【解決課題】 スパークプラグの電極に取り付けられる貴金属チップであって、従来よりも耐久性、特に耐酸化消耗性に優れるものを提供することを課題とする。
【解決手段】 本発明は、スパークプラグの中心電極先端部に固定される貴金属チップにおいて、イリジウム又はイリジウム合金からなる芯材と、前記芯材の少なくとも側面を被覆し、第１の金属からなる被覆層と、からなり、前記被覆層は、芯材側の境界にイリジウムを含む拡散層を有することを特徴とする貴金属チップである。このとき、被覆層は、第１の金属の酸化物を含んでいても良い。また、被覆層上に第２の金属からなる保護層を更に備えていても良い。 （もっと読む）

【課題】多機能な高密度配線を実現できる多層配線板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】カットされた多層配線板１の側端面に半割り状態のブラインドホール１０を有するブラインドホールカット配線板であって、ブラインドホール１０は、表層側の孔最大直径が１．０ｍｍ以下で、かつ、最大直径とホール深さとの長さ比が１対４以上とされた筒形状であるとともに、ブラインドホール内周全面に形成されためっき層１１により、多層配線板の外層回路と、内層回路とが接続されているものとした。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、目的に合わせた粒径であって、粒子径分布がシャープで、形状も均一な真球状である金コロイドを製造する方法の提供を目的とする。
【解決手段】 金コロイドの製造方法において、第一の金塩の溶液に第一の還元剤を添加し、核コロイド粒子を形成させる核形成段階と、前記核コロイド粒子の溶液に、第二の金塩及び第二の還元剤を添加して核コロイドを成長させる成長段階とを含み、前記成長段階は少なくとも１回以上行うものであり、第一の還元剤にはクエン酸塩、第二の還元剤にはアスコルビン酸塩を用い、且つ、前記成長段階におけるアスコルビン酸塩の添加を第二の金塩の添加と同時に行なうことを特徴とする金コロイドの製造方法に関する。本発明の金コロイドの製造方法によれば、粒子径分布がシャープであり、形状が均一な真球状の金コロイドを得ることができる。 （もっと読む）

【課題】 半導体チップのダイボンド等において、比較的低温で十分な接合強度を有する接合部をえることができる方法を提供する。
【解決手段】 半導体チップ１０に純度が９９．９重量％以上であり、平均粒径が０．００５μｍ〜１．０μｍである金粉、銀粉、白金粉、又はパラジウム粉から選択される一種以上の金属粉末と、有機溶剤とからなる金属ペースト２０を塗布した。金属ペースト２０を塗布した後、これを乾燥器にて真空乾燥し、チップを２３０℃で３０分加熱して金属ペーストを焼結し、粉末金属焼結体２１とした。次に、Ｎｉ板３０を、半導体チップ１０の上に載置し、加熱及び加圧して接合する。 （もっと読む）

【解決課題】 ディーゼルエンジン排気ガス中の粒子状浮遊物を除去するフィルターにおいて、圧力損失が低減されるとともに、粒子状浮遊物の捕集効率が５０〜７０％と適正範囲となるものを提供する。
【解決手段】 ステンレス箔をギア付ロールにより、表面にヘリンボーン形状を有し、かつ、断面波形の金属フォイルに成型した。そして、フィルターシートとしてステンレス製不織布２０を加工後の金属フォイル１０に重ね、これらを共に巻回してハニカム構造を有する円柱状の排ガス浄化用フィルター１００を形成した。一方、セリア−ジルコニア粉末に塩化イリジウムを浸漬し、乾燥、焼成して１％イリジウム触媒を調整した後、これをスラリー化してフィルター１００に担持させた。 （もっと読む）

【課題】 金属ペーストを使用するバンプ形成方法において、ペーストの乾燥工程において生じる金属粉末の凝着を抑制し、余剰の金属粉末の残留が生じ難い方法を提供する
【解決手段】 金薄膜１０が形成された半導体ウエハー１１の表面にフォトレジスト２０層を形成し、フォトレジスト層のバンプ形成位置に対応する位置に貫通孔２１を形成する。次に、金属ペーストである金ペースト３０をフォトレジスト層２０の表面に滴下し貫通孔２１内に金ペーストを充填する。その後、乾燥工程では、金属ペーストを金属粉末とした。このときの条件は、温度−１０℃、真空度１０Ｐａ、乾燥時間５分とした。そして、ペースト乾燥後、余剰な金属粉末をへら４０で擦りとった。以上の工程の後、レジストを剥離し、基板を電気炉に入れて金属粉を焼結させてバンプ５０を形成した。 （もっと読む）

【解決課題】 ガラス製造工程で用いられる各種装置において、溶融ガラスによる摩耗が少なく、安定的な供給が可能なものを提供する。
【解決手段】 本発明は、ガラス製造工程で用いられ、溶融ガラスと接触する溶解槽、清澄槽、スロート、フォアハース、フィーダー、フュージョンセルにおいて、焼結煉瓦からなる芯材に白金又は白金合金からなる溶射膜が形成されてなるものである。例えば、溶解槽１０、清澄槽２０、スロート５０は、所定の形状に成形された焼結煉瓦からなるブロック１１、２１、５１を組合わせて製造される。本実施形態では、これらのブロックについて、溶融ガラスとの接触面１２、２２、５２及び隣接するブロックの合わせ面１３、２３、５３について白金溶射膜が形成されている。 （もっと読む）

【解決課題】 貴金属化合物中の貴金属含有量を定量分析する方法において、簡潔な工程からなり、また、熟練を要せず自動化が可能な分析方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、貴金属化合物中の貴金属含有量を定量分析する方法において、固体状の貴金属化合物、又は、貴金属化合物水溶液を濃縮した試料を、１〜４％の水素を含む還元性ガス中で、３００〜５００℃、０．５〜１時間還元処理した後、貴金属単体を回収して秤量する工程を含む方法である。ここで、貴金属化合物水溶液を濃縮する際には、貴金属水溶液を水分がなくなるまでサンドバス又は乾燥器にて均一加熱するのが好ましい。また、還元処理前の試料に塩化アンモニウムからなる添加剤を添加し、試料を被覆した後に還元処理するのが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 ブリッジマンるつぼ等に適用可能であり、長寿命でより高温での使用が可能な薄肉の耐熱容器を提供すること。
【解決手段】 本発明は、イリジウムからなり、厚さ０．３ｍｍ以下の薄肉の耐熱容器であって、イリジウム塩を含む溶融塩の溶融塩電解により形成されるイリジウム製耐熱容器である。この容器の構成材料は、貴金属を除く不純物元素の合計濃度が１００ｐｐｍ以下であり、更に、イリジウムを除く貴金属の合計濃度が１００００ｐｐｍ以下であるものが好ましい。 （もっと読む）

【解決課題】 融点１７００℃以上の高融点の単結晶材料を効率的に製造可能であり、欠陥の少ない高品質のものを製造可能な方法を提供すること。
【解決手段】 本発明は、金属又は金属化合物からなり、融点が１７００℃以上である高融点単結晶材料の製造方法において、単結晶種子が封入されたるつぼを、温度勾配を有する炉内を移動させて単結晶を育成するブリッジマン法を用いて単結晶を製造する方法である。ここで、使用するるつぼとしては、電気鋳造法により製造されたイリジウムよりなる厚さ０．３ｍｍ以下の薄型るつぼガ好ましい。 （もっと読む）