説明

三洋電機コンシューマエレクトロニクス株式会社により出願された特許

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【課題】 フルカラー発光ダイオード装置において、サイドビュー、トップビュー何れの方向にも回路基板に対し実装可能であり、かつ振動や衝撃に対して非常に壊れ難く、また回路基板に対して安定して実装することができるフルカラー発光ダイオード装置を提供することを課題とする。
【解決手段】 パッケージ20内にR、G、B色のLEDチップを備え、パッケージ20の上面20a側から光を発するフルカラー発光ダイオード装置10において、チップR、G、Bを発光させるために必要なフレーム端子31、32、33、34が、パッケージ20の側面20bから外部へ露出すると共に、側面20bと底面20fの一部とに沿って折り曲げられており、側面20cには、フレーム端子31、34と対応する位置に、側面20cと底面20fの一部とに沿って折り曲げられたフレーム端子35、36が形成されることにより、サイドビュー、トップビュー何れの方向にも実装可能であり、かつ振動、衝撃に対して非常に壊れ難く、また安定した実装が可能なフルカラー発光ダイオード装置を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】 電池の消耗を抑制するとともに使い勝手を向上させた携帯型電子機器を提供する。
【解決手段】 外部電源入力端子5または充電式乾電池2からの電圧を所定電圧に変圧する変圧手段8と、外部電源入力端子5に印加される電圧を検出する電圧検出手段7と、前記所定電圧が動作電力として内部に供給されるか否かを切り換えられるようにした切換手段9と、外部電源入力端子5に外部電源が接続されているか否かを検出する接続検出手段6と、動作中に電圧検出手段7が外部電源入力端子5に電圧が印加されなくなったことを検出した場合に、前記外部電源が接続されていないことを接続検出手段6が検出していない場合には前記所定電圧が動作電力として内部に供給されるように、前記外部電源が接続されていることを接続検出手段6が検出している場合には前記所定電圧が動作電力として内部に供給されないように切換手段9を切換制御する制御回路11を備える。 (もっと読む)


【課題】 ワイヤーボンド時にヒートシンク部を安定して支持すること。
【解決手段】 半導体レーザ素子と、外周部に円弧曲面を有するとともに前記半導体レーザ素子の光軸と同方向の溝5を有する金属製のヒートシンク部4とを備え、前記溝5は、前記半導体レーザ素子を配置するための平坦面を有し、前記ヒートシンク部4は、前記素子配置用の平坦面と平行な平坦面22を底面に有し、前記ヒートシンク部の底面22は、前記素子配置用の平坦面よりも面積が広い平坦面としたことを特徴とする。周囲に安定性が悪い円弧曲面を有しているにも係わらず、底面に面積が広い平坦面を有しているので、ワイヤボンド時にヒートシンク部を安定して保持することができる。 (もっと読む)


【課題】 EMIを減少させた信号伝送方式を採用した液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶表示パネル51の周縁にソースドライバIC55A〜55Dを搭載した複数個のTCP53A〜53Dを配設し、隣接するTCPを前記液晶表示パネル51に形成された接続配線62A〜62Dで接続し、外部回路基板54から前記液晶表示パネル51及び前記液晶ドライバIC55A〜55Dの駆動に必要な画像データ信号を含む各種信号及び電圧を前記複数個のTCPの端部の1つ53Aに供給し、このTCP53Aから隣接するTCP53B〜53Dに前記各種信号及び電圧を順次供給するようにした液晶表示装置10において、
前記ソースドライバIC55A〜55Dは、入力された画像データ信号のうち、処理した画像データ信号を除いた他の画像データ信号を隣接する次のソースドライバICに出力するようにする。 (もっと読む)


【課題】 パッケージの小型化を図ること。
【解決手段】 金属製のヒートシンク部4に溝5を形成し、この溝5の中に、半導体発光素子9と、2本のリードピン11B,11Cの一端を前記溝5からはみ出さないように配置し、前記半導体発光素子9とこれに配線される前記リードピン11Bの一端をワイヤーボンド線16にて接続したことを特徴とする。2本のリードピン11B,11Cの一端を前記溝5の中に配置するので、パッケージの小型化、素子の保護を図ることができる。 (もっと読む)


【課題】 窒化物半導体発光素子を高精度に歩留り良く分割するするとともに、光取り出し効率の良い窒化物半導体発光素子を提供することである。
【解決手段】 サファイア基板11上にp型伝導型窒化物半導体層21及びn型伝導型窒化物半導体層20が積層されたIII族窒化物半導体発光素子10は、レーザ光遮蔽カバーを被せて窒化物半導体発光素子10の半導体層21側へレーザ光を照射し、V字型断面の溝23を形成する工程と、エッチングカバー24を被せてドライエッチングで溝23周辺の半導体層を除去する工程と、溝23を起点として窒化物半導体発光素子10を分割する工程とを備えた製造方法によって作製される。 (もっと読む)


【課題】 液晶表示パネル中央部及び周辺部での表示ムラを減少させ、制御回路基板と液晶表示パネル間の配線数を少なくできる液晶表示装置を提供すること。
【解決手段】 液晶表示パネル2の周縁に液晶駆動用ICSD1〜SD6を搭載した複数N個(但し、N>2)のTCPを配設し、隣接するTCPを前記液晶表示パネル2に形成された接続線L1〜L6で接続し、制御回路3から前記液晶表示パネル2及び前記液晶駆動用ICSD1〜SD6の駆動に必要な信号及び電圧を前記複数個のTCPの少なくとも1つに供給し、このTCPから隣接するTCPに前記信号及び電圧を順次供給するようにした液晶表示装置において、前記N個のTCPを直列接続した直列接続群を中央部で2分割し、前記制御回路3からの信号及び電圧を前記分割箇所を挟んで隣接する2つのTCPに別々に供給するようにする。 (もっと読む)


【課題】 レンズの繋ぎ目の段差及び隙間をなくして光学的精度を向上させるとともに、不良率を低減するLEDプリントヘッドを提供することである。
【解決手段】 LEDプリントヘッド10は、LED11を搭載した基板12と、基板12を載置する放熱板13と、LED11からの光を透過する3本の棒状レンズ14a〜14cと、棒状レンズ14a〜14cを保持するホルダ15a〜15cと、棒状レンズ14a〜14cを挟んでホルダ15a〜15cに対向するカバー16a〜16cとを備え、LED11、棒状レンズ14a〜14c、ホルダ15a〜15c、及びカバー16a〜16cを千鳥状に配置するとともに、隣り合う棒状レンズ同士が長手方向において一部重なり、放熱板13とホルダ15a〜15cとを接合した構成とする。 (もっと読む)


【課題】 簡便な手法で成長中断なしにクラック防止層を形成し、素子生産効率及び素子特性向上を実現する化合物半導体素子を提供することである。
【解決手段】 窒化物半導体レーザ素子(化合物半導体素子)10は、GaN基板11上に、n型AlGaNクラッド層12、n型AlGaN高欠陥層13、n型AlGaNクラッド層14、MQW活性層15、InGaN光ガイド層16、AlGaNキャップ層17、p型AlGaNクラッド層18、p型GaNコンタクト層19が順に積層され、p型GaNコンタクト層19上にはp型電極20が形成され、p型AlGaNクラッド層18上であって、p型GaNコンタクト層19及びp型電極20の周囲には絶縁膜21が形成され、p型電極20及び絶縁膜21上にはパッド電極22が形成され、n型AlGaNクラッド層12側とは反対のGaN基板11面にはn型電極23が形成されて構成される。 (もっと読む)


【課題】 回路基板に実装した後において信頼性の高いLED表示器用のLED表示器用筐体を提供する。
【解決手段】底面S1と、光を出射する開口部2aを備える正面S2と、正面S2に隣接する一対の側面S3、S4とを備える筐体1aと、一対のリード端子11、12とを備え、一対のリード端子11、12の各々を筐体1aの一対の側面S3、S4の各々から導出するようにした。 (もっと読む)


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