【課題】絶対圧力計を用いることなく、気圧変動の影響を回避して絶対圧における正確な目標圧で減圧を行うことができ、過剰減圧による脱気対象への悪影響を抑制できる。
【解決手段】制御部５９は、減圧ポンプ５７により最大能力で減圧タンク４３内の減圧を行う。相対圧力計５３の圧力を最大到達相対圧とし、予め設定されている目標絶対圧と、減圧ポンプ５７の絶対値基準の到達圧との差分を、最大到達圧相対圧に加算した値を目標相対圧として、制御部は減圧ポンプ５７を制御する。したがって、仕様により既知である減圧ポンプ５７による到達圧を基準するので、絶対圧力計を用いることなく装置周囲の気圧変動の影響を回避できる。その結果、絶対圧における正確な目標圧で減圧を行うことができ、過剰減圧に起因するインクへの悪影響を抑制でき、ノズル配管３１からノズル３３へ供給されるインクによる印刷を好適に行える。 （もっと読む）

【課題】シート状の基材上に形成された薄膜パターンの画像を取得する際に、検出角を容易に変更する。
【解決手段】画像取得装置１は、中心軸Ｋを中心とするドラム１１を有し、ドラム１１の回転により外側面１１１に沿ってウエブ９が搬送される。画像取得装置１は、中心軸Ｋに平行な線状の撮像領域９０に向けて光を出射する光照射部２１と、撮像領域９０からの光をラインセンサにて受光する受光部２３とをさらに有し、光照射部２１および受光部２３は移動機構４により中心軸Ｋに垂直、かつ、互いに交差する２方向に移動する。移動機構４を制御することにより、受光部２３の光軸Ｊ２とウエブ９の法線Ｎとのなす検出角θ２が変更されるとともに、光軸Ｊ２上においてラインセンサの受光面と共役なフォーカス位置Ｐが薄膜パターン上に配置される。このように、受光部２３を２方向に移動する移動機構４のみにより、検出角θ２を容易に変更することができる。 （もっと読む）

【課題】基板上の照度分布の不均一を容易に是正することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】チャンバー６内にて保持プレート７によって半導体ウェハーＷが保持される。チャンバー６の上方に設けられたフラッシュ光照射部５には複数の点光源のフラッシュランプＦＬがハニカム状に配列されている。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光は、光を拡散するディフューザ５５を透過した後にチャンバー６内に入射して半導体ウェハーＷの表面に照射される。点光源のフラッシュランプＦＬであれば、半導体ウェハーＷの表面に照度分布の不均一が生じていたとしても、その不均一箇所に対応するフラッシュランプＦＬのみの強度を調整して照度分布の不均一を容易に是正することができる。 （もっと読む）

【課題】インクジェットプリンタにおいて、印刷品質を向上する。
【解決手段】インクジェットプリンタのヘッド２１では、それぞれが複数の吐出口を走査方向に交差する方向に配列して有する複数の吐出口列が走査方向に配列される。各吐出口は、吐出制御部４４による異なる駆動信号の入力により複数サイズのドットを印刷用紙上に形成可能である。インクジェットプリンタでは、吐出制御部４４の制御により、複数の吐出口列のうちの一部の吐出口列により複数サイズのうちの一のサイズのドットのみが形成され、他の吐出口列により他の一のサイズのドットのみが形成される。このように、各吐出口列内の複数の吐出口が一のサイズのドットのみを形成することにより、サテライト液滴等の発生を低減して印刷品質を向上することができる。 （もっと読む）

【課題】シリコンゲルマニウム層の弛緩を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる熱処理方法を提供する。
【解決手段】ゲルマニウム濃度が相対的に低濃度のシリコンゲルマニウムの両側を高濃度のシリコンゲルマニウムにて挟み込んだシリコンゲルマニウム層を半導体ウェハー上に形成する。その低濃度のシリコンゲルマニウムの上に二酸化ケイ素の膜を挟んで高誘電率膜を形成する。この半導体ウェハーにフラッシュランプから第１照射を行ってその表面温度を予備加熱温度Ｔ１から目標温度Ｔ２にまで３ミリ秒以上１秒以下にて昇温する。続いて、フラッシュランプから第２照射を行って半導体ウェハーの表面温度を目標温度Ｔ２から±２５℃以内の範囲内に３ミリ秒以上１秒以下維持する。これにより、シリコンゲルマニウム層の歪みの緩和を抑制しつつ、高誘電率膜の結晶化を促進することができる。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】ステレオマッチング処理において互いに異なる部品９１a〜９１c間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制する。
【解決手段】認識対象部品９１aを含む複数の部品９１a〜９１cを異なる視点から撮像した複数の撮像画像Ｉ1、Ｉ2それぞれから、認識対象部品９１aが写る対象領域Ｒ1、Ｒ2が抽出される。複数の撮像画像Ｉ1、Ｉ2それぞれの対象領域Ｒ1、Ｒ2に対して、ステレオマッチング処理が実行される。つまり、ステレオマッチング処理を行う領域Ｒ1、Ｒ2を、撮像画像Ｉ1、Ｉ2のうちの認識対象部品９１aを含む対象領域Ｒ1に限定する。そのため、対象領域Ｒ1から認識対象部品９１a以外の部品９１b、９１cを外してステレオマッチング処理を実行することができ、その結果、ステレオマッチング処理において互いに異なる物体間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】基板を収容するカセットを装着可能な装置筐体に主要な処理部を収容した基板処理装置において、カセットおよび筺体内の雰囲気を適切に管理することのできる技術を提供する。
【解決手段】装置筺体の上面後方（図において左方）に気体吹出部１９０を設けて温調気体を筺体内に導入するとともに、前方下部に設けた主排気口１９２から排気する。前面パネル１０３のうちＦＯＵＰカセット１１０を装着する開口部１０３ａよりも上方に副排気口１９４を設け、気流の一部を開口部１０３ａの上方から排気する。これにより開口部１０３ａの周辺で複雑な気流が生じ、カセット１１０内の気体の循環が促進される。 （もっと読む）

【課題】基板裏面の反射率に関わらず、基板の有無を確実に検出することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュ加熱後に支持ピン７０に支持された半導体ウェハーから放射された放射光は、支持ピン７０の先端７０ａから入射して基端７０ｂに向けて導かれる。その放射光は光ケーブル１６を介して受光部１２によって受光されて電気信号に変換されてからアンプ１３によって増幅され、さらに積分回路１４を通って高周波ノイズが除去された後、コンパレータ１５に送信される。コンパレータ１５は、その電気信号の電圧と予め定められた閾値との比較を行うことにより支持ピン７０上の半導体ウェハーの有無を検出する。半導体ウェハーからの放射光を用いて検出処理を行っているため、ウェハー裏面の反射率に関わらず、半導体ウェハーの有無を確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】部品９１の三次元認識を正確に実行する。
【解決手段】互いに異なる場所から部品９１を撮像した２枚の撮像画像Ｉ1、Ｉ2に対してステレオマッチング処理が実行されて、２枚の撮像画像Ｉ1、Ｉ2間の視差ｐを示す視差画像Ｉsが取得される。また、撮像画像Ｉ1からエッジＥが抽出されて、部品９１のエッジＥを示すエッジ画像Ｉeが取得される。そして、エッジ画像Ｉeが示す部品９１のエッジＥ上の位置での視差ｐが、視差画像Ｉsに含まれる視差ｐから抽出されるとともに、こうして抽出された視差ｐに基づいて、三次元における部品９１の位置および姿勢が認識される。これにより、部品９１のエッジＥ部分の視差ｐに基づいて、三次元における部品９１の位置および姿勢を認識することが可能となり、その結果、この三次元認識を正確に実行することが可能となる。 （もっと読む）