【課題】基板の側面に処理液が付着することを抑制できる技術を提供する。
【解決手段】基板処理装置２０は、基板Ｓを略水平に保持する基板保持部３０と、基板Ｓに対して略平行な主走査方向に沿って延びる主走査機構ガイド部４２に沿って移動しつつ基板Ｓに塗布液を吐出する吐出部５０とを備える。一対の側壁部６０ａ，６０ｂが基板Ｓの存在域ＥＲを挟むように設置されており、それらの上端は基板Ｓの主面Ｓｍよりも上方に位置している。吐出部５０が基板Ｓの存在域ＥＲの外方から基板Ｓの側面付近に近づいたときに吐出部５０から吐出した塗布液は側壁部６０ａ，６０ｂで遮られ、基板Ｓの両側面Ｓｓ１，Ｓｓ２には付着しない。 （もっと読む）

【課題】基板に与える悪影響を抑制しつつフラッシュ加熱処理を行うことができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】熱処理装置１のチャンバー６内には、表面にレジスト膜を形成した半導体ウェハーＷが搬入され、保持プレート７によって保持される。フィルタ機構２は、当該レジスト膜が感光する波長域の光をカットするフィルタ２０をチャンバー６のチャンバー窓６１とフラッシュ照射部５のフラッシュランプＦＬとの間に挿入する。フラッシュランプＦＬから出射されたフラッシュ光がフィルタ２０を透過するときに当該波長域の光がカットされ、そのカット後のフラッシュ光が半導体ウェハーＷの表面に照射される。当該波長域の光をカットしたフラッシュ光照射によってレジスト膜の感光を抑制しつつ必要なフラッシュ加熱処理を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ステレオマッチング処理において互いに異なる部品９１a〜９１c間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制する。
【解決手段】認識対象部品９１aを含む複数の部品９１a〜９１cを異なる視点から撮像した複数の撮像画像Ｉ1、Ｉ2それぞれから、認識対象部品９１aが写る対象領域Ｒ1、Ｒ2が抽出される。複数の撮像画像Ｉ1、Ｉ2それぞれの対象領域Ｒ1、Ｒ2に対して、ステレオマッチング処理が実行される。つまり、ステレオマッチング処理を行う領域Ｒ1、Ｒ2を、撮像画像Ｉ1、Ｉ2のうちの認識対象部品９１aを含む対象領域Ｒ1に限定する。そのため、対象領域Ｒ1から認識対象部品９１a以外の部品９１b、９１cを外してステレオマッチング処理を実行することができ、その結果、ステレオマッチング処理において互いに異なる物体間で対応付けが行われるといった誤対応の発生を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】処理液で濡れた基板表面を低表面張力溶剤を用いて乾燥させる基板処理装置および基板処理方法において、少ない低表面張力溶剤で基板表面を良好に乾燥させる。
【解決手段】リンス処理の終了後に、基板Ｗの回転速度が６００ｒｐｍから１０ｒｐｍに減速されてＤＩＷ液膜がパドル状に形成される。そして、９秒間だけＤＩＷの供給を継続した後に停止し、所定時間（０．５秒間）が経過してパドル状の液膜の膜厚ｔ1がほぼ均一になるのを待って、ＩＰＡが基板表面Ｗfの表面中央部に向けて例えば１００（ｍＬ／ｍｉｎ）の流量で吐出される。このＩＰＡ供給によって、基板Ｗの表面中央部ではＤＩＷがＩＰＡに置換されて置換領域ＳＲが形成される。さらにＩＰＡ供給から３秒が経過すると、基板Ｗの回転速度が１０ｒｐｍから３００ｒｐｍに加速される。これによって、置換領域ＳＲが基板Ｗの径方向に拡大して基板表面Ｗfの全面が低表面張力溶剤に置換される。 （もっと読む）

【課題】基板を収容するカセットを装着可能な装置筐体に主要な処理部を収容した基板処理装置において、カセットおよび筺体内の雰囲気を適切に管理することのできる技術を提供する。
【解決手段】装置筺体の上面後方（図において左方）に気体吹出部１９０を設けて温調気体を筺体内に導入するとともに、前方下部に設けた主排気口１９２から排気する。前面パネル１０３のうちＦＯＵＰカセット１１０を装着する開口部１０３ａよりも上方に副排気口１９４を設け、気流の一部を開口部１０３ａの上方から排気する。これにより開口部１０３ａの周辺で複雑な気流が生じ、カセット１１０内の気体の循環が促進される。 （もっと読む）

【課題】部品９１の三次元認識を正確に実行する。
【解決手段】互いに異なる場所から部品９１を撮像した２枚の撮像画像Ｉ1、Ｉ2に対してステレオマッチング処理が実行されて、２枚の撮像画像Ｉ1、Ｉ2間の視差ｐを示す視差画像Ｉsが取得される。また、撮像画像Ｉ1からエッジＥが抽出されて、部品９１のエッジＥを示すエッジ画像Ｉeが取得される。そして、エッジ画像Ｉeが示す部品９１のエッジＥ上の位置での視差ｐが、視差画像Ｉsに含まれる視差ｐから抽出されるとともに、こうして抽出された視差ｐに基づいて、三次元における部品９１の位置および姿勢が認識される。これにより、部品９１のエッジＥ部分の視差ｐに基づいて、三次元における部品９１の位置および姿勢を認識することが可能となり、その結果、この三次元認識を正確に実行することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】基板裏面の反射率に関わらず、基板の有無を確実に検出することができる熱処理方法および熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュ加熱後に支持ピン７０に支持された半導体ウェハーから放射された放射光は、支持ピン７０の先端７０ａから入射して基端７０ｂに向けて導かれる。その放射光は光ケーブル１６を介して受光部１２によって受光されて電気信号に変換されてからアンプ１３によって増幅され、さらに積分回路１４を通って高周波ノイズが除去された後、コンパレータ１５に送信される。コンパレータ１５は、その電気信号の電圧と予め定められた閾値との比較を行うことにより支持ピン７０上の半導体ウェハーの有無を検出する。半導体ウェハーからの放射光を用いて検出処理を行っているため、ウェハー裏面の反射率に関わらず、半導体ウェハーの有無を確実に検出することができる。 （もっと読む）

【課題】複数の大きさの基板を処理可能な基板処理装置を提供すること。
【解決手段】基板処理装置は、任意の大きさの基板Ｗを水平に支持するセンターチャック１３と、上向きの環状面５７をそれぞれ有する複数のリング５とを含む。複数のリング５は、環状面５７の内周縁の長さがそれぞれ異なる複数のサイズ調整リングを含み、内周縁がセンターチャック１３に支持されている基板Ｗの周縁部に近接した状態で、環状面５７が基板Ｗを水平に取り囲むように、複数のリング５のいずれか一つが、センターチャック１３に支持されている基板Ｗの周囲に配置される。 （もっと読む）

【課題】廃液回収装置を備えた液体処理装置において、廃液タンクを取り外している間でも廃液回収を行なうことを可能とすること
【解決手段】廃液を貯留する状態および廃液を流出する状態を有するリテンションタンクを備えることにより、廃液タンクが設置されていればリテンションタンクは廃液タンクへ廃液を流出するが、廃液タンクが外された場合リテンションタンクは再度廃液タンクが設置されるまで廃液を貯留するので、廃液タンクが外されている状態であっても廃液の回収を行なうことができる。 （もっと読む）

【課題】処理槽に貯留される処理液から基板を直立姿勢で当該処理槽に貯留される処理液の液面より鉛直方向の上方の待機位置まで引き上げる際に、基板を自然乾燥させることなく、基板に付着している処理液の量を効率的に削減する。
【解決手段】処理槽１内でのリンス処理が完了した後に待機位置ＷＰで置換処理を行うために、単に基板Ｗを待機位置ＷＰに引き上げるのではなく、その引き上げ処理中にリンス処理で使用した処理液と同じ成分の蒸気、つまりＤＩＷ蒸気が基板Ｗに対して水平方向よりも下方向きに向けて供給される。このため、ＤＩＷ蒸気の動圧によって基板Ｗに付着しているＤＩＷが下方へ押し流されて基板Ｗに残存するＤＩＷ量が低下する。また、基板ＷのうちＤＩＷ蒸気供給を直接受ける領域では水蒸気の凝集によってＤＩＷの凝集膜が形成されて当該表面領域の自然乾燥が防止される。 （もっと読む）