を備え、ラスタライズ処理装置2は、機能構成として補正情報検索部21と解像度取得部22を有する解析部20と、補正部23と、ラスターデータ生成部25とを備える。 (もっと読む)


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