【課題】溶成工程や粉砕混合工程を経ることなくβ鉄シリサイドや半導体などに変換可能な高純度の鉄シリコン合金の製造方法を提供する。
【解決手段】粒径が１０μｍ以下の鉄粉と粒径が１０μｍ以下のシリコン粉を焼結型内に充填し、この粉末をパルス通電焼結法で加圧しながら直流パルス通電することにより、プラズマ放電が発生し電界作用でイオンの移動が高速となって粉末中にある酸化物や吸着ガスの除去が効果的に行われ、αＦｅＳｉ₂を主成分とした品質が良好で且つ緻密な焼結体が得られる。 （もっと読む）

【課題】溶成工程や粉砕成型工程を経ることなく高純度のマグネシウムシリコン合金および製造方法を提供すること。
【解決手段】粒径が５００μｍ以下のマグネシウム粉と粒径が１００μｍ以下のシリコン粉を所定比で焼結型内に充填し、この粉末を所定圧力以上に加圧しながら所定温度で加熱して焼結するマグネシウムシリコン合金の製造方法および、この製造方法によって得られた品質が良好で且つ緻密なマグネシウムシリサイド（Ｍｇ₂Ｓｉ）である。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の傷及び研磨量を抑制してそのドーパント揮散防止用保護膜としての品質を保ちつつ、高平坦度を有するシリコンウェーハを製造できるシリコンウェーハの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】原料シリコンウェーハの片面に化学気相成長法により酸化膜を成長させた後に、酸化膜表面側に、ウレタン樹脂を塗布後に湿式凝固させて発泡させたスウェード系研磨布又は不織布にウレタン樹脂を含浸させたベロア系研磨布で、かつアスカーＣゴム硬度が５０°以上９０°未満の研磨布を用い、酸化膜を成長させていない表面を研磨する側に、ウレタン単発泡体研磨布又は不織布にウレタン樹脂を含浸させたベロア系研磨布で、かつアスカーＣゴム硬度が９０°以上の研磨布を用いて原料シリコンウェーハを両面研磨する工程を有することを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。 （もっと読む）

【課題】温度変化に関係なく板状ワークを均一に加工する。
【解決手段】金属部材２をその温度変化に伴って最も伸縮する方向へ複数に分割し、これら複数の分割片２ａの間に隙間Ｓを空けて、各分割片２ａをそれぞれの温度変化に伴う伸縮変形量が該隙間Ｓ内で収まるように配置することにより、主要部がセラミックスで形成される保持部材１と金属部材２との熱膨張率の違いで、金属部材２の分割片２ａにおける単位面積当たりの伸縮変形量が、保持部材１における単位面積当たりの伸縮変形量より大きくなっても保持部材１が変形せず、保持部材１に保持した板状ワークの他面全体が、定盤の加工面に対して傾斜することなく圧接される。 （もっと読む）

【課題】検査対象のシリコンウエハに表面粗さ部分があっても欠陥部分を確実に識別する。
【解決手段】近赤外光源１から単波長の近赤外散乱光線Ｒ１をシリコンウエハＷに照射し、このシリコンウエハＷを透過した透過光線Ｒ２がカメラレンズ２で集光され、この集光された透過光線Ｒ２を撮像用カメラ３で受光して撮像し、画像処理部４が撮像用カメラ３の撮像画像上でシリコンウエハＷの表面粗さ部分となる成分を消去することにより、欠陥部分の画像が強調される。 （もっと読む）

【課題】ウエハのチッピングや割れ・欠けなどの不良発生を抑制する。
【解決手段】四角柱状に形成される複数のインゴット１の平坦な４つの側面１ａ同士を、それらの間に中間板材２が挟まれるように接着剤３で隙間なく接着して、インゴット連結体Ｂが形成され、このインゴット連結体Ｂと切断機Ｓを相対的にインゴット１の長手方向と交差する方向に移動させて、インゴット連結体Ｂの全体をスライスすることにより、複数の連結片Ｂ１としてインゴット１から切り出されるウエハＷと、中間板材２から切り出される中間断片Ｍとが互いに接着された状態で切り出されるため、切断機Ｓからの振動が各ウエハＷの角部や端部に伝わり難く、その後、連結片Ｂ１における接着剤３の接着力を低下させることにより、ウエハＷと中間断片Ｍとに分離される。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で異物の吸い込みによる吸着機能の低下を改善する。
【解決手段】多孔質体２に保持部材１の吸引孔１ａと連通する連絡穴２ａを、多孔質体２のワーク対向面２ｂに向けて延長形成することにより、多孔質体２の内部に研削屑などの異物が吸い込まれても、吸引孔１ａ及び連絡穴２ａを通って真空源からの吸引力が、多孔質体２のワーク対向面２ｂまで低下することなく到達するため、板状ワークＷの吸着機能が劣化し難いとともに、多孔部材２のワーク対向面２ｂの表面層近くに吸い込まれた異物は、洗浄によって容易に除去可能であるため、短時間で多孔質体２を初期状態に戻すことが可能である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で摩擦抵抗が大きい線材の断線及び摩擦車からの脱落を防止する。
【解決手段】移動摩擦車２のトラバース移動に伴い、摩擦抵抗の大きい線材Ｂが、移動摩擦車２の凹溝２ａ又は固定摩擦車３の凹溝３ａに沿ってトラバース方向へ位置ズレしても、段差部４を通過する時に線材Ｂが段差部４の落差で凹溝２ａ，３ａの表面から瞬間的に離れ、この時点で線材Ｂに捻れが生じている場合には、線材Ｂが捻れ方向と逆方向へ空回りして捻れが戻り、その後、線材Ｂが凹溝２ａ，３ａの表面に着地した時に生ずる摩擦抵抗で、線材Ｂのトラバース方向への位置ズレにブレーキがかかり、位置ズレの振れ幅が本来の振り幅よりも小さくなる。 （もっと読む）

【課題】砥石の寿命を向上させること、加工速度を高速化すること。
【解決手段】熱処理時にキャリアガスによって半導体ウエーハの外表面に形成された酸化膜のうち、該半導体ウエーハの外周面１ｃ，２ｃを覆う酸化膜部分と未接合部とを、砥粒粒度が異なる複数の砥石５ａ，５ｂを順次使って段階的に研削加工することにより、酸化膜部分を砥粒粒度の粗い砥石５ａで粗研削し、これに続いて、未接合部を砥粒粒度の細かい砥石５で仕上げ研削することが可能となり、それに伴って、これら砥粒粒度の異なる砥石５にかかる負荷が夫々軽減されるとともに、砥粒粒度の細かい砥石５による仕上げ研削で、半導体ウエーハの外周からチッピングが発生し難くなる。 （もっと読む）

【課題】 接合界面の不整合欠陥から活性層を離す。
【解決手段】 不純物が高濃度の層１と低濃度の層２を接合させ、所定温度の固着熱処理で、不純物が低濃度の層２に高濃度の層１の不純物を拡散させて、不純物が高濃度の拡散層３を形成し、これら不純物が低濃度の層２と高濃度の拡散層３に亘ってトレンチ１１を設け、該トレンチ１１に沿って不純物が低濃度の層２及び高濃度の拡散層３と連通する層１２を形成することにより、これらトレンチ１１及びそれに沿った層１２が、高濃度層１と低濃度層２との接合界面Ａ１から離れて配置される。
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